2025年

学術論文 / Journal Papers

1. T. Masuda, Y. Hara, T. Ikeda, K. Uchida, Y. Saito, S. Harada, T. Hatayama, J. Wada, T. Hiyoshi, H. Yamamoto, M. Furumai, T. Kiyama and H. Watanabe,
   "Key technologies supporting high performance and reliability of SiC VMOSFET",
   IEEE Journal of the Electron Devices Society, pp 1~5 (2025).
2. K. Maeda, T. Kobayashi, M. Hara and H. Watanabe,
   "Hydrogen passivation of electron traps and fixed charges in SiO2/b-Ga2O3(001) MOS structures",
   Applied Physics Letters, 127, (11), pp 112107-1~5 (2025).
3. T. Kobayashi, H. Fujimoto, S. Kamihata, K. Hachiken, M. Hara and H. Watanabe,
   "Performance and reliability improvements in SiC(0001) MOS devices via two-step annealing in H2/Ar gas mixtures",
   Applied Physics Express , 18, (8), pp 081002-1~4 (2025). [プレスリリース]
4. M. Hara, K. Hirahara, K. Tomigahara, M. Nozaki, T. Kobayashi, and H. Watanabe,
   "Generation process of hole traps thermally induced in SiO2/GaOx/p-GaN metal-oxide-semiconductor structures",
   Journal of Applied Physics , 138, (5), pp 055705-1~6 (2025).
5. M. Uenuma, R. Atsumi, K. Onishi, H. Tomita, S. Yamada, Y. Yamada, M. Yoshida, Z. Sun, Y. Hashimoto, M. N. Fujii,T. Kobayashi, H. Watanabe, T. Matsushita, and Y. Uraoka,
   "Effect of Post-Deposition Annealing on Atomic Ordered Structure of Gallium Oxide Layer at SiO2/GaN Interface",
   physica status solidi (b), Early View, pp 2500025-1~6 (2025).
6. T. Nakanuma, H. Toyama, K. Tahara, K. Kutsuki, H. Watanabe, and T. Kobayashi,
   "Design of annealing conditions for the formation of isolated single-photon emitters at SiO2/SiC interfaces",
   Journal of Applied Physics , 137, (20), pp 205702-1~7 (2025).
7. M. Hara, T. Nabatame, Y. Irokawa, T. Sawada, M. Miyamoto, H. Miura, T. Kimoto, and Y. Koide,
   "A three-step surface treatment and its impacts on electrical properties of c- and m-face GaN/Al2O3 MOS structures",
   Materials Science in Semiconductor Processing, 196, pp 109606-1~7 (2025).
8. M. Hara, H. Tanaka, M. Kaneko, and T. Kimoto,
   "Analysis of trap-assisted tunneling current at non-alloyed contacts formed on heavily ion-implanted n-type SiC",
   Journal of Applied Physics, 137, (13), pp 135704-1~9 (2025).
9. K. Onishi, T. Nakanuma, H. Toyama, K. Tahara, K. Kutsuki, H. Watanabe and T. Kobayashi,
   "Insight into the energy level structure and luminescence process of color centers at SiO2/SiC interfaces",
   APL Materials, 13, (2), pp 021119-1~8 (2025). [プレスリリース]
10. M. Hara, T. Kobayashi, M. Nozaki and H. Watanabe,
    "GaOx interlayer-originated hole traps in SiO2/p-GaN MOS structures and their suppression by low-temperature gate dielectric deposition",
    Applied Physics Letters , 126, (2), pp 022113-1~6 (2025).
11. H. Watanabe, T. Kobayashi, H. Iwamoto, T. Nakanuma, H. Hirai and M. Sometani,
    "Comprehensive research on nitrided SiO2/SiC interfaces by high-temperature nitric oxide annealing formed on basal and non-basal planes",
    Japanese Journal of Applied Physics, 64, (1), pp 010801-1~9 (2025).
12. T. Kobayashi, K. Maeda, M. Hara, M. Nozaki and H. Watanabe,
    "Formation of high-quality SiO2/β-Ga2O3(001) MOS structures: The role of post-deposition annealing",
    Applied Physics Letters, 126, (1), pp 012108-1~4 (2025).

国際学会 / International Conferences

1. H. Fujimoto, T. Kobayashi, S. Kamihata, K. Hachiken, M. Hara, and H. Watanabe,
   "Fabrication of high-performance SiC MOSFETs via 2-step annealing in H2/Ar gas mixtures: A novel method without interface nitridation"
   International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2025), MO_P43, Sep.15,
   (Busan, Korea, Sep.14-19, 2025).
2. S. Iwamoto, M. Hara, H. Watanabe, and T. Kobayashi,
   "Theoretical study of group III–VII impurity-vacancy centers in 4H-SiC as a potential qubit"
   International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2025), Session15A-4, Sep.17,
   (Busan, Korea, Sep.14-19, 2025).
3. K. Onishi, T. Nakanuma, H. Toyama, K. Tahara, K. Kutsuki, M. Hara, H. Watanabe, and T. Kobayashi,
   "Characterization of color centers at SiO2/SiC interfaces: Energy level identification and discussion of their origins"
   International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2025), WE_P88, Sep.17,
   (Busan, Korea, Sep.14-19, 2025).
4. K. Hachiken, T. Kobayashi, H. Fujimoto, M. Hara, and H. Watanabe,
   "Critical role of post-deposition annealing on the improvements in SiC MOS structures formed by 2-step H /Ar annealing process"
   International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2025), Session 16B-5, Sep.17,
   (Busan, Korea, Sep.14-19, 2025).
5. Y. Kaneko, T. Nakanuma, H. Toyama, K. Tahara, K. Kutsuki, H. Watanabe and T. Kobayashi,
   "Impact of oxidation temperature on the formation and annihilation of color centers at SiO2/SiC interfaces"
   International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2025), TU_P87, Sep.16,
   (Busan, Korea, Sep.14-19, 2025).
6. T. Li, L. Zhan, Y. Hayakawa, T. Kobayashi, H. Watanabe, T. Shimura,
   "Fabrication and Optical Properties of Tensile-Strained Ge Microdisk Resonators via Laser-Induced Liquid-Phase Crystallization"
   2025 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2025), PS-05-08, Sep.17,
   (Kanagawa, Japan, Sep.15-18, 2025).
7. M. Hara, M. Nozaki, T. Kobayashi, H. Watanabe,
   "Tunneling current in Schottky structures formed on heavily doped n-type GaN"
   15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-15), ED-Thu-P3, Jul.10,
   (Malmö, Sweden, Jul.6-11, 2025).
8. M. Hara, K. Hirahara, M. Nozaki, T. Kobayashi, H. Watanabe,
   "Thermal generation rate of hole traps in GaN MOS structures"
   15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-15), ED-Tue-P36, Jul. 8,
   (Malmö, Sweden, Jul.6-11, 2025).
9. Y. Sakagami , M. Hara, M. Nozaki, T. Kobayashi, H. Watanabe,
   "Reduction of hole traps in GaN MOS structures by introducing Mg atoms near SiO2/GaN interfaces"
   15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-15), ED-Mon-P52, Jul. 7,
   (Malmö, Sweden, Jul.6-11, 2025).

国内学会 / Domestic Conferences

1. 原 征大, 野崎 幹人, 小林 拓真, 渡部 平司,
   "高圧酸素熱処理によるSiO2/p型GaN MOS界面の正孔トラップ低減",
   2025年 第86回応用物理学会秋季学術講演会, 8a-N322-8, Sep.8,
   (名城大学 天白キャンパス＋オンライン, September 7-10, 2025)
2. 藤本 博貴, 小林 拓真, 神畠 真治, 八軒 慶慈, 原 征大, 渡部 平司,
   "2 段階水素熱処理によるSiC MOSFETの性能向上: 窒化排除の新提案",
   2025年 第86回応用物理学会秋季学術講演会, 9p-N322-4, Sep.9,
   (名城大学 天白キャンパス＋オンライン, September 7-10, 2025)
3. 大西 健太郎, 中沼 貴澄, 遠山 晴子, 田原 康佐, 朽木 克博, 原 征大, 渡部 平司, 小林 拓真,
   "SiO2/SiC界面発光中心のエネルギー準位の同定及び起源の考察",
   2025年 第86回応用物理学会秋季学術講演会, 9p-N322-16, Sep.9,
   (名城大学 天白キャンパス＋オンライン, September 7-10, 2025)
4. 岩本 蒼典, 原 征大, 渡部 平司, 小林 拓真,
   "第一原理計算による4H-SiC中不純物-空孔ペアの光学特性評価",
   2025年 第86回応用物理学会秋季学術講演会, 9p-N322-18, Sep.9,
   (名城大学 天白キャンパス＋オンライン, September 7-10, 2025)
5. 石丸 賢昇, 原 征大, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司,
   "極薄酸化膜ナノチャネルを用いたスパッタエピタキシーによるSi基板上GeSn薄膜の成長",
   2025年 第86回応用物理学会秋季学術講演会, 8p-N401-3, Sep.8,
   (名城大学 天白キャンパス＋オンライン, September 7-10, 2025)
6. 阪上 優一, 原 征大, 野崎 幹人, 小林 拓真, 渡部 平司,
   "SiO2/GaN界面へのMg含有薄膜導入による正孔トラップ低減",
   2025年 第86回応用物理学会秋季学術講演会, 8a-N322-7, Sep.8,
   (名城大学 天白キャンパス＋オンライン, September 7-10, 2025)
7. 八軒 慶慈, 小林 拓真, 藤本 博貴, 原 征大, 渡部 平司,
   "2 段階水素熱処理による SiC MOS 構造改善：絶縁膜堆積後処理の効果",
   2025年 第86回応用物理学会秋季学術講演会, 9p-N322-6, Sep.9,
   (名城大学 天白キャンパス＋オンライン, September 7-10, 2025)
8. 前田 兼成, 小林 拓真, 原 征大, 渡部 平司,
   "SiO2/β-Ga2O3 MOS構造の界面及び膜中欠陥に対する希釈水素熱処理の効果",
   2025年 第86回応用物理学会秋季学術講演会, 7a-N322-3, Sep.7,
   (名城大学 天白キャンパス＋オンライン, September 7-10, 2025)
9. 伊賀 智志, 小林 拓真, 藤本 博貴, 原 征大, 渡部 平司,
   "2段階水素熱処理によるSiC MOS構造改善：SiC表面水素処理の効果",
   2025年 第86回応用物理学会秋季学術講演会, 9p-N322-5, Sep.9,
   (名城大学 天白キャンパス＋オンライン, September 7-10, 2025)
10. 栫 隆人, 小林 拓真, 藤本 博貴, 原 征大, 渡部 平司,
    "2 段階水素熱処理により形成した SiC MOS 構造の熱安定性評価",
    2025年 第86回応用物理学会秋季学術講演会, 9p-N322-7, Sep.9,
    (名城大学 天白キャンパス＋オンライン, September 7-10, 2025)
11. 坂居 瞭, 原 征大, 野崎 幹人, 小林 拓真, 渡部 平司,
    "GaOx界面層挿入がn型GaNショットキー接合の障壁高さに与える影響",
    2025年 第86回応用物理学会秋季学術講演会, 8a-N322-4, Sep.8,
    (名城大学 天白キャンパス＋オンライン, September 7-10, 2025)
12. 森田 拓実, 小林 拓真, 前田 兼成, 原 征大, 渡部 平司,
    "SiO2/β-Ga2O3 構造への熱処理が界面特性と基板ドナー密度に及ぼす影響",
    2025年 第86回応用物理学会秋季学術講演会, 7a-N322-5, Sep.7,
    (名城大学 天白キャンパス＋オンライン, September 7-10, 2025)
13. 兼子 悠, 中沼 貴澄, 遠山 晴子, 田原 康佐, 朽木 克博, 原 征大, 渡部 平司, 小林 拓真,
    "SiC 基板の伝導型が SiO2/SiC 界面発光中心の形成過程に及ぼす影響",
    2025年 第86回応用物理学会秋季学術講演会, 9p-N322-17, Sep.9,
    (名城大学 天白キャンパス＋オンライン, September 7-10, 2025)
14. 山田 亮太, 岩本 蒼典, 原 征大, 渡部 平司, 小林 拓真,
    "量子技術への応用に向けた β-Ga2O3 中炭素-空孔ペアの第一原理計算",
    2025年 第86回応用物理学会秋季学術講演会, 7a-N322-8, Sep.7,
    (名城大学 天白キャンパス＋オンライン, September 7-10, 2025)
15. 島袋 聞多, 西谷 侑将, 堀内 颯介, 染谷 満, 平井 悠久, 渡部 平司, 松下 雄一郎, 梅田 享英,
    "4H-SiC(0001)/SiO2界面のPbCタイプ2センター",
    2025年 第86回応用物理学会秋季学術講演会, 9p-N322-10, Sep.9,
    (名城大学 天白キャンパス＋オンライン, September 7-10, 2025)
16. )Liji Zhan, Tianping Li, Yuta Hayakawa, Takuma Kobayashi, Heiji Watanabe, Takayoshi Shimura
    "Optical Resonant Modes in Tensile-Strained Ge Microdisks Fabricated via Laser-Induced Liquid-Phase Crystallization",
    2025年 第86回応用物理学会秋季学術講演会, 9a-N206-3, Sep.9,
    (名城大学 天白キャンパス＋オンライン, September 7-10, 2025)
17. 原 征大, 平原 賢治, 野崎 幹人, 小林 拓真, 渡部 平司,
    "熱処理によるSiO2/p型GaN MOS界面正孔トラップの生成速度",
    2025年 第72回応用物理学会春季学術講演会, 17a-K301-5, Mar.17,
    (東京理科大学 野田キャンパス＋オンライン, March 14-17, 2025)
18. 前田 兼成, 小林 拓真, 原 征大, 野崎 幹人, 渡部 平司,
    "絶縁膜堆積後熱処理による高品質SiO2/β–Ga2O3 MOS構造の形成",
    2025年 第72回応用物理学会春季学術講演会, 16p-Y1311-6, Mar.16,
    (東京理科大学 野田キャンパス＋オンライン, March 14-17, 2025)
19. 横山 義希, 矢野 裕司, 染谷 満, 平井 悠久, 渡部 平司, 梅田 享英, 堀内 颯介, 福永 博生, 島袋 聞多,
    "時間分解スピン依存チャージポンピング分光の開発と4H-SiC MOSFETsへの適用",
    2025年 第72回応用物理学会春季学術講演会, 16a-K301-10, Mar.16,
    (東京理科大学 野田キャンパス＋オンライン, March 14-17, 2025)

受賞 / Awards

1. 大阪大学工業会賞
   大西　健太郎
   "ワイドギャップ半導体の欠陥制御と電子・量子デバイス応用,"
   March 10, 2025