2025年

学術論文 / Journal Papers

1. M. Hara, K. Tomigahara, M. Nozaki, T. Kobayashi and H. Watanabe,
   "Reduction of hole traps in GaN MOS structures by high-pressure oxygen annealing",
   Applied Physics Letters, 127, (16), pp 162105-1~5 (2025).
2. T. Masuda, Y. Hara, T. Ikeda, K. Uchida, Y. Saito, S. Harada, T. Hatayama, J. Wada, T. Hiyoshi, H. Yamamoto, M. Furumai, T. Kiyama and H. Watanabe,
   "Key technologies supporting high performance and reliability of SiC VMOSFET",
   IEEE Journal of the Electron Devices Society, pp 1~5 (2025).
3. K. Maeda, T. Kobayashi, M. Hara and H. Watanabe,
   "Hydrogen passivation of electron traps and fixed charges in SiO2/b-Ga2O3(001) MOS structures",
   Applied Physics Letters, 127, (11), pp 112107-1~5 (2025).
4. T. Kobayashi, H. Fujimoto, S. Kamihata, K. Hachiken, M. Hara and H. Watanabe,
   "Performance and reliability improvements in SiC(0001) MOS devices via two-step annealing in H2/Ar gas mixtures",
   Applied Physics Express , 18, (8), pp 081002-1~4 (2025). [プレスリリース]
5. M. Hara, K. Hirahara, K. Tomigahara, M. Nozaki, T. Kobayashi, and H. Watanabe,
   "Generation process of hole traps thermally induced in SiO2/GaOx/p-GaN metal-oxide-semiconductor structures",
   Journal of Applied Physics , 138, (5), pp 055705-1~6 (2025).
6. M. Uenuma, R. Atsumi, K. Onishi, H. Tomita, S. Yamada, Y. Yamada, M. Yoshida, Z. Sun, Y. Hashimoto, M. N. Fujii,T. Kobayashi, H. Watanabe, T. Matsushita, and Y. Uraoka,
   "Effect of Post-Deposition Annealing on Atomic Ordered Structure of Gallium Oxide Layer at SiO2/GaN Interface",
   physica status solidi (b), Early View, pp 2500025-1~6 (2025).
7. T. Nakanuma, H. Toyama, K. Tahara, K. Kutsuki, H. Watanabe, and T. Kobayashi,
   "Design of annealing conditions for the formation of isolated single-photon emitters at SiO2/SiC interfaces",
   Journal of Applied Physics , 137, (20), pp 205702-1~7 (2025).
8. M. Hara, T. Nabatame, Y. Irokawa, T. Sawada, M. Miyamoto, H. Miura, T. Kimoto, and Y. Koide,
   "A three-step surface treatment and its impacts on electrical properties of c- and m-face GaN/Al2O3 MOS structures",
   Materials Science in Semiconductor Processing, 196, pp 109606-1~7 (2025).
9. M. Hara, H. Tanaka, M. Kaneko, and T. Kimoto,
   "Analysis of trap-assisted tunneling current at non-alloyed contacts formed on heavily ion-implanted n-type SiC",
   Journal of Applied Physics, 137, (13), pp 135704-1~9 (2025).
10. K. Onishi, T. Nakanuma, H. Toyama, K. Tahara, K. Kutsuki, H. Watanabe and T. Kobayashi,
    "Insight into the energy level structure and luminescence process of color centers at SiO2/SiC interfaces",
    APL Materials, 13, (2), pp 021119-1~8 (2025). [プレスリリース]
11. M. Hara, T. Kobayashi, M. Nozaki and H. Watanabe,
    "GaOx interlayer-originated hole traps in SiO2/p-GaN MOS structures and their suppression by low-temperature gate dielectric deposition",
    Applied Physics Letters , 126, (2), pp 022113-1~6 (2025).
12. H. Watanabe, T. Kobayashi, H. Iwamoto, T. Nakanuma, H. Hirai and M. Sometani,
    "Comprehensive research on nitrided SiO2/SiC interfaces by high-temperature nitric oxide annealing formed on basal and non-basal planes",
    Japanese Journal of Applied Physics, 64, (1), pp 010801-1~9 (2025).
13. T. Kobayashi, K. Maeda, M. Hara, M. Nozaki and H. Watanabe,
    "Formation of high-quality SiO2/β-Ga2O3(001) MOS structures: The role of post-deposition annealing",
    Applied Physics Letters, 126, (1), pp 012108-1~4 (2025).

国際学会 / International Conferences

1. H. Watanabe, M. Hara, T. Kobayashi,
   "Interface Engineering of GaN-based Metal-Oxide-Semiconductor Devices" (Invited)
   The 10th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-X), the International Conference on Silicon Epitaxy and International SiGe Technology and Device Meeting (ICSI/ISTDM 2025), MoA1-1, Nov.10,
   (Kanagawa, Japan, Nov.10-13, 2025).
2. T. Shimura, T. Hosoi, T. Kobayashi, H. Watanabe,
   "Optical Characteristics of Single-crystal GeSn Thin Wires Fabricated by Local Liquid Phase Crystallization" (Invited)
   The 10th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-X), the International Conference on Silicon Epitaxy and International SiGe Technology and Device Meeting (ICSI/ISTDM 2025), TuB1-1, Nov.11,
   (Kanagawa, Japan, Nov.10-13, 2025).
3. M. Hara, H. Mizobata, K. Tomigahara, K. Hirahara, Y. Sakagami, M. Nozaki, T. Kobayashi, H. Watanabe,
   "Characterization and Reduction of Hole Traps in GaN MOS Structures" (Invited)
   248th ECS Meeting, H03-1721, Oct.15,
   (Chicago, IL, US, Oct.12-16, 2025).
4. K. Maeda, T. Kobayashi, M. Hara, H. Watanabe,
   "Formation of High-Quality SiO2/Β-Ga2O3 Mos Structures by Combination of Post-Deposition and Post-Metallization Annealing"
   248th ECS Meeting, Late H-3522, Oct.15,
   (Chicago, IL, US, Oct.12-16, 2025).
5. K. Ishimaru, M. Hara, T. Kobayashi, T. Shimura, H. Watanabe,
   "Strain-Relaxed Growth of GeSn Thin Films via Nanochannel Sputter Epitaxy "
   248th ECS Meeting, Late H-3530, Oct.15,
   (Chicago, IL, US, Oct.12-16, 2025).
6. H. Fujimoto, T. Kobayashi, S. Kamihata, K. Hachiken, M. Hara, H. Watanabe,
   "Fabrication of high-performance SiC MOSFETs via 2-step annealing in H2/Ar gas mixtures: A novel method without interface nitridation"
   International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2025), MO_P43, Sep.15,
   (Busan, Korea, Sep.14-19, 2025).
7. S. Iwamoto, M. Hara, H. Watanabe, T. Kobayashi,
   "Theoretical study of group III–VII impurity-vacancy centers in 4H-SiC as a potential qubit"
   International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2025), Session15A-4, Sep.17,
   (Busan, Korea, Sep.14-19, 2025).
8. K. Onishi, T. Nakanuma, H. Toyama, K. Tahara, K. Kutsuki, M. Hara, H. Watanabe, T. Kobayashi,
   "Characterization of color centers at SiO2/SiC interfaces: Energy level identification and discussion of their origins"
   International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2025), WE_P88, Sep.17,
   (Busan, Korea, Sep.14-19, 2025).
9. K. Hachiken, T. Kobayashi, H. Fujimoto, M. Hara, H. Watanabe,
   "Critical role of post-deposition annealing on the improvements in SiC MOS structures formed by 2-step H /Ar annealing process"
   International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2025), Session 16B-5, Sep.17,
   (Busan, Korea, Sep.14-19, 2025).
10. Y. Kaneko, T. Nakanuma, H. Toyama, K. Tahara, K. Kutsuki, H. Watanabe, T. Kobayashi,
    "Impact of oxidation temperature on the formation and annihilation of color centers at SiO2/SiC interfaces"
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2025), TU_P87, Sep.16,
    (Busan, Korea, Sep.14-19, 2025).
11. T. Li, L. Zhan, Y. Hayakawa, T. Kobayashi, H. Watanabe, T. Shimura,
    "Fabrication and Optical Properties of Tensile-Strained Ge Microdisk Resonators via Laser-Induced Liquid-Phase Crystallization"
    2025 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2025), PS-05-08, Sep.17,
    (Kanagawa, Japan, Sep.15-18, 2025).
12. M. Hara, M. Nozaki, T. Kobayashi, H. Watanabe,
    "Tunneling current in Schottky structures formed on heavily doped n-type GaN"
    15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-15), ED-Thu-P3, Jul.10,
    (Malmö, Sweden, Jul.6-11, 2025).
13. M. Hara, K. Hirahara, M. Nozaki, T. Kobayashi, H. Watanabe,
    "Thermal generation rate of hole traps in GaN MOS structures"
    15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-15), ED-Tue-P36, Jul. 8,
    (Malmö, Sweden, Jul.6-11, 2025).
14. Y. Sakagami , M. Hara, M. Nozaki, T. Kobayashi, H. Watanabe,
    "Reduction of hole traps in GaN MOS structures by introducing Mg atoms near SiO2/GaN interfaces"
    15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-15), ED-Mon-P52, Jul. 7,
    (Malmö, Sweden, Jul.6-11, 2025).

国内学会 / Domestic Conferences

1. 原 征大, 野崎 幹人, 小林 拓真, 渡部 平司,
   "高圧酸素熱処理によるSiO2/p型GaN MOS界面の正孔トラップ低減",
   2025年 第86回応用物理学会秋季学術講演会, 8a-N322-8, Sep.8,
   (名城大学 天白キャンパス＋オンライン, September 7-10, 2025)
2. 藤本 博貴, 小林 拓真, 神畠 真治, 八軒 慶慈, 原 征大, 渡部 平司,
   "2 段階水素熱処理によるSiC MOSFETの性能向上: 窒化排除の新提案",
   2025年 第86回応用物理学会秋季学術講演会, 9p-N322-4, Sep.9,
   (名城大学 天白キャンパス＋オンライン, September 7-10, 2025)
3. 大西 健太郎, 中沼 貴澄, 遠山 晴子, 田原 康佐, 朽木 克博, 原 征大, 渡部 平司, 小林 拓真,
   "SiO2/SiC界面発光中心のエネルギー準位の同定及び起源の考察",
   2025年 第86回応用物理学会秋季学術講演会, 9p-N322-16, Sep.9,
   (名城大学 天白キャンパス＋オンライン, September 7-10, 2025)
4. 岩本 蒼典, 原 征大, 渡部 平司, 小林 拓真,
   "第一原理計算による4H-SiC中不純物-空孔ペアの光学特性評価",
   2025年 第86回応用物理学会秋季学術講演会, 9p-N322-18, Sep.9,
   (名城大学 天白キャンパス＋オンライン, September 7-10, 2025)
5. 石丸 賢昇, 原 征大, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司,
   "極薄酸化膜ナノチャネルを用いたスパッタエピタキシーによるSi基板上GeSn薄膜の成長",
   2025年 第86回応用物理学会秋季学術講演会, 8p-N401-3, Sep.8,
   (名城大学 天白キャンパス＋オンライン, September 7-10, 2025)
6. 阪上 優一, 原 征大, 野崎 幹人, 小林 拓真, 渡部 平司,
   "SiO2/GaN界面へのMg含有薄膜導入による正孔トラップ低減",
   2025年 第86回応用物理学会秋季学術講演会, 8a-N322-7, Sep.8,
   (名城大学 天白キャンパス＋オンライン, September 7-10, 2025)
7. 八軒 慶慈, 小林 拓真, 藤本 博貴, 原 征大, 渡部 平司,
   "2 段階水素熱処理による SiC MOS 構造改善：絶縁膜堆積後処理の効果",
   2025年 第86回応用物理学会秋季学術講演会, 9p-N322-6, Sep.9,
   (名城大学 天白キャンパス＋オンライン, September 7-10, 2025)
8. 前田 兼成, 小林 拓真, 原 征大, 渡部 平司,
   "SiO2/β-Ga2O3 MOS構造の界面及び膜中欠陥に対する希釈水素熱処理の効果",
   2025年 第86回応用物理学会秋季学術講演会, 7a-N322-3, Sep.7,
   (名城大学 天白キャンパス＋オンライン, September 7-10, 2025)
9. 伊賀 智志, 小林 拓真, 藤本 博貴, 原 征大, 渡部 平司,
   "2段階水素熱処理によるSiC MOS構造改善：SiC表面水素処理の効果",
   2025年 第86回応用物理学会秋季学術講演会, 9p-N322-5, Sep.9,
   (名城大学 天白キャンパス＋オンライン, September 7-10, 2025)
10. 栫 隆人, 小林 拓真, 藤本 博貴, 原 征大, 渡部 平司,
    "2 段階水素熱処理により形成した SiC MOS 構造の熱安定性評価",
    2025年 第86回応用物理学会秋季学術講演会, 9p-N322-7, Sep.9,
    (名城大学 天白キャンパス＋オンライン, September 7-10, 2025)
11. 坂居 瞭, 原 征大, 野崎 幹人, 小林 拓真, 渡部 平司,
    "GaOx界面層挿入がn型GaNショットキー接合の障壁高さに与える影響",
    2025年 第86回応用物理学会秋季学術講演会, 8a-N322-4, Sep.8,
    (名城大学 天白キャンパス＋オンライン, September 7-10, 2025)
12. 森田 拓実, 小林 拓真, 前田 兼成, 原 征大, 渡部 平司,
    "SiO2/β-Ga2O3 構造への熱処理が界面特性と基板ドナー密度に及ぼす影響",
    2025年 第86回応用物理学会秋季学術講演会, 7a-N322-5, Sep.7,
    (名城大学 天白キャンパス＋オンライン, September 7-10, 2025)
13. 兼子 悠, 中沼 貴澄, 遠山 晴子, 田原 康佐, 朽木 克博, 原 征大, 渡部 平司, 小林 拓真,
    "SiC 基板の伝導型が SiO2/SiC 界面発光中心の形成過程に及ぼす影響",
    2025年 第86回応用物理学会秋季学術講演会, 9p-N322-17, Sep.9,
    (名城大学 天白キャンパス＋オンライン, September 7-10, 2025)
14. 山田 亮太, 岩本 蒼典, 原 征大, 渡部 平司, 小林 拓真,
    "量子技術への応用に向けた β-Ga2O3 中炭素-空孔ペアの第一原理計算",
    2025年 第86回応用物理学会秋季学術講演会, 7a-N322-8, Sep.7,
    (名城大学 天白キャンパス＋オンライン, September 7-10, 2025)
15. 島袋 聞多, 西谷 侑将, 堀内 颯介, 染谷 満, 平井 悠久, 渡部 平司, 松下 雄一郎, 梅田 享英,
    "4H-SiC(0001)/SiO2界面のPbCタイプ2センター",
    2025年 第86回応用物理学会秋季学術講演会, 9p-N322-10, Sep.9,
    (名城大学 天白キャンパス＋オンライン, September 7-10, 2025)
16. )Liji Zhan, Tianping Li, Yuta Hayakawa, Takuma Kobayashi, Heiji Watanabe, Takayoshi Shimura
    "Optical Resonant Modes in Tensile-Strained Ge Microdisks Fabricated via Laser-Induced Liquid-Phase Crystallization",
    2025年 第86回応用物理学会秋季学術講演会, 9a-N206-3, Sep.9,
    (名城大学 天白キャンパス＋オンライン, September 7-10, 2025)
17. 原 征大, 平原 賢治, 野崎 幹人, 小林 拓真, 渡部 平司,
    "熱処理によるSiO2/p型GaN MOS界面正孔トラップの生成速度",
    2025年 第72回応用物理学会春季学術講演会, 17a-K301-5, Mar.17,
    (東京理科大学 野田キャンパス＋オンライン, March 14-17, 2025)
18. 前田 兼成, 小林 拓真, 原 征大, 野崎 幹人, 渡部 平司,
    "絶縁膜堆積後熱処理による高品質SiO2/β–Ga2O3 MOS構造の形成",
    2025年 第72回応用物理学会春季学術講演会, 16p-Y1311-6, Mar.16,
    (東京理科大学 野田キャンパス＋オンライン, March 14-17, 2025)
19. 横山 義希, 矢野 裕司, 染谷 満, 平井 悠久, 渡部 平司, 梅田 享英, 堀内 颯介, 福永 博生, 島袋 聞多,
    "時間分解スピン依存チャージポンピング分光の開発と4H-SiC MOSFETsへの適用",
    2025年 第72回応用物理学会春季学術講演会, 16a-K301-10, Mar.16,
    (東京理科大学 野田キャンパス＋オンライン, March 14-17, 2025)

受賞 / Awards

1. 大阪大学工業会賞
   大西　健太郎
   "ワイドギャップ半導体の欠陥制御と電子・量子デバイス応用,"
   March 10, 2025