2024年

学術論文 / Journal Papers

1. K. Tomigahara, M. Hara, M. Nozaki, T. Kobayashi, H. Watanabe,
   "Impacts of post-deposition annealing on hole trap generation at SiO2/p-type GaN MOS interfaces",
   Applied Physics Express, 17, (8), pp 081002-1~4 (2024).
2. S. Iwamoto, T. Shimura, H. Watanabe, T. Kobayashi,
   "Oxygen-related defects in 4H-SiC from first principles",
   Applied Physics Express, 17, (5), pp 051008-1~5 (2024).
3. K. Onishi, T. Nakanuma, K. Tahara, K. Kutsuki, T. Shimura, H. Watanabe, T. Kobayashi,
   "Generation of single photon emitters at a SiO2/SiC interface by high-temperature oxidation and reoxidation at lower temperatures",
   Applied Physics Express, 17, (5), pp 051004-1~5 (2024).
4. T. Kobayashi, A. Suzuki, T. Nakanuma, M. Sometani, M. Okamoto, A. Yoshigoe, T. Shimura, H. Watanabe,
   "Characterization of nitrided SiC(1-100) MOS structures by means of electrical measurements and X-ray photoelectron spectroscopy",
   Mater. Sci. in Semicond. Process., 175, pp 108251-1~7 (2024).
5. A. Rack, H. Sekiguchi, K. Uesugi, N. Yasuda, Y. Takano, T. Okinaka, A. Iguchi, L. Milliere, B. Lukić, M.P. Olbinado, T.G. Etoh,
   "Recent developments in MHz radioscopy: Towards the ultimate temporal resolution using storage ring-based light sources",
   Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, A, 1058, pp 166812-1~7 (2024).

国際学会 / International Conferences

1. H. Watanabe, T. Kobayashi,
   "Comprehensive Research on Nitrided SiO2/4H-SiC Interfaces"(Invited),
   2024 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2024), D-5-01, Sep. 4,
   (Hyogo, Japan, Sep. 1-4, 2024).

国内学会 / Domestic Conferences

1. 岩本 蒼典, 志村 考功, 渡部 平司, 小林 拓真,
   "第一原理計算に基づく4H-SiC中酸素関連欠陥の系統的調査",
   2024年 第71回応用物理学会春季学術講演会, 23p-52A-16, Mar.23,
   (東京都市大学 世田谷キャンパス＋オンライン, March 22-25, 2024)
2. 大西 健太郎, 中沼 貴澄, 田原 康佐, 朽木 克博, 志村 考功, 渡部 平司, 小林 拓真,
   "低温追酸化によるSiO2/SiC界面発光中心の密度制御と電気特性との相関",
   2024年 第71回応用物理学会春季学術講演会, 23p-52A-17, Mar.23,
   (東京都市大学 世田谷キャンパス＋オンライン, March 22-25, 2024)
3. 早川 雄大, 近藤 優聖, 國吉 望月, 小林 拓真, 志村 孝功, 渡部 平司,
   "Si基板上GeSn細線のレーザー溶融結晶化における下地SiO2膜厚とレーザー走査速度の最適化",
   2024年 第71回応用物理学会春季学術講演会, 23p-22A-3, Mar.23,
   (東京都市大学 世田谷キャンパス＋オンライン, March 22-25, 2024)
4. 八軒 慶慈, 藤本 博貴, 小林 拓真, 平井 悠久, 染谷 満, 岡本 光央, 志村 考功, 渡部 平司,
   "犠牲酸化プロセスによる SiC MOSFET の電気特性劣化",
   2024年 第71回応用物理学会春季学術講演会, 23p-52A-10, Mar.23,
   (東京都市大学 世田谷キャンパス＋オンライン, March 22-25, 2024)
5. 早川 雄大, 近藤 優聖, 國吉 望月, 小林 拓真, 志村 志功, 渡部 平司,
   "Si 基板上 GeSn 細線のレーザー溶融結晶化におけるレーザー走査条件と下地 SiO₂ 膜厚の最適化 ",
   電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－（第29回研究会）,
   (東レ総合研修センター, 三島市, pp. 62 - 67, February 2, 2024)

受賞 / Awards

1. インタラクティブ物質科学・カデットプログラム　2024年度独創的教育研究活動賞
   大西　健太郎
   July 8, 2024