2024年

学術論文 / Journal Papers

1. K. Tomigahara, M. Hara, M. Nozaki, T. Kobayashi, H. Watanabe,
   "Impacts of post-deposition annealing on hole trap generation at SiO2/p-type GaN MOS interfaces",
   Applied Physics Express, 17, (8), pp 081002-1~4 (2024).
2. S. Iwamoto, T. Shimura, H. Watanabe, T. Kobayashi,
   "Oxygen-related defects in 4H-SiC from first principles",
   Applied Physics Express, 17, (5), pp 051008-1~5 (2024).
3. K. Onishi, T. Nakanuma, K. Tahara, K. Kutsuki, T. Shimura, H. Watanabe, T. Kobayashi,
   "Generation of single photon emitters at a SiO2/SiC interface by high-temperature oxidation and reoxidation at lower temperatures",
   Applied Physics Express, 17, (5), pp 051004-1~5 (2024).
4. T. Kobayashi, A. Suzuki, T. Nakanuma, M. Sometani, M. Okamoto, A. Yoshigoe, T. Shimura, H. Watanabe,
   "Characterization of nitrided SiC(1-100) MOS structures by means of electrical measurements and X-ray photoelectron spectroscopy",
   Mater. Sci. in Semicond. Process., 175, pp 108251-1~7 (2024).
5. A. Rack, H. Sekiguchi, K. Uesugi, N. Yasuda, Y. Takano, T. Okinaka, A. Iguchi, L. Milliere, B. Lukić, M.P. Olbinado, T.G. Etoh,
   "Recent developments in MHz radioscopy: Towards the ultimate temporal resolution using storage ring-based light sources",
   Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, A, 1058, pp 166812-1~7 (2024).

国際学会 / International Conferences

1. M. Hara, T. Nabatame, T. Sawada, M. Miyamoto, H. Miura, Y. Irokawa, T. Kimoto, Y. Koide,
   "Crystal-face-dependent electron trapping behavior under high-field stress in Al2O3/GaN MOS structures fabricated through a dummy SiO2 process"
   12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2024), 91, Characterization: Advanced Characterization Methods, Nov. 5,
   (Honolulu, Hawai'i, USA, Nov.3-8, 2024).
2. H. Mizobata, M. Hara, M. Nozaki, T. Kobayashi and H. Watanabe,
   "Reduction of hole traps in SiO2/GaN MOS structures by properly designing the oxide interlayer"
   12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2024), P64, Nov. 4,
   (Honolulu, Hawai'i, Nov.3-8, 2024).
3. M. Hara, T. Kitawaki, K. Kuwahara, H. Tanaka, M. Kaneko, and T. Kimoto,
   "Tunneling Phenomena and Ohmic Contact Formation at Non-Alloyed Metal/Heavily-Doped SiC Interfaces"
   Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science 2024, Level 3, Oct.9,
   (Honolulu, Hawai'i, USA, Oct.6-11, 2024).
4. T. Kobayashi, S. Iwamoto and H. Watanabe,
   "Impurity-vacancy complexes in 4H-SiC: stability and properties"
   International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024), Session 14: Posters 3 , Oct. 1,
   (Raleigh, USA, Sep.29-Oct.4, 2024).
5. T. Kobayashi, K. Koyanagi, H. Hirai, M. Sometani, M. Okamoto and H. Watanabe,
   "Insight into the mobility-limiting factors of SiC MOSFETs: the impact of gate bias stress"
   International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024), Session 12B: Stress & Threshold Voltage Instabilities, Oct. 2,
   (Raleigh, USA, Sep.29-Oct.4, 2024).
6. T. Nakanuma, K. Tahara, H. Toyama, K. Kutsuki, H. Watanabe and T. Kobayashi,
   "Control over the density of single photon emitters at SiO_2/SiC interfaces: CO_2 vs. Ar annealing"
   International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024), Session 16A: Quantum Centers & Characterization, Oct. 3,
   (Raleigh, USA, Sep.29-Oct.4, 2024).
7. H. Fujimoto, T. Kobayashi, and H. Watanabe,
   "Impact of Post Deposition Annealing on SiO2/SiC Structures Formed by Plasma Nitridation of the SiC Surface"
   International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024), Session 5: Posters 1, Sep. 30,
   (Raleigh, USA, Sep.29-Oct.4, 2024).
8. S. Iwamoto, H. Watanabe and T. Kobayashi,
   "Investigation of oxygen-related defects in 4H-SiC from ab initio calculations"
   International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024), Session 16A: Quantum Centers & Characterization, Oct. 3,
   (Raleigh, USA, Sep.29-Oct.4, 2024).
9. K. Onishi, T. Nakanuma, H. Toyama, K. Tahara, K. Kutsuki, H. Watanabe, and T. Kobayashi,
   "Suppression of luminescent spots at SiO_2/SiC interfaces by thermal oxidation at low oxygen partial pressure"
   International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024), Session 14: Posters 3, Oct. 2,
   (Raleigh, USA, Sep.29-Oct.4, 2024).
10. S. Kamihata, H. Fujimoto, T. Kobayashi, and H. Watanabe,
    "Impacts of thermal oxidation and forming gas annealing on surface morphology of SiC(0001)"
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024), Session 10: Posters 2, Oct. 1,
    (Raleigh, USA, Sep.29-Oct.4, 2024).
11. S. Horiuchi, H. Fukunaga, B. Shimabukuro, H. Yano, M. Sometani, H. Hirai, H. Watanabe and T. Umeda,
    "Spin-dependent-charge-pumping spectroscopy on p-channel 4H-SiC MOSFETs,"
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024), Session 10: Posters 2, Oct. 1,
    (Raleigh, USA, Sep.29-Oct.4, 2024).
12. B. Shimabukuro, S. Horiuchi, H. Zeng, M. Sometani, H. Hirai, H. Watanabe, Y. Nishiya, Y. Matsushita and T. Umeda,
    "Carbon-related interface defects in p-channel 4H-SiC MOSFETs,"
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024), Session 11A: Characterization II, Oct. 2,
    (Raleigh, USA, Sep.29-Oct.4, 2024).
13. H. Watanabe, T. Kobayashi,
    "Comprehensive Research on Nitrided SiO2/4H-SiC Interfaces"(Invited),
    2024 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2024), D-5-01, Sep. 4,
    (Hyogo, Japan, Sep. 1-4, 2024).

国内学会 / Domestic Conferences

1. 原 征大, 冨ケ原 一樹, 野崎 幹人, 小林 拓真, 渡部 平司,
   "SiO2堆積後熱処理によるp型GaN MOS界面正孔トラップ生成",
   2024年 第85回応用物理学会秋季学術講演会, 19a-C41-7, Sep.19,
   (朱鷺メッセほか2会場＋オンライン, September 16-20, 2024)
2. 原 征大, 小林 拓真, 溝端 秀聡, 野崎 幹人, 渡部 平司,
   "PECVD-SiO2の成膜温度がp型GaN MOS界面正孔トラップに与える影響",
   2024年 第85回応用物理学会秋季学術講演会, 19a-C41-8, Sep.19,
   (朱鷺メッセほか2会場＋オンライン, September 16-20, 2024)
3. 中沼 貴澄, 田原 康佐, 遠山 晴子, 朽木 克博, 渡部 平司, 小林 拓真,
   "SiO2/SiC界面発光中心の密度に対する熱処理雰囲気及び時間の影響",
   2024年 第85回応用物理学会秋季学術講演会, 19p-C41-11, Sep.19,
   (朱鷺メッセほか2会場＋オンライン, September 16-20, 2024)
4. 藤本 博貴, 小林 拓真, 渡部 平司,
   "SiC 表面のプラズマ窒化と絶縁膜堆積により形成した SiO2/SiC 構造に対する後熱処理の効果",
   2024年 第85回応用物理学会秋季学術講演会, 19p-C41-20, Sep.19,
   (朱鷺メッセほか2会場＋オンライン, September 16-20, 2024)
5. 岩本 蒼典, 渡部 平司, 小林 拓真,
   "第一原理計算を用いた4H-SiC中不純物-空孔ペアに関する包括的調査",
   2024年 第85回応用物理学会秋季学術講演会, 19p-C41-12, Sep.19,
   (朱鷺メッセほか2会場＋オンライン, September 16-20, 2024)
6. 岩本 隼登, 小林 拓真, 平井 悠久, 染谷 満, 岡本 光央, 渡部 平司,
   "NO窒化SiC(0-33-8) MOS構造の界面特性及び信頼性評価",
   2024年 第85回応用物理学会秋季学術講演会, 19p-C41-19, Sep.19,
   (朱鷺メッセほか2会場＋オンライン, September 16-20, 2024)
7. 大西 健太郎, 中沼 貴澄, 遠山 晴子, 田原 康佐, 朽木 克博, 渡部 平司, 小林 拓真,
   "SiO2/SiC界面発光中心の発光強度の酸化温度・酸素分圧依存性",
   2024年 第85回応用物理学会秋季学術講演会, 19p-C41-10, Sep.19,
   (朱鷺メッセほか2会場＋オンライン, September 16-20, 2024)
8. 神畠 真治, 小林 拓真, 渡部 平司,
   "SiC(0001)表面モフォロジーに対する酸化及び水素エッチングの影響",
   2024年 第85回応用物理学会秋季学術講演会, 19p-C41-8, Sep.19,
   (朱鷺メッセほか2会場＋オンライン, September 16-20, 2024)
9. 石丸 賢昇, 田中 信敬, 國吉 望月, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司,
   "ナノチャネルスパッタエピタキシーによる歪み緩和GeSn薄膜成長",
   2024年 第85回応用物理学会秋季学術講演会, 19a-B5-5, Sep.19,
   (朱鷺メッセほか2会場＋オンライン, September 16-20, 2024)
10. 阪上 優一, 小林 拓真, 冨ケ原 一樹, 野﨑 幹人, 渡部 平司,
    "正孔捕獲を抑制した高Mg濃度p型GaN MOS構造の熱安定性",
    2024年 第85回応用物理学会秋季学術講演会, 19a-C41-6, Sep.19,
    (朱鷺メッセほか2会場＋オンライン, September 16-20, 2024)
11. 陳 強, 小林 拓真, 平井 悠久, 染谷 満, 岡本 光央, 渡部 平司,
    "高温酸化プロセスによるSiC MOSFETのゲートストレス耐性向上",
    2024年 第85回応用物理学会秋季学術講演会, 19p-C41-24, Sep.19,
    (朱鷺メッセほか2会場＋オンライン, September 16-20, 2024)
12. 八軒 慶慈, 小林 拓真, 平井 悠久, 染谷 満, 岡本 光央, 渡部 平司,
    "負電圧ゲートストレス印加によるSiC MOSFETのチャネル移動度劣化",
    2024年 第85回応用物理学会秋季学術講演会, 19p-C41-23, Sep.19,
    (朱鷺メッセほか2会場＋オンライン, September 16-20, 2024)
13. 兼子 悠, 中沼 貴澄, 遠山 晴子, 田原 康佐, 朽木 克博, 渡部 平司, 小林 拓真,
    "広温度範囲に亘るSiO2/SiC界面発光中心の形成過程の調査",
    2024年 第85回応用物理学会秋季学術講演会, 19p-C41-9, Sep.19,
    (朱鷺メッセほか2会場＋オンライン, September 16-20, 2024)
14. 島袋 聞多, 堀内 颯介, 曽 弘字, 染谷 満, 平井 悠久, 渡部 平司, 西谷 侑将, 松下 雄一郎, 梅田 享英,
    "p チャネル 4H-SiC MOSFET の界面欠陥の電流検出 ESR 分光",
    2024年 第85回応用物理学会秋季学術講演会, 18a-P06-18, Sep.18,
    (朱鷺メッセほか2会場＋オンライン, September 16-20, 2024)
15. 堀内 颯介, 福永 博生, 島袋 聞多, 矢野 裕司, 染谷 満, 平井 悠久, 渡部 平司, 梅田 享英,
    "Pチャネル4H-SiC MOSFETsでのスピン依存チャージポンピング分光",
    2024年 第85回応用物理学会秋季学術講演会, 18a-P06-19, Sep.18,
    (朱鷺メッセほか2会場＋オンライン, September 16-20, 2024)
16. 原 征大, 北脇 武晃, 桑原 功太朗, 田中 一, 金子 光顕, 木本 恒暢,
    "金属/高濃度ドープSiC非合金化界面トンネル現象の理解に基づく低抵抗オーミック接合形成"(招待講演),
    応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会 第251回研究集会, 3, Jul.11,
    (金沢工業大学大学院　虎ノ門キャンパス, July 11, 2024)
17. 岩本 蒼典, 志村 考功, 渡部 平司, 小林 拓真,
    "第一原理計算に基づく4H-SiC中酸素関連欠陥の系統的調査",
    2024年 第71回応用物理学会春季学術講演会, 23p-52A-16, Mar.23,
    (東京都市大学 世田谷キャンパス＋オンライン, March 22-25, 2024)
18. 大西 健太郎, 中沼 貴澄, 田原 康佐, 朽木 克博, 志村 考功, 渡部 平司, 小林 拓真,
    "低温追酸化によるSiO2/SiC界面発光中心の密度制御と電気特性との相関",
    2024年 第71回応用物理学会春季学術講演会, 23p-52A-17, Mar.23,
    (東京都市大学 世田谷キャンパス＋オンライン, March 22-25, 2024)
19. 早川 雄大, 近藤 優聖, 國吉 望月, 小林 拓真, 志村 孝功, 渡部 平司,
    "Si基板上GeSn細線のレーザー溶融結晶化における下地SiO2膜厚とレーザー走査速度の最適化",
    2024年 第71回応用物理学会春季学術講演会, 23p-22A-3, Mar.23,
    (東京都市大学 世田谷キャンパス＋オンライン, March 22-25, 2024)
20. 八軒 慶慈, 藤本 博貴, 小林 拓真, 平井 悠久, 染谷 満, 岡本 光央, 志村 考功, 渡部 平司,
    "犠牲酸化プロセスによる SiC MOSFET の電気特性劣化",
    2024年 第71回応用物理学会春季学術講演会, 23p-52A-10, Mar.23,
    (東京都市大学 世田谷キャンパス＋オンライン, March 22-25, 2024)
21. 早川 雄大, 近藤 優聖, 國吉 望月, 小林 拓真, 志村 志功, 渡部 平司,
    "Si 基板上 GeSn 細線のレーザー溶融結晶化におけるレーザー走査条件と下地 SiO₂ 膜厚の最適化 ",
    電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－（第29回研究会）,
    (東レ総合研修センター, 三島市, pp. 62 - 67, February 2, 2024)

受賞 / Awards

1. IWN2024 Best Poster Award Third Place
   溝端　秀聡
   "Reduction of hole traps in SiO2/GaN MOS structures by properly designing the oxide interlayer"
   November 4, 2024
2. インタラクティブ物質科学・カデットプログラム　2024年度独創的教育研究活動賞
   大西　健太郎
   July 8, 2024