2026年

学術論文 / Journal Papers

1. T. Kobayashi, K. Hachiken, H. Hirai, M. Sometani, M. Okamoto, M. Hara and H. Watanabe,
   "Controlled trap formation in SiC metal–oxide–semiconductor structures via gate bias stress and its impact on the performance of metal–oxide–semiconductor field-effect transistors",
   Journal of Applied Physics, 140, (4), pp 045706-1~8 (2026).
2. M. Hara, R. Sakai, M. Nozaki, T. Kobayashi and H. Watanabe,
   "Modulation of barrier height in n-type GaN Schottky structure with ultrathin oxide interlayer mediated by dipole formation",
   APL Electronic Devices, 2, (3), pp 036101-1~8 (2026).
3. T. Masuda, T. Ikeda, Y. Hara, Y. Saito, T. Nishiguchi, S. Harada, M. Furumai, T. Kiyama and H. Watanabe,
   "Evaluation of body-diode degradation in 4H-SiC VMOSFETs under high-current-density stress",
   Japanese Journal of Applied Physics, 65, (11), pp 116502-1~5 (2026).
4. T. Shimura, T. Hosoi and H. Watanabe,
   "Optical and electrical properties of nearly intrinsic GeSn wires on quartz fabricated by nucleation-controlled liquid-phase crystallization",
   Materials Science in Semiconductor Processing, 214, pp 110862-1~7 (2026).
5. T. Li, L. Zhan, Y. Hayakawa, T. Kobayashi, H. Watanabe and T. Shimura,
   "Optical mode competition in tensile-strained Ge microdisks fabricated by laser-induced liquid-phase crystallization",
   Japanese Journal of Applied Physics, 65, (2), pp 02SP12-1~7 (2026).
6. M. Hara, M. Takaoka, Q. Chen, M. Nozaki, T. Kobayashi and H. Watanabe,
   "Deep-level-transient-spectroscopy study on electron traps near GaN surface generated by sputter deposition of SiO2",
   Japanese Journal of Applied Physics, 65, (7), pp 070905-1~5 (2026).

国際学会 / International Conferences

1. Y. Kaneko, M. Hara, H. Watanabe, T. Kobayashi,
   "Identification of a donor-type charge transition level of color centers at SiO2/SiC interfaces"
   Defects in Solids for Quantum Technologies(DSQT), June 11,
   (Budapest, Hungary, June 8-12, 2026).
2. S. Iwamoto, M. Hara, H. Watanabe, T. Kobayashi,
   "Theoretical study of radiative and non-radiative processes in 4H-SiC defect complexes"
   Defects in Solids for Quantum Technologies(DSQT), June 9,
   (Budapest, Hungary, June 8-12, 2026).
3. K. Onishi, M. Hara, H. Watanabe, T. Kobayashi,
   "Evaluation of the single-electron energy levels of color centers at SiO2/SiC interfaces by photo-assisted C–V measurements"
   Defects in Solids for Quantum Technologies(DSQT), June 9,
   (Budapest, Hungary, June 8-12, 2026).
4. R. Yamada, S. Iwamoto, M. Hara, H. Watanabe, T. Kobayashi,
   "Split-type defects in β-Ga2O3 for quantum applications: An ab initio study"
   Defects in Solids for Quantum Technologies(DSQT), June 9,
   (Budapest, Hungary, June 8-12, 2026).
5. H. Watanabe, M. Hara, T. Kobayashi,
   "Interface Engineering of GaN-based Metal-Oxide-Semiconductor Devices" (Invited)
   49th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Intergrated Circuits held in Europe(WOCSDICE) / 20th Expert Evaluation and Control of Compound Semiconductor Materials and Technologies (EXMATEC), May 26,
   (Gdańsk, Poland, May 24-28, 2026).

国内学会 / Domestic Conferences

1. 小林 拓真, 岩本 蒼典, 大西 健太郎, 中沼 貴澄, 兼子 悠, 遠山 晴子, 田原 康佐, 朽木 克博, 原 征大, 渡部 平司,
   "理論と実験の両⼿法によるSiC半導体⾊中⼼の探索と解明"(招待講演),
   2026年 第73回応用物理学会春季学術講演会, 18a-W9_324-1, Mar.18,
   (東京科学大学 大岡山キャンパス＋オンライン, March 15-18, 2026)
2. 大西 健太郎, 朽木 克博, 原 征大, 渡部 平司, 小林 拓真,
   "光支援C-V測定によるSiO2/SiC界面発光中心の深い準位評価",
   2026年 第73回応用物理学会春季学術講演会, 16p-W8E_101-15, Mar.16,
   (東京科学大学 大岡山キャンパス＋オンライン, March 15-18, 2026)
3. 坂居 瞭, 原 征大, 野﨑 幹人, 小林 拓真, 渡部 平司,
   "n型GaNショットキー接合へのGaOx界面層挿入による双極子形成",
   2026年 第73回応用物理学会春季学術講演会, 18a-W8E_101-7, Mar.18,
   (東京科学大学 大岡山キャンパス＋オンライン, March 15-18, 2026)
4. 兼子 悠, 朽木 克博, 原 征大, 渡部 平司, 小林 拓真,
   "p 型 SiC エピ層上 SiO2/SiC 界面発光中心の光学及び電気特性評価",
   2026年 第73回応用物理学会春季学術講演会, 16p-W8E_101-14, Mar.16,
   (東京科学大学 大岡山キャンパス＋オンライン, March 15-18, 2026)
5. 澤田 翔斗, 小林 拓真, 藤本 博貴, 原 征大, 渡部 平司,
   "SiO2/SiC 構造に対する絶縁膜堆積前水素熱処理および犠牲酸化の効果",
   2026年 第73回応用物理学会春季学術講演会, 16p-W8E_101-7, Mar.16,
   (東京科学大学 大岡山キャンパス＋オンライン, March 15-18, 2026)
6. 高岡 真成, 原 征大, 陳 強, 野﨑 幹人, 小林 拓真, 渡部 平司,
   "SiO₂スパッタ成膜に起因するGaN表面近傍欠陥の評価",
   2026年 第73回応用物理学会春季学術講演会, 17a-W8E_101-11, Mar.17,
   (東京科学大学 大岡山キャンパス＋オンライン, March 15-18, 2026)
7. 山田 亮太, 岩本 蒼典, 原 征大, 渡部 平司, 小林 拓真,
   "第一原理計算によるβ-Ga2O3中スプリット型不純物-空孔ペアの特性評価",
   2026年 第73回応用物理学会春季学術講演会, 18p-W8E_101-3, Mar.18,
   (東京科学大学 大岡山キャンパス＋オンライン, March 15-18, 2026)
8. 染谷 満, 平井 悠久, 熊谷 直樹, 矢野 裕司, 磯部 高範, 細井 卓治, 渡部 平司,
   "量産プロセス適用可能なホットウォール酸化炉を用いたSiC-MOS界面へのCO2 POA効果の検証",
   2026年 第73回応用物理学会春季学術講演会, 16p-W8E_101-9, Mar.16,
   (東京科学大学 大岡山キャンパス＋オンライン, March 15-18, 2026)
9. 島袋 聞多, 安達 慧悟, 染谷 満, 平井 悠久, 渡部 平司,
   "ドライ酸化とウェット酸化4H-SiC(0001) MOSFETの界面欠陥の電流検出ESR分光による比較",
   2026年 第73回応用物理学会春季学術講演会, 16p-W8E_101-10, Mar.16,
   (東京科学大学 大岡山キャンパス＋オンライン, March 15-18, 2026)

受賞 / Awards

1. 大阪大学工学賞
   兼子　悠
   March 9, 2026