2025年

学術論文 / Journal Papers

1. M. Hara, H. Tanaka, M. Kaneko, and T. Kimoto,
   "Analysis of trap-assisted tunneling current at non-alloyed contacts formed on heavily ion-implanted n-type SiC",
   Journal of Applied Physics, 137, (13), pp 135704-1~9 (2025).
2. K. Onishi, T. Nakanuma, H. Toyama, K. Tahara, K. Kutsuki, H. Watanabe and T. Kobayashi,
   "Insight into the energy level structure and luminescence process of color centers at SiO2/SiC interfaces",
   APL Materials, 13, (2), pp 021119-1~8 (2025). [プレスリリース]
3. M. Hara, T. Kobayashi, M. Nozaki and H. Watanabe,
   "GaOx interlayer-originated hole traps in SiO2/p-GaN MOS structures and their suppression by low-temperature gate dielectric deposition",
   Applied Physics Letters , 126, (2), pp 022113-1~6 (2025).
4. H. Watanabe, T. Kobayashi, H. Iwamoto, T. Nakanuma, H. Hirai and M. Sometani,
   "Comprehensive research on nitrided SiO2/SiC interfaces by high-temperature nitric oxide annealing formed on basal and non-basal planes",
   Japanese Journal of Applied Physics, 64, (1), pp 010801-1~9 (2025).
5. T. Kobayashi, K. Maeda, M. Hara, M. Nozaki and H. Watanabe,
   "Formation of high-quality SiO2/β-Ga2O3(001) MOS structures: The role of post-deposition annealing",
   Applied Physics Letters, 126, (1), pp 012108-1~4 (2025).

国際学会 / International Conferences

国内学会 / Domestic Conferences

1. 原 征大, 平原 賢治, 野崎 幹人, 小林 拓真, 渡部 平司,
   "熱処理によるSiO2/p型GaN MOS界面正孔トラップの生成速度",
   2025年 第72回応用物理学会春季学術講演会, 17a-K301-5, Mar.17,
   (東京理科大学 野田キャンパス＋オンライン, March 14-17, 2025)
2. 前田 兼成, 小林 拓真, 原 征大, 野崎 幹人, 渡部 平司,
   "絶縁膜堆積後熱処理による高品質SiO2/β–Ga2O3 MOS構造の形成",
   2025年 第72回応用物理学会春季学術講演会, 16p-Y1311-6, Mar.16,
   (東京理科大学 野田キャンパス＋オンライン, March 14-17, 2025)
3. 横山 義希, 矢野 裕司, 染谷 満, 平井 悠久, 渡部 平司, 梅田 享英, 堀内 颯介, 福永 博生, 島袋 聞多,
   "時間分解スピン依存チャージポンピング分光の開発と4H-SiC MOSFETsへの適用",
   2025年 第72回応用物理学会春季学術講演会, 16a-K301-10, Mar.16,
   (東京理科大学 野田キャンパス＋オンライン, March 14-17, 2025)

受賞 / Awards

1. 大阪大学工業会賞
   大西　健太郎
   "ワイドギャップ半導体の欠陥制御と電子・量子デバイス応用,"
   March 10, 2025