カーボンニュートラルに向けた先進半導体デバイスの研究開発

大阪大学 大学院工学研究科 物理学系専攻 精密工学コース 先進デバイス工学領域

人類は、資源・エネルギー、食料と人口、気候変動・自然災害、都市化と貧困などの地球規模の課題に直面しています。それらを乗り越えて持続可能な社会を築くためには、人と人の絆、そして人と自然との共生を大切にし、問題解決に希望をつなぐテクノロジーの発展が求められています。

サステナブル社会の実現と価値ある未来のために、私たちは材料そのものの設計から、異種材料の組み合わせや新構造の採用によって、革新的な機能を発現するデバイスの創製を目指し、幅広い見地から次世代のグリーンナノエレクトロニクスを支える研究開発を進めています。

News

  • お知らせ
    2025.11.17
    研究室ホームページのレイアウト・内容を大幅に更新しました!
    特にJOIN US!のページの内容を書き換えましたので、当研究室への配属を検討している学生の皆さんはご確認ください。 →JOIN US!
  • 学会発表
    2025.11.12
    11月10日~13日に東京科学大学で開催されました国際会議ISCSI-X & ICSI/ISTDM 2025にて渡部教授が招待講演を行いました! →研究業績
  • 学会発表
    2025.10.17
    10月12日~16日に米国・シカゴで開催されました国際学会 248th ECS Meetingにて原助教が招待講演を行いました!また、石丸さん(M2)、前田さん(M2)が発表を行いました! →研究業績 ブログ記事
  • セミナー
    2025.10.11
    小林准教授が東京大学で開催されたマテリアル工学セミナーにて「ワイドギャップ半導体における欠陥の理解と制御」に関する講演を行いました!
  • 論文
    2025.9.30
    増田さん(社会人ドクター) 筆頭の論文 "Key technologies supporting high performance and reliability of SiC VMOSFET" が IEEE Journal of the Electron Devices Society誌に掲載されました! →研究業績
  • 学会発表
    2025.9.22
    9月14日~19日に韓国・釜山で開催されました国際学会 ICSCRM2025にて藤本さん(D3)、岩本さん(D1)、大西さん(D1)、八軒さん(M2)、兼子さん(B4)の計5名が発表を行いました! →研究業績 ブログ記事
  • お知らせ
    2025.9.18
    小林准教授が主たる共同研究者を務めるJST・CREST課題(研究代表者:岩本敏教授)の交付が内定しました!
  • 論文
    2025.9.17
    前田さん(M2) 筆頭の論文 "Hydrogen passivation of electron traps and fixed charges in SiO2/b-Ga2O3(001) MOS structures" がApplied Physics Letters誌に掲載されました! →研究業績
  • 学会発表
    2025.9.12
    9月7~10日に名城大学&オンラインで開催されました第86回応用物理学会秋季学術講演会にて原助教、藤本さん(D3)、大西さん(D1)、岩本さん(D1)、石丸さん(M2)、阪上さん(M2)、八軒さん(M2)、前田さん(M2)、伊賀さん(M1)、栫さん(M1)、坂居さん(M1)、森田さん(M1)、兼子さん(B4)、山田さん(B4)の計14名が発表を行いました! →研究業績 ブログ記事
  • 論文
    2025.8.27
    小林准教授と藤本さん(D3) 筆頭の論文 "Performance and reliability improvements in SiC(0001) MOS devices via two-step annealing in H2/Ar gas mixtures" がApplied Physics Express誌に掲載されました! →研究業績

    研究成果が本学よりプレスリリースされ、多数のメディアに掲載されています!
    大阪大学ResOU EurekAlert! AlphaGalileo  Asia Research News Bioengineer.org ScienMag Tech Xplore chemeurope.com nanowerk Mirage News 1 Mirage News 2 EE Times Japan
  • 論文
    2025.8.6
    原助教 筆頭の論文 "Generation process of hole traps thermally induced in SiO2/GaOx/p-GaN metal-oxide-semiconductor structures" がJournal of Applied Physics誌に掲載されました! →研究業績
  • 学会発表
    2025.7.14
    7月6日~11日にスウェーデン・マルメで開催されました国際学会 ICNS-15にて原助教と阪上さん(M2)が発表を行いました! →研究業績 ブログ記事
  • イベント
    2025.7.03
    院試激励会を開催しました! →ブログ記事
  • 公募情報
    2025.7.02
    特任助教あるいは特任研究員1名を募集しています!詳細はこちら →JREC-IN
  • お知らせ
    2025.6.27
    科研費・挑戦的研究(萌芽)(研究代表者:小林准教授)の交付が内定しました!
  • 論文
    2025.5.23
    中沼さん(D3)筆頭の論文 "Design of annealing conditions for the formation of isolated single-photon emitters at SiO2/SiC interfaces" がJournal of Applied Physics誌に掲載されました! →研究業績
  • 論文
    2025.5.7
    原助教 筆頭の論文 "A three-step surface treatment and its impacts on electrical properties of c- and m-face GaN/Al2O3 MOS structures" がMaterials Science in Semiconductor Processing誌に掲載されました! →研究業績
  • 論文
    2025.4.2
    原助教 筆頭の論文 "Analysis of trap-assisted tunneling current at non-alloyed contacts formed on heavily ion-implanted n-type SiC" がJournal of Applied Physics誌に掲載されました! →研究業績
  • お知らせ
    2025.4.1
    本日付で原特任研究員が助教に昇任しました! → メンバーページ
    また、岩本さん、大西さんが学振特別研究員DC1に採用され、増田さん(社会人博士)がメンバーに加わりました!
    さらに、科研費・基盤B(研究代表者:小林准教授)と若手研究(研究代表者:原助教)の交付が内定しました!
  • イベント
    2025.3.26
    謝恩会・送別会を開催しました! →ブログ記事
  • 学会発表
    2025.3.19
    3月14~17日に千葉県野田市&オンラインで開催されました第72回応用物理学会春季学術講演会にて原特任研究員、前田さん(M1)の2名が発表を行いました! →研究業績 ブログ記事
  • 受賞
    2025.3.10
    大西さん(M2) が、「令和6年度 大阪大学工業会賞」を受賞しました!→研究業績 研究科HP 
  • 論文
    2025.2.28
    大西さん(M2)筆頭の論文 "Insight into the energy level structure and luminescence process of color centers at SiO2/SiC interfaces" がAPL Materials誌に掲載されました! →研究業績

    研究成果が本学&JSTよりプレスリリースされ、国内外の多数のメディアに掲載されています!
    大阪大学ResOU 豊田中央研究所 JST 日本経済新聞 Tii技術情報 アドコム・メディア マイナビニュース TECH+ EurekAlert! AlphaGalileo  Asia Research News Bioengineer.org ScienMag Phys.org Nanotechnology Now Mirage News
  • 公募
    2025.2.5
    特任助教または特任研究員を2名募集しております!( 応募〆切:2025/3/31)→公募情報
  • 論文
    2025.1.17
    原特任研究員 筆頭の論文 "GaOx interlayer-originated hole traps in SiO2/p-GaN MOS structures and their suppression by low-temperature gate dielectric deposition" がApplied Physics Letters誌に掲載されました! →研究業績
  • 論文
    2025.1.15
    渡部教授 筆頭の論文 "Comprehensive research on nitrided SiO2/SiC interfaces by high-temperature nitric oxide annealing formed on basal and non-basal planes" がJapanese Journal of Applied Physics誌に掲載されました! →研究業績
  • 論文
    2025.1.7
    小林准教授 筆頭の論文 "Formation of high-quality SiO2/β-Ga2O3(001) MOS structures: The role of post-deposition annealing" がApplied Physics Letters誌に掲載されました! →研究業績

過去のニュース(2024年以前)

WATANABE LABORATORY

Department of Precision Engineering
Graduate School of Engineering
The University of Osaka