2013年

学術論文 / Journal Papers

1. M. Uenuma, B. Zheng, K. Bundo, M. Horita, Y. Ishikawa, H. Watanabe, I. Yamashita, Y. Uraoka,
   "Crystallization of amorphous Ge thin film using Cu nanoparticle synthesized and delivered by ferritin,"
   J. Crystal Growth, 382, 31-35 (2013).
2. Y. Minoura, A. Kasuya, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe,
   "Design and control of Ge-based metal-oxide-semiconductor interfaces for high-mobility field-effect transistors with ultrathin oxynitride gate dielectrics,"
   Appl. Phys. Lett., 103, (3) 033502 (2013).
3. T. Hosoi, I. Hideshima, R. Tanaka, Y. Minoura, A. Yoshigoe, Y. Teraoka, T. Shimura, and H. Watanabe,
   "Ge diffusion and bonding state change in metal/high-k/Ge gate stacks and its impact on electrical properties,"
   Microelectronic Engineering, 109, 137-141 (2013).
4. A. Chanthaphan, T. Hosoi, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Shimura, and H. Watanabe,
   "Understanding and controlling bias-temperature instability in SiC metal-oxide-semiconductor devices induced by unusual generation of mobile ions,"
   Appl. Phys. Lett., 102, (9) 093510 (2013).
5. T. Hashimoto, Y. Fukunishi, B. Zheng, Y. Uraoka, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe,
   "Electrical detection of surface plasmon resonance phenomena by a photoelectronic device integrated with gold nanoparticle plasmon antenna,"
   Appl. Phys. Lett., 102, (8) 083702 (2013).
6. H. Watanabe, D. Ikeguchi, T. Kirino, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Hosoi, T. Shimura,
   "Novel Approach for Improving Interface Quality of 4H-SiC MOS Devices with UV Irradiation and Subsequent Thermal Annealing,"
   Materials Science Forum,740 - 742, 741-744 (2013).
7. T. Hosoi, Y. Uenishi, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Shimura, and H. Watanabe,
   "Dielectric Properties of Thermally Grown SiO₂ on 4H-SiC(0001) Substrates,"
   Materials Science Forum,740 - 742, 605-608 (2013).
8. M. Fukuta, N. Zettsu, I. Yamashita, Y. Uraoka, and H. Watanabe,
   "The adsorption mechanism of titanium-binding ferritin to amphoteric oxide,"
   Colloid and Surfaces B: Biointerfaces,102, 435-440 (2013).
9. A. Mura, I. Hideshima, Z. Liu, T. Hosoi, H. Watanabe, and K. Arima,
   "Water Growth on GeO₂/Ge(100) Stack and Its Effect on the Electronic Properties of GeO₂,"
   J. Phys. Chem. C, 117, (1) 165-171 (2013).
10. T. Shimura, N. Morimoto, S. Fujino, T. Nagatomi, K. Oshima, J. Harada, K. Omote, N. Osaka, T. Hosoi, and H. Watanabe,
    "Hard x-ray phase contrast imaging using a tabletop Talboot-Lau interferometer with multiline embedded x-ray targets,"
    Optics Letters, 38, (2) 157-159 (2013).

国際学会 / International Conferences

1. T. Hosoi, I. Hideshima, R. Tanaka, Y. Minoura, A. Yoshigoe, Y. Teraoka, T. Shimura, and H. Watanabe,
   "High-k/Ge Gate Stack with an EOT of 0.56 nm by Controlling Interface Reaction Using Ultrathin AlOx Interlayer,"
   The 44th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC), 1-2,
   (Arlington, VA, USA, December 5-7, 2013).
2. M. Matsue, Y. Yasutake, S. Fukatsu, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe,
   "Enhanced direct bandgap photoluminescence from local Ge-on-insulator structures fabricated by lateral liquid-phase epitaxy –Material and strain engineering toward CMOS compatible group-Ⅳ photonics-,"
   The 44th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC), 13-2,
   (Arlington, VA, USA, December 5-7, 2013).
3. T. Hosoi, Y. Uenishi, A. Chanthaphan, D. Ikeguchi, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Shimura, and H. Watanabe,
   "Electrical and physical properties of SiO₂ gate dielectrics grown on 4H-SiC," Invited
   The 8th international conference on advanced materials upon the proven concept and continues the tradition of its seven predecessors (THERMEC2013), SessionL5, 947,
   (Las Vegas, NV, USA, December 2-6, 2013).
4. T. Hosoi, Y. Suzuki, H. Nishikawa, M. Matsue, T. Shimura, and H. Watanabe,
   "Effective Hole Mobility of GOI MOSFET Fabricated by Lateral Liquid-Phase Epitaxiay,"
   Extended Abstracts of 2013 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology (IWDTF2013), pp.139-140,
   (University of Tsukuba (Tokyo Campus), Japan, November 7-9, 2013).
5. Y. Minoura, T. Hosoi, J. Matsugaki, S. Kuroki, T. Shimura, and H. Watanabe,
   "Phosphorous Ion Implantation into NiGe Layer for Ohmic Contact Formation on n-Ge,"
   Extended Abstracts of 2013 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology (IWDTF2013), pp.101-102,
   (University of Tsukuba (Tokyo Campus), Japan, November 7-9, 2013).
6. T. Hosoi, Y. Uenishi, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Shimura, and H. Watanabe,
   "Retarded Oxide Growth on 4H-SiC(0001) Substrates Due to Sacrificial Oxidation,"
   International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013 (ICSCRM2013), Tu-3B-4,
   (Phoenix Seagaia Resort, Miyazaki, Japan, September 29 - October 4, 2013).
7. A. Chanthaphan, T. Hosoi, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Shimura, and H. Watanabe,
   "Degradation of SiO₂/SiC Interface Properties due to Mobile Ions Intrinsically Generated by High-Temperature Hydrogen Annealing,"
   International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013 (ICSCRM2013), Tu-P-39,
   (Phoenix Seagaia Resort, Miyazaki, Japan, September 29 - October 4, 2013).
8. A. Chanthaphan, T. Hosoi, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Shimura, and H. Watanabe,
   "Suppression of Mobile Ion Diffusion with AlON/SiO₂ Stacked Gate Dielectrics for Improving Bias-Temperature Instability in SiC-MOS Devices,"
   International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013 (ICSCRM2013), We-P-62,
   (Phoenix Seagaia Resort, Miyazaki, Japan, September 29 - October 4, 2013).
9. M. Fukuta, B. Zheng, M. Uenuma, I. Yamashita, Y. Uraoka and H. Watanabe,
   "Insight of Selective Adsorption Mechanism of Titanium-binding Peptide,"
   2013 JSAP-MRS Joint Symposia, 19p-PM5-9,
   (Doshisha University, Kyoto, Japan, September 16-20, 2013).
10. T. Hosoi, I. Hideshima, R. Tanaka, Y. Minoura, A. Yoshigoe, Y. Teraoka, T. Shimura, and H. Watanabe,
    "Ge diffusion and bonding state change in metal/high-k/Ge gate stacks and its impact on electrical properties,"
    The 18th Conference of "Insulating Films on Semiconductors"(INFOS2013),
    (The Jagiellonian University, Cracow, Poland, June 28, 2013).
11. H. Watanabe,
    "Implementation of High-k Gate Dielectrics in Silicon Carbide Power MOS Devices," Invited
    2013 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2013), 1A-2,
    (Korea University, Seoul, Korea, June 26, 2013).

国内学会 / Domestic Conferences

1. 渡部 平司,
   "表面界面解析に基づいた次世代SiCパワーMOSデバイスの開発," 依頼講演
   平成25年度　日本真空学会　12月研究例会予稿集, pp. 18-23,
   (SPring-8 上坪記念講堂, December 26, 2013).
2. Chanthaphan Atthawut、中野 佑紀、中村 孝、細井 卓治、志村 考功、渡部 平司,
   "AlON/SiO₂積層ゲート絶縁膜によるSiC MOSデバイスのBTI特性改善,"
   SiC及び関連半導体研究 第22回講演会, A-23, pp. 96-97,
   (埼玉会館, December 9-10, 2013).
   
3. 樋口 直樹、福島 悠太、細井 卓治、志村 考功、渡部 平司,
   "HfO₂絶縁膜を用いたSiC-MOS界面設計,"
   SiC及び関連半導体研究 第22回講演会, C-29, p. 242,
   (埼玉会館, December 9-10, 2013).
   
4. 有馬 健太，河合 佳枝，箕浦 佑也，川合 健太郎，細井 卓治，渡部 平司，森田 瑞穂，Zhi Liu,
   "湿度制御雰囲気下での吸着水/GeO2/Ge構造のXPS観測,"
   2013年秋季 第74回応用物理学関係連合講演会予稿集, 18p-D2-2,
   (同志社大学, September 16-20, 2013).
5. Atthawut Chanthaphan，中野 佑紀，中村 孝，細井 卓治，志村 考功，渡部 平司,
   "Diffusivity of Mobile Ions Inherent to Thermal SiO₂/SiC Structures in Deposited SiO₂ Gate Dielectrics,"
   2013年秋季 第74回応用物理学関係連合講演会予稿集, 17a-B3-8,
   (同志社大学, September 16-20, 2013).
6. 森本 直樹，藤野 翔，大嶋 建一，原田 仁平，細井 卓治，渡部 平司，志村 考功,
   "吸収格子を用いない小型Talbot-Lau干渉計によるX線位相イメージング,"
   2013年秋季 第74回応用物理学関係連合講演会予稿集, 18p-A13-1,
   (同志社大学, September 16-20, 2013).
7. 藤野 翔，森本 直樹，大嶋 建一，原田 仁平，細井 卓治，渡部 平司，志村 考功,
   "Talbot-Lau干渉計の光学条件の再検討による測定系の小型化,"
   2013年秋季 第74回応用物理学関係連合講演会予稿集, 18p-A13-2,
   (同志社大学, September 16-20, 2013).
8. 松江 将博，安武 裕輔，深津 晋，細井 卓治，志村 考功，渡部 平司,
   "横方向液相成長によって作製したGOI構造のフォトルミネッセンス測定,"
   2013年秋季 第74回応用物理学関係連合講演会予稿集, 18a-B4-7,
   (同志社大学, September 16-20, 2013).
9. 箕浦 佑也，細井 卓治，松垣 仁，黒木 伸一郎，志村 考功，渡部 平司,
   "NiGe/Ge接合へのPイオン注入によるショットキーバリア変調,"
   2013年秋季 第74回応用物理学関係連合講演会予稿集, 20p-B4-7,
   (同志社大学, September 16-20, 2013).
10. 田中 亮平，秀島 伊織，箕浦 佑也，吉越 章隆，寺岡 有殿，細井 卓治，志村 考功，渡部 平司,
    "極薄AlOx層によるHigh-k/Ge界面反応抑制とEOT=0.56 nmの実現,"
    2013年秋季 第74回応用物理学関係連合講演会予稿集, 17p-B5-17,
    (同志社大学, September 16-20, 2013).
11. 山元 隆志, 小川 慎吾, 細井 卓治, 志村 考巧, 渡部 平司,
    "メタルゲート/High-k ゲート絶縁膜の界面構造解析,"
    第77回半導体・集積回路技術シンポジウム,
    (東京工業大学蔵前会館ロイヤルブルーホール, July 12, 2013).
12. 渡部 平司,
    "熱酸化SiC-MOS界面物性の理解と制御," Invited
    日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会主催SiC結晶成長講演会,
    (大阪大学　銀杏会館, June 20, 2013).
13. 渡部 平司, チャンタパン アタウット, 中野 佑紀, 中村 孝, 細井 卓治, 志村 考功,
    "熱酸化SiC-MOSデバイス中の可動イオンの異常生成と特性改善技術," 依頼講演
    電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス(SDM)研究会（応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催）, シリコンテクノロジー No.161, pp. 84-87,
    (機械振興会館, 東京都港区, June 18, 2013).
14. 細井 卓治, 東雲 秀司, 柏木 勇作, 保坂 重敏, 中村 亮太, 中野 佑紀, 浅原 浩和, 中村 孝, 木本 恒暢, 志村 考功, 渡部 平司,
    "SiCパワーMOSFET向け高誘電率ゲート絶縁膜技術," 依頼講演
    電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス(SDM)研究会（応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催）, シリコンテクノロジー No.161, pp. 74-77,
    (機械振興会館, 東京都港区, June 18, 2013).
15. 細井 卓治, 秀島 伊織, 箕浦 佑也, 田中 亮平, 吉越 章隆, 寺岡 有殿, 志村 考功, 渡部 平司,
    "Metal/High-k/Geゲートスタックにおけるジャーマナイド形成とその電気特性への影響,"
    電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス(SDM)研究会（応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催）, シリコンテクノロジー No.161, pp. 19-23,
    (機械振興会館, 東京都港区, June 18, 2013).
16. 森本 直樹，藤野 翔，大嶋 建一，原田 仁平， 細井 卓治，渡部 平司， 志村 考功,
    "埋め込みX線ターゲットを用いた省電力Talbot-Lau干渉計,"
    2013年度関西地方定期学術講演会,
    (大阪工業大学, June 14, 2013).
17. 細井 卓治，上西 悠介，箕谷 周平，中野 佑紀，中村 孝，志村 考功，渡部 平司,
    "犠牲酸化処理が熱酸化SiO₂/4H-SiC(0001)構造に及ぼす影響,"
    2013年春季 第60回応用物理学関係連合講演会予稿集, 28p-G22-1,
    (神奈川工科大学, March 27-30, 2013).
18. 有馬 健太，村 敦史，秀島 伊織，細井 卓治，渡部 平司，Zhi Liu,
    "in-situ XPSによる湿度制御雰囲気下でのGeO₂/Ge構造の観察：Ge3dスペクトル形状の湿度依存性,"
    2013年春季 第60回応用物理学関係連合講演会予稿集, 28p-G8-4,
    (神奈川工科大学, March 27-30, 2013).
19. Atthawut Chanthaphan，箕谷 周平，中野 佑紀，中村 孝，細井 卓治，志村 考功，渡部 平司,
    "Impacts of hydrogen annealing induced mobile ions on thermal SiO₂/SiC interface property,"
    2013年春季 第60回応用物理学関係連合講演会予稿集, 28p-G22-2,
    (神奈川工科大学, March 27-30, 2013).
20. 小川 慎吾，秀島 伊織，箕浦 佑也，木村 耕輔，川崎 直彦，安居 麻美，宮田 洋明，山元 隆志，細井 卓治，志村 考功，渡部 平司,
    "球面収差補正（Cs-corrected）STEM-EELSによる金属電極/GeO₂絶縁膜界面反応の解析,"
    2013年春季 第60回応用物理学関係連合講演会予稿集, 28p-G2-3,
    (神奈川工科大学, March 27-30, 2013).
21. 秀島 伊織，田中 亮平，箕浦 佑也，吉越 章隆，寺岡 有殿，細井 卓治，志村 考功，渡部 平司,
    "MBD法により作製したMetal/High-k/GeO₂/Geスタックの熱処理による構造変化,"
    2013年春季 第60回応用物理学関係連合講演会予稿集, 28p-G2-10,
    (神奈川工科大学, March 27-30, 2013).
22. 森本 直樹，藤野 翔，大嶋 建一，原田 仁平，細井 卓治，渡部 平司，志村 考功,
    "小型X線Talbot-Lau干渉計におけるビジビリティの光源サイズ依存性,"
    2013年春季 第60回応用物理学関係連合講演会予稿集, 28p-B1-7,
    (神奈川工科大学, March 27-30, 2013).
23. 藤野 翔，森本 直樹，大嶋 建一，原田 仁平，細井 卓治，渡部 平司，志村 考功,
    "マルチライン埋め込みX線タ－ゲットの電力負荷試験と小型Talbot-Lau干渉計による短時間X線位相イメージング,"
    2013年春季 第60回応用物理学関係連合講演会予稿集, 28p-B1-6,
    (神奈川工科大学, March 27-30, 2013).
24. 西川 弘晃，鈴木 雄一郎，松江 将博，細井 卓治，志村 考功，渡部 平司,
    "横方向液相成長により作製したGOIバックゲートトランジスタのキャリア移動度評価,"
    2013年春季 第60回応用物理学関係連合講演会予稿集, 27a-G20-9,
    (神奈川工科大学, March 27-30, 2013).
25. 渡部 平司,
    "先端ゲートスタック開発への放射光光電子分光応用,"依頼講演
    平成24年度文部科学省ナノテクノロジプラットフォーム事業 微細構造解析プラットフォーム 放射光実験設備利用講習会・放射光利用研究セミナー,
    (大阪大学　中之島センター, March 22, 2013).
26. 細井 卓治, 東雲 秀司, 柏木 勇作, 保坂 重敏, 中村 亮太, 箕谷 周平, 中野 佑紀, 浅原 浩和, 中村 孝, 木本 恒暢, 志村 考功, 渡部 平司,
    "AlONゲート絶縁膜導入によるSiCパワーMOSFETの高性能化及び信頼性向上,"Invited
    電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会（SDM）, pp. 19-22,
    (機械振興会館, 東京都港区, January 30, 2013).
27. 有馬 健太, 村 敦史, 秀島 伊織, 細井 卓治, 渡部 平司, Zhi Liu,
    "湿度制御条件下でのin-situ XPSを用いたGeO₂/Ge構造の吸湿性評価,"
    応用物理学会　薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会アブストラクト集「ゲートスタック研究会　―材料・プロセス・評価の物理―」(第１８回研究会), pp. 111-114,
    (ニューウェルシティ湯河原, 静岡県熱海市, January 25-26, 2013).
28. S. Ogawa, I. Hideshima, Y. Minoura, T. Yamamoto, A. Yasui, H. Miyata, K. Kimura, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe,
    "Interface Engineering between Metal Electrode and GeO₂ Dielectric for Future Ge-Based Metal-Oxide-Semiconductor Technologies,"
    応用物理学会　薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会アブストラクト集「ゲートスタック研究会　―材料・プロセス・評価の物理―」(第１８回研究会), pp. 225-228,
    (ニューウェルシティ湯河原, 静岡県熱海市, January 25-26, 2013).
29. 松江 将博, 鈴木 雄一朗, 西川 弘晃, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司,
    "横方向液相エピタキシャル成長により作製したGOI MOSFETのキャリア移動度評価,"
    応用物理学会　薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会アブストラクト集「ゲートスタック研究会　―材料・プロセス・評価の物理―」(第１８回研究会), pp. 221-224,
    (ニューウェルシティ湯河原, 静岡県熱海市, January 25-26, 2013).
30. Atthawut Chanthaphan, 箕谷 周平, 中野 佑紀, 中村 孝, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司,
    "SiC熱酸化膜特有の可動イオン生成とその除去,"
    応用物理学会　薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会アブストラクト集「ゲートスタック研究会　―材料・プロセス・評価の物理―」(第１８回研究会), pp. 71-74,
    (ニューウェルシティ湯河原, 静岡県熱海市, January 25-26, 2013).
31. 箕浦 佑也, 糟谷 篤志, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司,
    "高移動度Ge CMOSの実現に向けたGeON/Geゲートスタックのプロセス設計,"
    応用物理学会　薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会アブストラクト集「ゲートスタック研究会　―材料・プロセス・評価の物理―」(第１８回研究会), pp. 31-34,
    (ニューウェルシティ湯河原, 静岡県熱海市, January 25-26, 2013).

受賞 / Awards

1. 第35回（2013年秋季）応用物理学会講演奨励賞
   田中 亮平（B4）
   "極薄AlO_x層によるHigh-k/Ge界面反応抑制とEOT=0.56 nmの実現,"
   November 19, 2013
2. 第2回（平成25年度）大阪大学総長奨励賞（研究部門)
   細井 卓治
   "超低損失SiCパワーエレクトロニクス実現に向けたゲート絶縁膜技術の研究,"
   August 2, 2013
   
3. 大阪大学工学賞
   西川 弘晃（B4）
   March 22, 2013
   
4. 応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会 「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第18回） 安田賞（若手奨励賞：プロセス部門）
   松江 将博（M1）
   "横方向液相エピタキシャル成長により作製したGOI MOSFETのキャリア移動度評価,"
   January 26, 2013