2023年

学術論文 / Journal Papers

1. T. Kobayashi, K. Tomigahara, M. Nozaki, T. Shimura, and H. Watanabe,
   "Separate evaluation of interface and oxide hole traps in SiO2/GaN MOS structures with below- and above-gap light excitation",
   Applied Physics Express, 17, (1), pp 011003-1~5 (2023).
2. M. Sometani, Y. Nishiya, R. Kondo, R. Inohana, H. Zeng, H. Hirai, D. Okamoto, Y. Matsushita, and T. Umeda,
   "Energy levels of carbon dangling-bond center (PbC center) at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface",
   APL Materials, 11, (11), pp 111119-1~5 (2023).
3. T. Kil, T. Kobayashi, T. Shimura, H. Watanabe,
   "Design of SiO2/4H–SiC MOS interfaces by sputter deposition of SiO2 followed by high-temperature CO2-post deposition annealing",
   AIP Advances, 13, (11), pp 115304-1~5 (2023).
4. A. Rack, H. Sekiguchi, K. Uesugi, N. Yasuda, Y. Takano, T. Okinaka, A. Iguchi, L. Milliere, B. Lukić, M.P. Olbinado, T.G. Etoh,
   "Recent developments in MHz radioscopy: Towards the ultimate temporal resolution using storage ring-based light sources",
   Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, A, 1058, pp 166812-1~7 (2024).
5. T. Kobayashi, T. Shimura, H. Watanabe,
   "Oxygen-vacancy defect in 4H-SiC as a near-infrared emitter: An ab initio study",
   Journal of Applied Physics, 134, (14), pp 145701-1~9 (2023).
6. H. Mizobata, M. Nozaki, T. Kobayashi, T. Shimura, H. Watanabe,
   "Passivation of hole traps in SiO2/GaN metal-oxide-semiconductor devices by high-density magnesium doping",
   Applied Physics Express, 16, (10), pp 105501-1~4 (2023).
7. N. Tanaka, M. Kuniyoshi, K. Abe, M. Hoshihara, T. Kobayashi, T. Shimura, and H. Watanabe,
   "Impact of Sn incorporation on sputter epitaxy of GeSn",
   Applied Physics Express, 16, (9), pp 095502-1~5 (2023).
8. T. Nakanuma, K. Tahara, K. Kutsuki, T. Shimura, H. Watanabe, and T. Kobayashi,
   "Control on the density and optical properties of color centers at SiO2/SiC interfaces by oxidation and annealing",
   Applied Physics Letters, 123, (10), pp 102102-1~5 (2023).
9. S. Ogawa, H. Mizobata, T. Kobayashi, T. Shimura, H. Watanabe,
   "Interface and oxide trap states of SiO2/GaN metal–oxide–semiconductor capacitors and their effects on electrical properties evaluated by deep level transient spectroscopy",
   Journal of Applied Physics, 134, (9), pp 095704-1~7 (2023).
10. H. Fujimoto, T. Kobayashi, T. Shimura, and H. Watanabe,
    "Improvement of interface properties in SiC(0001) MOS structures by plasma nitridation of SiC surface followed by SiO2 deposition and CO2 annealing",
    Applied Physics Express, 16, (7), pp 074004-1~4 (2023).
11. M. Schober, N. Jungwirth, T. Kobayashi, J.A.F. Lehmeyer, M. Krieger, H.B. Weber, M. Bockstedte,
    "The Optical Properties of the Carbon Di-Vacancy-Antisite Complex in the Light of the TS Photoluminescence Center",
    Defect and Diffusion Forum, 426, pp 43~48 (2023).
12. K. Onishi, T. Kobayashi, H. Mizobata, M. Nozaki, A. Yoshigoe, T. Shimura, and H. Watanabe,
    "Formation of high-quality SiO2/GaN interfaces with suppressed Ga-oxide interlayer via sputter deposition of SiO2",
    Japanese Journal of Applied Physics, 62, (5), pp 050903-1~4 (2023).
13. B. Mikake, T. Kobayashi, H. Mizobata, M. Nozaki, T. Shimura and H. Watanabe,
    "Reduction of interface and oxide traps in SiO2/GaN MOS structures by oxygen and forming gas annealing",
    Applied Physics Express, 16, (3), pp 031004-1-1~4 (2023).
14. T. Shimura, S. Tanaka,T. Hosoi and H. Watanabe,
    "Fabrication and Luminescence Characterization of Ge Wires with Uniaxial Tensile Strains Applied using Internal Stresses in Deposited Metal Thin Films",
    Journal of Electronic Materials, Topical Collection: 19th Conference on Defects (DRIP XIX), pp 1-6 (2023).
15. T. Shimura, R. Yamaguchi, N. Tabuchi, M. Kondoh, M. Kuniyoshi, T. Hosoi, T. Kobayashi and H. Watanabe,
    "Controllability of luminescence wavelength from GeSn wires fabricated by laser-induced local liquid phase crystallization on quartz substrates",
    Japanese Journal of Applied Physics, 62, (SC), pp SC1083-1~5 (2023).

国際学会 / International Conferences

1. H. Mizobata, M. Nozaki, T. Kobayashi, M. Nozaki, T. Shimura, and H. Watanabe,
   " Effects of doped Mg concentrations on the reduction of hole traps in the vicinity of the SiO2/p-GaN MOS interface",
   14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14), TuP-ED-20, Nov.14,
   (Fukuoka, Nov. 12-17, 2023)
2. K. Tomigahara, T. Kobayashi, M.Nozaki, T. Shimura, and H. Watanabe,
   " Hole Traps in SiO2/GaN MOS structures Evaluated by Below-gap Light Illumination",
   14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14), TuP-ED-19, Nov.14,
   (Fukuoka, Nov. 12-17, 2023)
3. H. Iwamoto, T. Nakanuma, H. Hirai, M. Sometani, M. Okamoto, T. Kobayashi, T. Shimura, and H. Watanabe,
   " Characterizations of nitrogen profiles and interface properties in NO-nitrided SiO2/SiC(03̅38̅)structures",
   2023 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES: SCIENCE AND TECHNOLOGY (IWDTF 2023), S6-4, Oct.25,
   (Kanazawa, Oct. 23-25, 2023)
4. T. Kobayashi, T. Shimura and H. Watanabe,
   " Ab initio study of oxygen-vacancy defect in 4H-SiC: A potential qubit",
   International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2023), Quantum 2, Sep.20,
   (Sorrento, Italy, Sep. 17-22, 2023)
5. T. Kil, T. Kobayashi, T. Shimura and H. Watanabe,
   "Fabrication of SiO2/4H-SiC MOS devices by sputter deposition of SiO2 followed by high-temperature CO2-post deposition annealing",
   International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2023), Poster Mo.B.14, Sep.18,
   (Sorrento, Italy, Sep. 17-22, 2023)
6. T. Nakanuma, K. Tahara, K. Kutsuki, T. Shimura, H. Watanabe and T. Kobayashi,
   "Controlling the properties of single photon emitters at SiO2/SiC interfaces by oxidation and annealing",
   International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2023), Process 2, Sep.19,
   (Sorrento, Italy, Sep. 17-22, 2023)
7. H. Fujimoto, T. Kobayashi, Y. Iwakata, T. Shimura and Heiji Watanabe,
   "Improved interface properties in SiC(0001) MOS structures by plasma nitridation of SiC surface prior to SiO2 deposition",
   International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2023), Quantum 2, Sep.19,
   (Sorrento, Italy, Sep. 17-22, 2023)
8. A. Suzuki, T. Kobayashi, M. Sometani, M. Okamoto, T. Shimura1 and H. Watanabe,
   "Accurate analysis of leakage characteristics of SiC (1-100) MOS devices over a wide temperature range",
   International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2023), Poster Tu.D.11 Sep.19,
   (Sorrento, Italy, Sep. 17-22, 2023)
9. K. Onishi, T. Nakanuma, K. Tahara, K. Kutsuki, T. Shimura, H. Watanabe and T. Kobayashi,
   "Formation of color centers at SiO2/SiC interfaces by thermal oxidation and its correlation with electrical properties (student paper)",
   International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2023), Poster Th.D.7 Sep.21,
   (Sorrento, Italy, Sep. 17-22, 2023)
10. S. Kamihata, T. Kobayashi, T. Shimura and H. Watanabe,
    "A SiO2/SiC interface formed by direct bonding of SiO2 and SiC",
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2023), Poster We.B.17 Sep.20,
    (Sorrento, Italy, Sep. 17-22, 2023)
11. R. Kondo, H. Zeng, M. Sometani, H. Hirai, H. Watanabe and T. Umeda,
    "Comparison of polar-face and non-polar faces 4H-SiC/SiO2 interfaces revealed by magnetic resonance and related techniques",
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2023), Poster Th.B.11 Sep.21,
    (Sorrento, Italy, Sep. 17-22, 2023)
12. T. Shimura, G. T. Etoh, H. Watanabe,
    "Beyond the temporal resolution limit of siliconimage sensors" (Invited),
    Ultrafast Imaging and Tracking Instrumentation, Methods and Applications Conference (ULITIMA 2023), Imaging-4, Mar.16,
    (SLAC National Accelerator Laboratory, CA, US, Mar. 13-16, 2023)

国内学会 / Domestic Conferences

1. 中沼 貴澄, 田原 康佐, 朽木 克博, 志村 考功, 渡部 平司, 小林 拓真,
   "量子技術応用に向けた SiC MOS 界面単一光子源の制御",
   先進パワー半導体分科会第10回講演会, VII-2, Dec.1,
   (ANAクラウンプラザホテル金沢, Nov.30-Dec.1, 2023)
2. 冨ケ原 一樹, 小林 拓真, 野﨑 幹人，志村 考功，渡部 平司,
   "Below-gap 光照射による n 型 GaN MOS 界面の正孔トラップ評価",
   先進パワー半導体分科会第10回講演会, IA-11, Nov.30,
   (ANAクラウンプラザホテル金沢, Nov.30-Dec.1, 2023)
3. 藤本 博貴, 小林 拓真，志村 考功，渡部 平司,
   "ゲートストレス印加による SiC MOS 界面の劣化とデバイス特性への影響",
   先進パワー半導体分科会第10回講演会, IA-13, Nov.30,
   (ANAクラウンプラザホテル金沢, Nov.30-Dec.1, 2023)
4. 小柳 香穂, 小林 拓真, 平井 悠久, 染谷 満, 岡本 光央, 志村 考功, 渡部 平司,
   "プラズマ窒化・SiO2堆積・CO2熱処理の複合プロセスによる高品質 SiC MOS 構造の形成",
   先進パワー半導体分科会第10回講演会, IA-20, Nov.30,
   (ANAクラウンプラザホテル金沢, Nov.30-Dec.1, 2023)
5. 大西 健太郎, 中沼 貴澄, 田原 康佐, 朽木 克博, 志村 考功, 渡部 平司, 小林 拓真,
   "低温追酸化プロセスによる SiO2/SiC 界面単一光子源の形成",
   先進パワー半導体分科会第10回講演会, IA-10, Nov.30,
   (ANAクラウンプラザホテル金沢, Nov.30-Dec.1, 2023)
6. 神畠 真治, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司,
   "SiO2と SiC の直接貼り合わせによる SiO2/SiC 構造の形成",
   先進パワー半導体分科会第10回講演会, IA-9, Nov.30,
   (ANAクラウンプラザホテル金沢, Nov.30-Dec.1, 2023)
7. 荒木 唯衣, 小林 拓真, 冨ケ原 一樹, 野﨑 幹人, 志村 考功, 渡部 平司,
   "SiO2/GaOx/GaN 構造の固定電荷に対するポストアニールの効果",
   先進パワー半導体分科会第10回講演会, IA-12, Nov.30,
   (ANAクラウンプラザホテル金沢, Nov.30-Dec.1, 2023)
8. 上沼 睦典, 大西 健太郎, 富田 広人, 川村 聡太, 多田村 充, 盛喜 琢也, 夏井 葉月, 橋本 由介, 小林 拓真, 藤井 茉美, 松下 智裕, 渡部 平司, 浦岡 行治,
   "SiO2/GaN 界面酸化ガリウム層に対する熱処理の影響",
   先進パワー半導体分科会第10回講演会, IIB-12, Dec.1,
   (ANAクラウンプラザホテル金沢, Nov.30-Dec.1, 2023)
9. 近藤 蓮，曽弘 宇，染谷 満, 平井 悠久，渡部 平司, 梅田 享英,
   "a 面 4H-SiC MOS 界面の室温～低温 ESR/EDMR 評価",
   先進パワー半導体分科会第10回講演会, IIB-17, Dec.1,
   (ANAクラウンプラザホテル金沢, Nov.30-Dec.1, 2023)
10. 志村 考功, 梶原 堅太郎, 辻 成希, 小林 拓真, 渡部 平司,
    "高エネルギーX線CT計測
    -高角散乱X線を用いたライトシート3Dイメージングとの比較検証-",
    2023年 第84回応用物理学会秋季学術講演会, 19p-A601-5, Sep.19,
    (熊本城ホール, Sep.19-23, 2023)
11. 溝端 秀聡, 野﨑 幹人, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司,
    "SiO2/p-GaN MOS界面近傍の正孔トラップ低減に対するMgドープ濃度の影響",
    2023年 第84回応用物理学会秋季学術講演会, 22p-B201-1, Sep.22,
    (熊本城ホール, Sep.19-23, 2023)
12. 冨ケ原 一樹, 小林 拓真, 野﨑 幹人, 志村 考功, 渡部 平司,
    "Below-gap光照射を用いたSiO2/p型GaN構造の正孔トラップ評価",
    2023年 第84回応用物理学会秋季学術講演会, 22p-B201-7, Sep.22,
    (熊本城ホール, Sep.19-23, 2023)
13. 岩本 蒼典, 細井 卓治, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司,
    "局所溶融結晶化GeSn PINダイオードの発光特性解析",
    2023年 第84回応用物理学会秋季学術講演会, 23a-A602-6, Sep.23,
    (熊本城ホール, Sep.19-23, 2023)
14. 岩本 隼登, 中沼 貴澄, 平井 悠久, 染谷 満, 岡本 光央, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司,
    "SiO2/SiC(0-33-8) 構造の NO 窒化過程の観察と電気特性評価",
    2023年 第84回応用物理学会秋季学術講演会, 21p-B201-7, Sep.21,
    (熊本城ホール, Sep.19-23, 2023)
15. 江藤剛治, 武藤秀樹, 澤野憲太郎, 渡部平司, 志村考功, Edoardo Charbon,
    "Ge-on-Siストーンサークルイメージセンサ",
    映像情報メディア学会　情報センシング研究会（IST）, pp. 1-4, Sep.9,
    (機械振興会館, Sep.15, 2023)
16. 中沼 貴澄, 田原 康佐, 木村 大至, 朽木 克博, 志村 考功, 渡部 平司, 小林 拓真,
    "SiO2/SiC界面発光中心密度と電気的特性の相関",
    2023年 第70回応用物理学会春季学術講演会, 15a-A301-3, Mar.15,
    (上智大学　四谷キャンパス＋オンライン,Mar.15-18,2023)
    
17. 近藤 優聖, 田淵 直人, 國吉 望月, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司,
    "Si基板上GeSn細線のレーザー溶融結晶化と光学特性評価",
    2023年 第70回応用物理学会春季学術講演会, 16a-D511-2, Mar.16,
    (上智大学　四谷キャンパス＋オンライン,Mar.15-18,2023)
    
18. 近藤 蓮, 染谷 満, 渡部 平司, 梅田 享英,
    "4H-SiC(11-20)面（a面）MOS界面欠陥の電子スピン共鳴分光（ESR/EDMR）評価",
    2023年 第70回応用物理学会春季学術講演会, 16p-PA04-3, Mar.16,
    (上智大学　四谷キャンパス＋オンライン,Mar.15-18,2023)
    
19. 田中 信敬, 國吉 望月, 安部 和弥, 星原 雅生, 小林 拓真, 志村 志功, 渡部 平司,
    "スパッタ成膜によるGe(100)基板上への高品質単結晶GeSn層のエピタキシャル成長",
    電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－（第28回研究会）, (東レ総合研修センター, 三島市, pp. 109 - 114, February 4, 2023)
    
20. 志村 考功,
    "半導体デバイスにおける局所歪み計測の重要性とナノ放射光技術への期待"(招待講演),
    未来社会にむかう理研放射光センター・産業界連携シンポジウム, 第3回　大阪大学・理研・産業界の連携による先端半導体評価プラットフォーム整備構想, (グランフロント大阪, February 2, 2023)
    

受賞 / Awards

1. 一般財団法人 エヌエフ基金 第12回(2023年度) 研究開発奨励賞 優秀賞
   小林　拓真
   "ワイドギャップ半導体の特性制御と量子技術への展開"
   December 1, 2023
2. 応用物理学会　先進パワー半導体分科会　研究奨励賞
   藤本　博貴
   "プラズマ窒化・SiO2堆積・CO2熱処理の複合プロセスによる高品質 SiC MOS 構造の形成,"
   December 1, 2023
3. IISW2023　Exceptional Lifetime Achievement Award
   江藤　剛治
   "For sustained Contributions to High-speed Image Sensors and Cameras"
   May 24, 2023
4. 第22回 船井研究奨励賞
   小林　拓真
   "炭化珪素半導体における欠陥の制御と機能開拓,"
   May 20, 2023
5. 大阪大学楠本賞
   大西　健太郎
   March 23, 2023
6. 大阪大学工業会賞
   中沼　貴澄
   "炭化ケイ素MOS界面の欠陥制御と量子デバイスへの展開,"
   March 13, 2023
7. 大阪大学工学賞
   大西　健太郎
   March 13, 2023
8. 電気学会 2022年電子・情報・システム部門 技術委員会奨励賞
   中沼　貴澄
   "NO窒化処理を施した非基底面SiC MOSデバイスの信頼性,"
   January 27, 2023