2024年

学術論文 / Journal Papers

1. T. Kobayashi, K. Koyanagi, H. Hirai, M. Sometani, M. Okamoto, H. Watanabe,
   "Gate stress-induced mobility degradation in NO-nitrided SiC(0001) MOSFETs",
   Applied Physics Letters, 125, (25), pp 252101-1~5 (2024).
2. H. Fujimoto, T. Kobayashi, H. Watanabe,
   "Impact of post-deposition annealing on SiO2/SiC interfaces formed by plasma nitridation of the SiC surface and SiO2 deposition",
   Applied Physics Express, 17, (11), pp 116503-1~4 (2024).
3. K. Tomigahara, M. Hara, M. Nozaki, T. Kobayashi, H. Watanabe,
   "Impacts of post-deposition annealing on hole trap generation at SiO2/p-type GaN MOS interfaces",
   Applied Physics Express, 17, (8), pp 081002-1~4 (2024).
4. S. Iwamoto, T. Shimura, H. Watanabe, T. Kobayashi,
   "Oxygen-related defects in 4H-SiC from first principles",
   Applied Physics Express, 17, (5), pp 051008-1~5 (2024).
5. K. Onishi, T. Nakanuma, K. Tahara, K. Kutsuki, T. Shimura, H. Watanabe, T. Kobayashi,
   "Generation of single photon emitters at a SiO2/SiC interface by high-temperature oxidation and reoxidation at lower temperatures",
   Applied Physics Express, 17, (5), pp 051004-1~5 (2024).
6. T. Kobayashi, A. Suzuki, T. Nakanuma, M. Sometani, M. Okamoto, A. Yoshigoe, T. Shimura, H. Watanabe,
   "Characterization of nitrided SiC(1-100) MOS structures by means of electrical measurements and X-ray photoelectron spectroscopy",
   Mater. Sci. in Semicond. Process., 175, pp 108251-1~7 (2024).
7. A. Rack, H. Sekiguchi, K. Uesugi, N. Yasuda, Y. Takano, T. Okinaka, A. Iguchi, L. Milliere, B. Lukić, M.P. Olbinado, T.G. Etoh,
   "Recent developments in MHz radioscopy: Towards the ultimate temporal resolution using storage ring-based light sources",
   Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, A, 1058, pp 166812-1~7 (2024).

国際学会 / International Conferences

1. M. Hara, T. Nabatame, T. Sawada, M. Miyamoto, H. Miura, Y. Irokawa, T. Kimoto, Y. Koide,
   "Crystal-face-dependent electron trapping behavior under high-field stress in Al2O3/GaN MOS structures fabricated through a dummy SiO2 process"
   12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2024), 91, Characterization: Advanced Characterization Methods, Nov. 5,
   (Honolulu, Hawai'i, USA, Nov.3-8, 2024).
2. H. Mizobata, M. Hara, M. Nozaki, T. Kobayashi and H. Watanabe,
   "Reduction of hole traps in SiO2/GaN MOS structures by properly designing the oxide interlayer"
   12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2024), P64, Nov. 4,
   (Honolulu, Hawai'i, USA, Nov.3-8, 2024).
3. M. Hara, T. Kitawaki, K. Kuwahara, H. Tanaka, M. Kaneko, and T. Kimoto,
   "Tunneling Phenomena and Ohmic Contact Formation at Non-Alloyed Metal/Heavily-Doped SiC Interfaces"(Invited),
   Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science 2024, Level 3, Oct.9,
   (Honolulu, Hawai'i, USA, Oct.6-11, 2024).
4. T. Kobayashi, S. Iwamoto and H. Watanabe,
   "Impurity-vacancy complexes in 4H-SiC: stability and properties"
   International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024), Session 14: Posters 3 , Oct. 1,
   (Raleigh, USA, Sep.29-Oct.4, 2024).
5. T. Kobayashi, K. Koyanagi, H. Hirai, M. Sometani, M. Okamoto and H. Watanabe,
   "Insight into the mobility-limiting factors of SiC MOSFETs: the impact of gate bias stress"
   International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024), Session 12B: Stress & Threshold Voltage Instabilities, Oct. 2,
   (Raleigh, USA, Sep.29-Oct.4, 2024).
6. T. Nakanuma, K. Tahara, H. Toyama, K. Kutsuki, H. Watanabe and T. Kobayashi,
   "Control over the density of single photon emitters at SiO_2/SiC interfaces: CO_2 vs. Ar annealing"
   International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024), Session 16A: Quantum Centers & Characterization, Oct. 3,
   (Raleigh, USA, Sep.29-Oct.4, 2024).
7. H. Fujimoto, T. Kobayashi, and H. Watanabe,
   "Impact of Post Deposition Annealing on SiO2/SiC Structures Formed by Plasma Nitridation of the SiC Surface"
   International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024), Session 5: Posters 1, Sep. 30,
   (Raleigh, USA, Sep.29-Oct.4, 2024).
8. S. Iwamoto, H. Watanabe and T. Kobayashi,
   "Investigation of oxygen-related defects in 4H-SiC from ab initio calculations"
   International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024), Session 16A: Quantum Centers & Characterization, Oct. 3,
   (Raleigh, USA, Sep.29-Oct.4, 2024).
9. K. Onishi, T. Nakanuma, H. Toyama, K. Tahara, K. Kutsuki, H. Watanabe, and T. Kobayashi,
   "Suppression of luminescent spots at SiO_2/SiC interfaces by thermal oxidation at low oxygen partial pressure"
   International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024), Session 14: Posters 3, Oct. 2,
   (Raleigh, USA, Sep.29-Oct.4, 2024).
10. S. Kamihata, H. Fujimoto, T. Kobayashi, and H. Watanabe,
    "Impacts of thermal oxidation and forming gas annealing on surface morphology of SiC(0001)"
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024), Session 10: Posters 2, Oct. 1,
    (Raleigh, USA, Sep.29-Oct.4, 2024).
11. S. Horiuchi, H. Fukunaga, B. Shimabukuro, H. Yano, M. Sometani, H. Hirai, H. Watanabe and T. Umeda,
    "Spin-dependent-charge-pumping spectroscopy on p-channel 4H-SiC MOSFETs,"
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024), Session 10: Posters 2, Oct. 1,
    (Raleigh, USA, Sep.29-Oct.4, 2024).
12. B. Shimabukuro, S. Horiuchi, H. Zeng, M. Sometani, H. Hirai, H. Watanabe, Y. Nishiya, Y. Matsushita and T. Umeda,
    "Carbon-related interface defects in p-channel 4H-SiC MOSFETs,"
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024), Session 11A: Characterization II, Oct. 2,
    (Raleigh, USA, Sep.29-Oct.4, 2024).
13. H. Watanabe, T. Kobayashi,
    "Comprehensive Research on Nitrided SiO2/4H-SiC Interfaces"(Invited),
    2024 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2024), D-5-01, Sep. 4,
    (Hyogo, Japan, Sep. 1-4, 2024).

国内学会 / Domestic Conferences

1. 原 征大, 小林 拓真, 溝端 秀聡, 野崎 幹人, 渡部 平司,
   "低温PECVDにより作製したSiO2/p型GaN MOS構造における正孔トラップの評価",
   先進パワー半導体分科会第11回講演会, IIB-24, Nov.26,
   (Gメッセ群馬, November 25-26, 2024)
2. 藤本 博貴，小林 拓真，渡部 平司,
   "表面界面反応制御に基づく高品質SiC MOS界面の形成"(依頼講演),
   先進パワー半導体分科会第11回講演会, VII-1, Nov.26,
   (Gメッセ群馬, November 25-26, 2024)
3. 神畠 真治, 小林 拓真, 渡部 平司,
   "熱酸化及び水素エッチングによるSiC(0001)表面構造の変化",
   先進パワー半導体分科会第11回講演会, IA-7, Nov.25,
   (Gメッセ群馬, November 25-26, 2024)
4. 阪上 優一, 小林 拓真, 冨ケ原 一樹, 野崎 幹人, 渡部 平司,
   "熱処理に対する高Mg濃度p型GaN MOS構造の安定性評価",
   先進パワー半導体分科会第11回講演会, IB-19, Nov.25,
   (Gメッセ群馬, November 25-26, 2024)
5. 陳 強, 小林 拓真, 平井 悠久, 染谷 満, 岡本 光央, 渡部 平司,
   "超高温酸化プロセスによるSiC MOSFETの高温高電界ストレス耐性の向上",
   先進パワー半導体分科会第11回講演会, IA-12, Nov.25,
   (Gメッセ群馬, November 25-26, 2024)
6. 八軒 慶慈, 小林 拓真, 平井 悠久, 染谷 満, 岡本 光央, 渡部 平司,
   "高温ゲートストレス印加による SiC MOSFET のチャネル移動度劣化機構",
   先進パワー半導体分科会第11回講演会, IA-13, Nov.25,
   (Gメッセ群馬, November 25-26, 2024)
7. "前田 兼成, 小林 拓真, 原 征大, 野崎 幹人, 渡部 平司,
   "酸素および窒素熱処理によるSiO2/β-Ga2O3 MOS構造の高品質化",
   先進パワー半導体分科会第11回講演会, IA-24, Nov.25,
   (Gメッセ群馬, November 25-26, 2024)
8. 原 征大, 冨ケ原 一樹, 野崎 幹人, 小林 拓真, 渡部 平司,
   "SiO2堆積後熱処理によるp型GaN MOS界面正孔トラップ生成",
   2024年 第85回応用物理学会秋季学術講演会, 19a-C41-7, Sep.19,
   (朱鷺メッセほか2会場＋オンライン, September 16-20, 2024)
9. 原 征大, 小林 拓真, 溝端 秀聡, 野崎 幹人, 渡部 平司,
   "PECVD-SiO2の成膜温度がp型GaN MOS界面正孔トラップに与える影響",
   2024年 第85回応用物理学会秋季学術講演会, 19a-C41-8, Sep.19,
   (朱鷺メッセほか2会場＋オンライン, September 16-20, 2024)
10. 中沼 貴澄, 田原 康佐, 遠山 晴子, 朽木 克博, 渡部 平司, 小林 拓真,
    "SiO2/SiC界面発光中心の密度に対する熱処理雰囲気及び時間の影響",
    2024年 第85回応用物理学会秋季学術講演会, 19p-C41-11, Sep.19,
    (朱鷺メッセほか2会場＋オンライン, September 16-20, 2024)
11. 藤本 博貴, 小林 拓真, 渡部 平司,
    "SiC 表面のプラズマ窒化と絶縁膜堆積により形成した SiO2/SiC 構造に対する後熱処理の効果",
    2024年 第85回応用物理学会秋季学術講演会, 19p-C41-20, Sep.19,
    (朱鷺メッセほか2会場＋オンライン, September 16-20, 2024)
12. 岩本 蒼典, 渡部 平司, 小林 拓真,
    "第一原理計算を用いた4H-SiC中不純物-空孔ペアに関する包括的調査",
    2024年 第85回応用物理学会秋季学術講演会, 19p-C41-12, Sep.19,
    (朱鷺メッセほか2会場＋オンライン, September 16-20, 2024)
13. 岩本 隼登, 小林 拓真, 平井 悠久, 染谷 満, 岡本 光央, 渡部 平司,
    "NO窒化SiC(0-33-8) MOS構造の界面特性及び信頼性評価",
    2024年 第85回応用物理学会秋季学術講演会, 19p-C41-19, Sep.19,
    (朱鷺メッセほか2会場＋オンライン, September 16-20, 2024)
14. 大西 健太郎, 中沼 貴澄, 遠山 晴子, 田原 康佐, 朽木 克博, 渡部 平司, 小林 拓真,
    "SiO2/SiC界面発光中心の発光強度の酸化温度・酸素分圧依存性",
    2024年 第85回応用物理学会秋季学術講演会, 19p-C41-10, Sep.19,
    (朱鷺メッセほか2会場＋オンライン, September 16-20, 2024)
15. 神畠 真治, 小林 拓真, 渡部 平司,
    "SiC(0001)表面モフォロジーに対する酸化及び水素エッチングの影響",
    2024年 第85回応用物理学会秋季学術講演会, 19p-C41-8, Sep.19,
    (朱鷺メッセほか2会場＋オンライン, September 16-20, 2024)
16. 石丸 賢昇, 田中 信敬, 國吉 望月, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司,
    "ナノチャネルスパッタエピタキシーによる歪み緩和GeSn薄膜成長",
    2024年 第85回応用物理学会秋季学術講演会, 19a-B5-5, Sep.19,
    (朱鷺メッセほか2会場＋オンライン, September 16-20, 2024)
17. 阪上 優一, 小林 拓真, 冨ケ原 一樹, 野﨑 幹人, 渡部 平司,
    "正孔捕獲を抑制した高Mg濃度p型GaN MOS構造の熱安定性",
    2024年 第85回応用物理学会秋季学術講演会, 19a-C41-6, Sep.19,
    (朱鷺メッセほか2会場＋オンライン, September 16-20, 2024)
18. 陳 強, 小林 拓真, 平井 悠久, 染谷 満, 岡本 光央, 渡部 平司,
    "高温酸化プロセスによるSiC MOSFETのゲートストレス耐性向上",
    2024年 第85回応用物理学会秋季学術講演会, 19p-C41-24, Sep.19,
    (朱鷺メッセほか2会場＋オンライン, September 16-20, 2024)
19. 八軒 慶慈, 小林 拓真, 平井 悠久, 染谷 満, 岡本 光央, 渡部 平司,
    "負電圧ゲートストレス印加によるSiC MOSFETのチャネル移動度劣化",
    2024年 第85回応用物理学会秋季学術講演会, 19p-C41-23, Sep.19,
    (朱鷺メッセほか2会場＋オンライン, September 16-20, 2024)
20. 兼子 悠, 中沼 貴澄, 遠山 晴子, 田原 康佐, 朽木 克博, 渡部 平司, 小林 拓真,
    "広温度範囲に亘るSiO2/SiC界面発光中心の形成過程の調査",
    2024年 第85回応用物理学会秋季学術講演会, 19p-C41-9, Sep.19,
    (朱鷺メッセほか2会場＋オンライン, September 16-20, 2024)
21. 島袋 聞多, 堀内 颯介, 曽 弘字, 染谷 満, 平井 悠久, 渡部 平司, 西谷 侑将, 松下 雄一郎, 梅田 享英,
    "p チャネル 4H-SiC MOSFET の界面欠陥の電流検出 ESR 分光",
    2024年 第85回応用物理学会秋季学術講演会, 18a-P06-18, Sep.18,
    (朱鷺メッセほか2会場＋オンライン, September 16-20, 2024)
22. 堀内 颯介, 福永 博生, 島袋 聞多, 矢野 裕司, 染谷 満, 平井 悠久, 渡部 平司, 梅田 享英,
    "Pチャネル4H-SiC MOSFETsでのスピン依存チャージポンピング分光",
    2024年 第85回応用物理学会秋季学術講演会, 18a-P06-19, Sep.18,
    (朱鷺メッセほか2会場＋オンライン, September 16-20, 2024)
23. 原 征大, 北脇 武晃, 桑原 功太朗, 田中 一, 金子 光顕, 木本 恒暢,
    "金属/高濃度ドープSiC非合金化界面トンネル現象の理解に基づく低抵抗オーミック接合形成"(招待講演),
    応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会 第251回研究集会, 3, Jul.11,
    (金沢工業大学大学院　虎ノ門キャンパス, July 11, 2024)
24. 岩本 蒼典, 志村 考功, 渡部 平司, 小林 拓真,
    "第一原理計算に基づく4H-SiC中酸素関連欠陥の系統的調査",
    2024年 第71回応用物理学会春季学術講演会, 23p-52A-16, Mar.23,
    (東京都市大学 世田谷キャンパス＋オンライン, March 22-25, 2024)
25. 大西 健太郎, 中沼 貴澄, 田原 康佐, 朽木 克博, 志村 考功, 渡部 平司, 小林 拓真,
    "低温追酸化によるSiO2/SiC界面発光中心の密度制御と電気特性との相関",
    2024年 第71回応用物理学会春季学術講演会, 23p-52A-17, Mar.23,
    (東京都市大学 世田谷キャンパス＋オンライン, March 22-25, 2024)
26. 早川 雄大, 近藤 優聖, 國吉 望月, 小林 拓真, 志村 孝功, 渡部 平司,
    "Si基板上GeSn細線のレーザー溶融結晶化における下地SiO2膜厚とレーザー走査速度の最適化",
    2024年 第71回応用物理学会春季学術講演会, 23p-22A-3, Mar.23,
    (東京都市大学 世田谷キャンパス＋オンライン, March 22-25, 2024)
27. 八軒 慶慈, 藤本 博貴, 小林 拓真, 平井 悠久, 染谷 満, 岡本 光央, 志村 考功, 渡部 平司,
    "犠牲酸化プロセスによる SiC MOSFET の電気特性劣化",
    2024年 第71回応用物理学会春季学術講演会, 23p-52A-10, Mar.23,
    (東京都市大学 世田谷キャンパス＋オンライン, March 22-25, 2024)
28. 早川 雄大, 近藤 優聖, 國吉 望月, 小林 拓真, 志村 志功, 渡部 平司,
    "Si 基板上 GeSn 細線のレーザー溶融結晶化におけるレーザー走査条件と下地 SiO₂ 膜厚の最適化 ",
    電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－（第29回研究会）,
    (東レ総合研修センター, 三島市, pp. 62 - 67, February 2, 2024)

受賞 / Awards

1. 令和6年度 大阪大学賞 若手教員部門
   小林　拓真
   November 27, 2024
2. 応用物理学会　先進パワー半導体分科会　研究奨励賞
   八軒　慶慈
   "高温ゲートストレス印加による SiC MOSFET のチャネル移動度劣化機構,"
   November 26, 2024
3. IWN2024 Best Poster Award Third Place
   溝端　秀聡
   "Reduction of hole traps in SiO2/GaN MOS structures by properly designing the oxide interlayer"
   November 4, 2024
4. インタラクティブ物質科学・カデットプログラム　2024年度独創的教育研究活動賞
   大西　健太郎
   July 8, 2024