ACHIEVEMENTS

2022年

学術論文 / Journal Papers

  1. H. Fujimoto, T. Kobayashi, M. Sometani, M. Okamoto, T. Shimura and H. Watanabe,
    "Degradation of NO-nitrided SiC MOS interfaces by excimer ultraviolet light irradiation",
    Applied Physics Express, 15, (10), pp 104004-1~4 (2022).
  2. H. Mizobata, K. Tomigahara, M. Nozaki, T. Kobayashi, A. Yoshigoe, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe,
    "Electrical properties and energy band alignment of SiO2/GaN metal-oxide-semiconductor structures fabricated on N-polar GaN(0001)substrates",
    Applied Physics Letters, 121, (6), pp 062104-1~6 (2022).
  3. T. Hosoi, M. Ohsako, K. Moges, K. Ito, T. Kimoto, M. Sometani, M. Okamoto, A. Yoshigoe, T. Shimura and H. Watanabe,
    "Impact of post-nitridation annealing in CO2 ambient on threshold voltage stability in 4H-SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistors",
    Applied Physics Express, 15, (6), pp 061003-1~5 (2022).
  4. N. H. Ngo, T. G. Etoh, K. Shimonomura, T. Ando, Y. Matsunaga, T. Shimura, H. Watanabe, H. Mutoh, Y. Kamakura and E. Charbon
    "Toward Super Temporal Resolution by Suppression of Mixing Effects of Electrons",
    IEEE Transactions on Electron Devices, 69, (6), pp 2879~2885 (2022).
  5. T. Nakanuma, T. Kobayashi, T. Hosoi, M. Sometani, M. Okamoto, A. Yoshigoe, T. Shimura and H. Watanabe,
    "Impact of nitridation on the reliability of 4H-SiC(1120) MOS devices",
    Applied Physics Express, 15, (4), pp 041002-1~4 (2022).
  6. T. Nakanuma, Y. Iwakata, A. Watanabe, T. Hosoi, T. Kobayashi, M. Sometani, M. Okamoto, A. Yoshigoe, T. Shimura and H. Watanabe,
    "Comprehensive physical and electrical characterizations of NO nitrided SiO2/4H-SiC(1120) interfaces",
    Japanese Journal of Applied Physics, 61, (SC), pp SC1065-1~8 (2022).
  7. Y. Wada, H. Mizobata, M. Nozaki, T. Kobayashi, T. Hosoi, T. Kachi, T. Shimura and H. Watanabe,
    "Insight into interface electrical properties of metal–oxide–semiconductor structures fabricated on Mg-implanted GaN activated by ultra-high-pressure annealing",
    Applied Physics Letters, 120, (8), pp 082103-1~6 (2022).
  8. H. Mizobata, M. Nozaki, T. Kobayashi, T. Hosoi, T. Shimura and H. Watanabe,
    "Fixed-charge generation in SiO2/GaN MOS structures by forming gas annealing and its suppression by controlling Ga-oxide interlayer growth",
    Japanese Journal of Applied Physics, 61, (SC), pp SC1034-1~6 (2022).

国際学会 / International Conferences

  1. T. Shimura, H. Oka, T. Hosoi, Y. Imai, S. Kimura, and H. Watanabe,
    "Fabrication of Tensile-strained Single-crystalline GeSn Wires on Amorphous Quartz Substrates by Local Liquid-phase Crystallization",
    The 8th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials, P-13 (Nov. 7-9, 2022, Okayama, Japan).
  2. T. Kobayashi, B. Mikake, H. Mizobata, M. Nozaki, T. Shimura, H. Watanabe,
    "Control of oxidation and reduction reactions at SiO2/GaN interfaces towards high performance and reliability GaN MOSFETs"
    International Workshop on Nitride Semiconductors 2022 (IWN 2022) AT 158, Oct.12,(Berlin, Germany, Oct.9-14, 2022)
  3. K. Onishi, T. Kobayashi, H. Mizobata, M. Nozaki, A. Yoshigoe, T. Shimura, H. Watanabe,
    "Fabrication of stable and low leakage SiO2/GaN MOS devices by sputter deposition of SiO2 combined with post annealing processes"
    International Workshop on Nitride Semiconductors 2022 (IWN 2022) PP 252, Oct.11,(Berlin, Germany, Oct.9-14, 2022)
  4. T. Kobayashi, K. Tomigahara, H. Mizobata, M. Nozaki, T. Shimura, H. Watanabe,
    "Evaluation of hole trap density at SiO2/GaN MOS interfaces through capacitance-voltage measurements under ultraviolet light illumination"
    International Workshop on Nitride Semiconductors 2022 (IWN 2022) PP 035, Oct.10,(Berlin, Germany, Oct.9-14, 2022)
  5. T. Shimura, R. Yamaguchi, N. Tabuchi, M. Kondo, M. Kuniyoshi, T. Hosoi, T. Kobayashi, H. Watanabe,
    "Controllability of Luminescence Wavelength from GeSn Wires Fabricated by Laser Zone Melting on Quartz Substrates"
    2022 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM 2022), A-2-04, Sep.27,(Chiba, Sep.26-29, 2022)
  6. A. Suzuki, T. Nakanuma, T. Kobayashi, M. Sometani, M. Okamoto, A. Yoshigoe, T. Shimura, H. Watanabe,
    "Analysis of leakage current mechanisms in NO-nitrided SiC(1-100) MOS devices"
    2022 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM 2022), J-6-05, Sep.28,(Chiba, Sep.26-29, 2022)
  7. K. Onishi, T. Kobayashi, H. Mizobata, M. Nozaki, A. Yoshigoe, T. Shimura, H. Watanabe,
    "Suppression of GaOx interlayer growth towards stable SiO2/GaN MOS devices"
    2022 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM 2022), J-6-02, Sep.28,(Chiba, Sep.26-29, 2022)
  8. S. Ogawa, H. Mizobata, T. Kobayashi, T. Shimura, H. Watanabe,
    "Characterization of Trap States of SiO2/GaN Interface and SiO2 Layer by Deep Level Transient Spectroscopy"
    2022 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM 2022), J-6-03, Sep.28,(Chiba, Sep.26-29, 2022)
  9. S. Hattori, A. Oshiyama, S. Miyazaki, H. Watanabe, K. Ueno, R. Tanaka, T. Kondo, S. Takashima, M. Edo, K. Shiraishi,
    "Theoretical Study of the Influence of GaOx Layer on the SiO2/GaN Interface"
    2022 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM 2022), J-6-09 (Late News), Sep.28,
    (Chiba, Sep.26-29, 2022)
  10. H. Watanabe, T. Kobayashi, T. Hosoi, T. Shimura,
    "Recent progress and challenges in SiC and GaN MOS devices: understanding of physics and chemistry near the MOS interface"(Invited)
    19th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2022), Tu-2-A.1, Sep.13,
    (Davos, Switzerland, Sep.11-16, 2022)
  11. T. Hosoi, M. Ohsako, K. Moges, K. Ito, T. Kimoto, M. Sometani, M. Okamoto, A. Yoshigoe, T. Shimura, H. Watanabe,
    "CO2 post-nitridation annealing for improving immunity to change trapping in SiC MOS devices"
    19th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2022), Tu-2-A.3, Sep.13,
    (Davos, Switzerland, Sep.11-16, 2022)
  12. T. Kobayashi, T. Nakanuma, A. Suzuki, M. Sometani, M. Okamoto, A.Yoshigoe, T. Shimura, H. Watanabe,
    "Nitridation-induced degradation of SiC(1-100) MOS devices"
    19th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2022), Tu-2-A.4, Sep.13,
    (Davos, Switzerland, Sep.11-16, 2022)
  13. M. Kuniyoshi, K. Moges, T. Kobayashi, T. Hosoi, T. Shimura, K. Tachiki, T. Kimoto, H. Watanabe,
    "Improved Performance of SiC CMOS Ring Oscillators By Post-nitridation Treatment in CO2"
    19th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2022), We-P-B.13, Sep.14,
    (Davos, Switzerland, Sep.11-16, 2022)
  14. T. Nakanuma, T. Kobayashi, K. Tahara, T. Kimura, K. Kutsuki, T. Shimura, H. Watanabe,
    "Impact of Oxidation and Post Annealing on the Density and Optical Properties of Color Centers at SiO2/SiC Interfaces"
    19th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2022), We-2-A.4, Sep.14,
    (Davos, Switzerland, Sep.11-16, 2022)
  15. H. Fujimoto, T. Kobayashi, M. Sometani, M. Okamoto, T. Shimura, H. Watanabe,
    "Degradation of NO-Nitrided SiC MOS Devices Due to Excimer Ultraviolet Light Illumination"
    19th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2022), We-4-A.3, Sep.14,
    (Davos, Switzerland, Sep.11-16, 2022)
  16. M. Schober, N. Jungwirth, T. Kobayashi, J. Lehmeyer, M. Krieger, H. Weber, M. Bockstedte,
    "The optical properties of the carbon di-vacancy-antisite complex in the light of the TS photo-luminescence center"
    19th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2022), Mo-4-A.4, Sep.12,
    (Davos, Switzerland, Sep.11-16, 2022)
  17. T. Kobayashi, T. Nakanuma, A. Suzuki, M. Sometani, M. Okamoto, A. Yoshigoe, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe,
    "Reliability Issues in Nitrided SiC MOS Devices" (Invited),
    9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IX), WA2-1, Sep.7,
    (Nagoya, Japan, Sept.5-8, 2022)
  18. H. Watanabe, H. Mizobata, M. Nozaki, T. Kobayashi, T. Hosoi, T. Shimura,
    "Interface science and engineering for GaN-based MOS devices" (Invited),
    14th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics(TWHM 2022), 2-1, Aug.30,
    (Hiroshima, Japan, Aug.29- Sept.1, 2022)
  19. T. Shimura, S. Tanaka, H. Watanabe, T. Hosoi,
    "Fabrication and Luminescence Characterization of Uniaxial Tensile-strained Ge Wires using Internal Stress in Metal Thin Films",
    The 19th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP19), TuP-3, Aug. 30,
    (Virtual Conference, August 29 - September 1, 2022)
  20. T. Shimura,
    "Approach to achieving super temporal resolution image sensors beyond 20 picosecond" (plenary),
    2022 IEEE International Conference on Imaging Systems and Techniques (IST 2022), Jun.21,
    (Virtual Conference, June 21-23, 2022)
  21. M. Sometani, K. Oozono, S. Ji, T. Morimoto, T. Kato, K. Kojima, S. Harada,
    "Comparative Study of Performance of SiC SJMOSFETs Formed by Multi-epitaxial Growth and Trench-filling Epitaxial Growth",
    IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (IEEE ISPSD 2022), May.25,
    (Hybrid Conference, Vancouver, Canada and Online, May 22-25, 2022)
  22. Y. Terao, T. Hosoi, S. Takashima, T. Kobayashi, T. Shimura, H. Watanabe,
    "Characterization of Electron Traps in Gate Oxide of SiC MOS Capacitors",
    IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS 2022), P66, Mar.30,
    (Hybrid Conference, Dallas, U.S.A. and Online, March 27-31, 2022)
  23. T. Nakanuma, A. Suzuki, Y. Iwakata, T. Kobayashi, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe,
    "Investigation of reliability of NO nitrided SiC(1-100) MOS devices",
    IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS 2022), 3B.2, Mar.29,
    (Hybrid Conference, Dallas, U.S.A. and Online, March 27-31, 2022)
  24. H. Watanabe,
    "Gate stack technology for advanced wide bandgap power electronics" (plenary),
    The 3rd International Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity (IWSingularity 2022) /The 2nd International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation (ISWGPDs 2022), F-P1, Jan.11,
    (Hybrid Conference, Nagoya, Japan and Online, January 11-13, 2022)

国内学会 / Domestic Conferences

  1. 中沼 貴澄, 田原 康佐, 木村 大至, 朽木 克博, 志村 考功, 渡部 平司, 小林 拓真,
    "酸化および熱処理プロセスによる SiO2/SiC 界面発光中心の制御",
    先進パワー半導体分科会　第9回講演会,IA-7, Dec.20,
    （福岡国際会議場, Dec.19-21, 2022）
  2. 藤本 博貴, 小林 拓真, 染谷 満, 岡本 光央, 志村 考功, 渡部 平司,
    "NO 窒化 SiO2/SiC(11-20) 界面へのエキシマ紫外光照射の影響",
    先進パワー半導体分科会　第9回講演会,IA-6, Dec.20,
    （福岡国際会議場, Dec.19-21, 2022）
  3. 鈴木 亜沙人, 中沼 貴澄, 小林 拓真, 染谷 満, 岡本 光央, 吉越 章隆, 志村 考功, 渡部 平司,
    "NO 窒化 SiC(1-100) MOS デバイスのリーク伝導機構",
    先進パワー半導体分科会　第9回講演会,IA-5, Dec.20,
    （福岡国際会議場, Dec.19-21, 2022）
  4. 大西 健太郎, 小林 拓真, 溝端 秀聡, 野﨑 幹人, 吉越 章隆, 志村 考功, 渡部 平司,
    "酸素及び水素熱処理によるスパッタ成膜 SiO2/GaN MOS 構造の界面特性及び絶縁性向上",
    先進パワー半導体分科会　第9回講演会,IA-3, Dec.20,
    （福岡国際会議場, Dec.19-21, 2022）
  5. 志村 考功, 梶原 堅太郎, 辻 成希, 小林 拓真, 渡部 平司,
    "高角散乱X線を用いたライトシート3Dイメージング",
    2022年 第83回応用物理学会秋季学術講演会, 21p-C206-11, Sep.21,
    (東北大学 川内北キャンパス＋オンライン, Sep.20-23, 2022)
  6. 中沼 貴澄, 小林 拓真, 染谷 満, 岡本 光央, 吉越 章隆, 志村 考功, 渡部 平司,
    "NO窒化を施した非基底面上SiO2/SiC構造のバンドアライメント評価",
    2022年 第83回応用物理学会秋季学術講演会, 21a-M206-10, Sep.21,
    (東北大学 川内北キャンパス＋オンライン, Sep.20-23, 2022)
  7. 藤本 博貴, 小林 拓真, 染谷 満, 岡本 光央, 志村 孝功, 渡部 平司,
    "紫外光照射によるNO窒化4H-SiC(11-20) MOSデバイスの電気特性劣化",
    2022年 第83回応用物理学会秋季学術講演会, 21a-M206-11, Sep.21,
    (東北大学 川内北キャンパス＋オンライン, Sep.20-23, 2022)
  8. 鈴木 亜沙人, 小林 拓真, 染谷 満, 岡本 光央, 志村 考功, 渡部 平司,
    "NO窒化処理を施したSiC(1-100) MOSデバイスのリーク電流特性",
    2022年 第83回応用物理学会秋季学術講演会, 21a-M206-9, Sep.21,
    (東北大学 川内北キャンパス＋オンライン, Sep.20-23, 2022)
  9. 田中 信敬, 安部 和弥, 星原 雅生, 國吉 望月, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司,
    "Ge(100)基板上にスパッタ成膜したエピタキシャルGeSn層の評価",
    2022年 第83回応用物理学会秋季学術講演会, 21a-A106-9, Sep.21,
    (東北大学 川内北キャンパス＋オンライン, Sep.20-23, 2022)
  10. 大西 健太郎, 小林 拓真, 溝端 秀聡, 野﨑 幹人, 吉越 章隆, 志村 考功, 渡部 平司,
    "スパッタSiO2成膜によるSiO2/GaN MOS界面のGaOx層抑制",
    2022年 第83回応用物理学会秋季学術講演会, 22p-B204-1, Sep.22,
    (東北大学 川内北キャンパス＋オンライン, Sep.20-23, 2022)
  11. 大西 健太郎, 小林 拓真, 溝端 秀聡, 野﨑 幹人, 吉越 章隆, 志村 考功, 渡部 平司,
    "スパッタ成膜 SiO2/GaN 構造における Ga 拡散抑制効果",
    2022年 第83回応用物理学会秋季学術講演会, 22p-B204-2, Sep.22,
    (東北大学 川内北キャンパス＋オンライン, Sep.20-23, 2022)
  12. 國吉 望月, 安部 和弥, 田中 信敬, 星原 雅生,小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司,
    "スパッタ成膜法によるGe(100)基板上のGeSnエピタキシャル成長",
    2022年 第83回応用物理学会秋季学術講演会, 21a-A106-8, Sep.21,
    (東北大学 川内北キャンパス＋オンライン, Sep.20-23, 2022)
  13. 國吉 望月, Kidist Moges, 小林 拓真, 細井 卓治, 志村 考功, 立木 馨大, 木本 恒暢, 渡部 平司,
    "窒化後CO2熱処理による4H-SiC(0001) CMOSデバイスの性能向上",
    2022年 第83回応用物理学会秋季学術講演会, 21a-M206-4, Sep.21,
    (東北大学 川内北キャンパス＋オンライン, Sep.20-23, 2022)
  14. 服部 柊人, 押山 淳, 白石 賢二, 宮崎 誠一, 渡部 平司, 上野 勝典, 田中 亮, 近藤 剣, 高島 信也, 江戸 雅晴,
    "第一原理計算によるSiO2/GaN界面の中間層の研究",
    2022年 第83回応用物理学会秋季学術講演会, 22p-B204-3, Sep.22,
    (東北大学 川内北キャンパス＋オンライン, Sep.20-23, 2022)
  15. 志村 考功, ゴ グエン ホアイ, 渡部 平司, 下ノ村 和弘, 武藤 秀樹, 江藤 剛治,
    "電子の水平運動が卓越するブランチングイメージセンサ",
    映像情報メディア学会　情報センシング研究会（IST）, pp. 9-12, Jun.29,
    (オンライン開催, June 29, 2022)
  16. 渡部 平司, 木本 恒暢,
    "SiCパワーデバイス開発における欠陥制御の重要性"(招待講演),
    2022年 第69回応用物理学会春季学術講演会, 22p-E302-3, Mar.22,
    (ハイブリッド開催, March 22-26, 2022)
  17. 小林 拓真, 奥田 貴史, 立木 馨大, 伊藤 滉二, 松下 雄一郎, 木本 恒暢,
    "SiC熱酸化抑制プロセスによる高品質SiC/SiO2界面の形成"(招待講演),
    2022年 第69回応用物理学会春季学術講演会, 24p-E302-3, Mar.24,
    (ハイブリッド開催, March 22-26, 2022)
  18. 溝端 秀聡, 和田 悠平, 野﨑 幹人, 小林 拓真, 細井 卓治, 加地 徹, 志村 考功, 渡部 平司,
    "超高圧活性化熱処理を施したMgイオン注入p-GaN MOSデバイスの電気特性に対する基板極性およびアクセプタ濃度の影響",
    2022年 第69回応用物理学会春季学術講演会, 24a-E302-10, Mar.24,
    (ハイブリッド開催, March 22-26, 2022)
  19. 冨ヶ原 一樹, 中沼 貴澄, 溝端 秀聡, 野﨑 幹人, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司,
    "紫外光照射によるGaN MOS構造における正孔トラップの評価",
    2022年 第69回応用物理学会春季学術講演会, 24a-E302-11, Mar.24,
    (ハイブリッド開催, March 22-26, 2022)
  20. 藤本 博貴, 小林 拓真, 染谷 満, 岡本 光央, 細井 卓治, 志村 孝功, 渡部 平司,
    "NO窒化SiC MOSデバイスへのエキシマ紫外光照射の影響",
    2022年 第69回応用物理学会春季学術講演会, 24p-E302-6, Mar.24,
    (ハイブリッド開催, March 22-26, 2022)
  21. 見掛 文一郎, 溝端 秀聡, 野﨑 幹人, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司,
    "酸化・還元反応制御に基づく高品質SiO2/GaN MOS構造の形成",
    2022年 第69回応用物理学会春季学術講演会, 24a-E302-7, Mar.24,
    (ハイブリッド開催, March 22-26, 2022)
  22. 大西 健太郎, 見掛 文一郎, 冨ヶ原 一樹, 溝端 秀聡, 野崎 幹人, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司,
    "スパッタSiO2成膜よる安定なGaN MOS構造の形成",
    2022年 第69回応用物理学会春季学術講演会, 24a-E302-6, Mar.24,
    (ハイブリッド開催, March 22-26, 2022)
  23. 小川 慎吾, 溝端 秀聡, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司,
    "DLTSによるSiO2/GaN界面およびSiO2膜中トラップ準位の評価",
    2022年 第69回応用物理学会春季学術講演会, 24a-E302-9, Mar.24,
    (ハイブリッド開催, March 22-26, 2022)
  24. 中沼 貴澄, 小林 拓真 ,染谷 満, 岡本 光央, 吉越 章隆, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司,
    "NO窒化処理を施した非基底面SiC MOSデバイスの信頼性"(招待講演),
    （一社）電気学会 電子デバイス研究会, EDD-22-020, Mar.9,
    (オンライン開催, March 9, 2022)
  25. 江藤 剛治，志村 考功，下ノ村 和弘，渡部 平司,
    "高速イメージセンサの現状と展望 －ピコ秒を目指して－"(招待講演),
    （独）日本学術振興会「結晶加工と評価技術」第145委員会 第174回研究会, Jan.31,
    (オンライン開催, January 31, 2022)
  26. 溝端 秀聡, 和田 悠平, 野﨑 幹人, 細井 卓治, 成田 哲生, 加地 徹, 志村 考功, 渡部 平司,
    "AlGaNキャップ層によるMgドープp-GaNの活性化抑制と水素脱離過程の制御による特性改善",
    電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－（第27回研究会）, pp. 173 - 176, Jan.28,
    (オンライン開催, January 28-29, 2022).
  27. 田淵 直人, 山口 凌雅, 近藤 雅斗, 國吉 望月, 細井 卓治, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司
    "光吸収層を有する石英基板上GeSn細線のレーザー溶融結晶化",
    電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－（第27回研究会）, pp. 17 - 22, Jan.28,
    (オンライン開催, January 28-29, 2022).
  28. 中沼 貴澄, 岩片 悠, 小林 拓真, 染谷 満, 岡本 光央, 吉越 章隆, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司
    "NO窒化処理を施した4H-SiC(11-20) MOSデバイスの絶縁性および閾値安定性の評価",
    電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－（第27回研究会）, pp. 75 - 80, Jan.29,
    (オンライン開催, January 28-29, 2022).
  29. 志村 考功, 細井 卓治, 小林 拓真, 渡部 平司,
    "局所液相成長法によって作製した単結晶GeSn細線の受光・発光特性"(招待講演),
    レーザー学会学術講演会第42回年次大会, S10-13p-VI-02, Jan.13,
    (オンライン開催, January 12-14, 2022)

受賞 / Awards

  1. 応用物理学会　先進パワー半導体分科会　研究奨励賞
     中沼　貴澄
    "酸化および熱処理プロセスによる SiO2/SiC 界面発光中心の制御,"
    December 21, 2022
  2. IWN 2022　Best Student Poster Presentation Award
     大西 健太郎
    "Fabrication of stable and low leakage SiO2/GaN MOS devices by sputter deposition of SiO2 combined with post annealing processes,"
    October 11, 2022
  3. 第16回（2022年度） 応用物理学会フェロー表彰
     渡部　平司
    "半導体表面界面科学を基軸とした先端MOSデバイスの研究開発,"
    July 1, 2022
  4. 第27回電子デバイス界面テクノロジー研究会　研究会活性化奨励賞
     中沼　貴澄
    January 29, 2022

WATANABE LABORATORY

Department of Precision Engineering
Graduate School of Engineering
The University of Osaka