2020年4月からの専攻再編に伴い、当研究室は
物理学系専攻 精密工学コース 先進デバイス工学領域 となりました。

人類は、資源・エネルギー、食料と人口、気候変動・自然災害、都市化と貧困などの地球規模の課題に直面しています。それらを乗り越えて持続可能な社会を築くためには、人と人の絆、そして人と自然との共生を大切し、問題解決に希望をつなぐテクノロジーの発展が求められています。
サステナブル社会の実現と価値ある未来のために、私たちは材料そのものの設計から、異種材料の組み合わせや新構造の採用によって、革新的な機能を発現するデバイスの創製を目指し、幅広い見地から次世代のグリーンナノエレクトロニクスを支える研究開発を進めています。

News & Topics

2022年11月10日 お知らせ11月7日~9日に開催されましたThe 8th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materialsにて、志村准教授が下記の講演を行いました。
"Fabrication of Tensile-strained Single-crystalline GeSn Wires on Amorphous Quartz Substrates by Local Liquid-phase Crystallization"
2022年10月24日 お知らせ志村准教授が執筆された解説がレーザー学会誌「レーザー研究」のVol.50, No.10(Oct.2022)に掲載されました。
・局所液相成長法によって作製した単結晶GeSn細線の受光・発光特性
2022年10月17日 お知らせ 大西健太郎さん(学部4年生)がドイツ・ベルリンにおいて開催された窒化物半導体分野で最大級の国際会議IWN2022において「Best Student Poster Presentation Award」を受賞しました。 大西さんは学部3年生から当研究室にて窒化ガリウムMOSデバイスの研究に取り組み、学部4年生という極めて早期の段階で国際会議にて成果発表を行い、本賞を受賞するに至りました。
2022年10月13日 お知らせIWN 2022(10月9~14日開催@ドイツ・ベルリン)に、当研究室より小林助教、大西さん(B4)が参加し、下記3件の講演を行いました。
・小林先生:"Evaluation of hole trap density at SiO2/GaN MOS interfaces through capacitance-voltage measurements under ultraviolet light illumination"
 "Control of oxidation and reduction reactions at SiO2/GaN interfaces towards high performance and reliability GaN MOSFETs"
・大西さん(B4):"Fabrication of stable and low leakage SiO2/GaN MOS devices by sputter deposition of SiO2 combined with post annealing processes"
2022年10月3日 お知らせ藤本さん(M2)の投稿論文がAPEXのVol.15, No.10に掲載されました(9/28付)。
Degradation of NO-nitrided SiC MOS interfaces by excimer ultraviolet light irradiation
2022年9月30日 お知らせ9月26日~29日に開催されましたSSDM 2022にて、当研究室より以下5件の発表を行いました(うち2件共同研究)。
・志村先生:"Controllability of Luminescence Wavelength from GeSn Wires Fabricated by Laser Zone Melting on Quartz Substrates"
・鈴木さん(M1):"Analysis of leakage current mechanisms in NO-nitrided SiC(1-100) MOS devices"
・大西さん(B4):"Suppression of GaOx interlayer growth towards stable SiO2/GaN MOS devices"
・共同研究(東レリサーチセンター 小川さん発表):"Characterization of Trap States of SiO2/GaN Interface and SiO2 Layer by Deep Level Transient Spectroscopy"
・共同研究(名古屋大学 服部さん発表):"Theoretical Study of the Influence of GaOx Layer on the SiO2/GaN Interface"
2022年9月29日 お知らせ9月20日~23日に開催されました第83回応用物理学会秋季学術講演会の初日に、渡部先生のフェロー表彰式がありました。おめでとうございます。(写真は研究室ブログへ) また当研究室より以下10件の発表を行いました(うち1件共同研究)
・志村先生: 高角散乱X線を用いたライトシート3Dイメージング
・中沼さん(M2): NO窒化を施した非基底面上SiO2/SiC構造のバンドアライメント評価
・藤本さん(M2): 紫外光照射によるNO窒化4H-SiC(11-20) MOSデバイスの電気特性劣化
・鈴木さん(M1): NO窒化処理を施したSiC(1-100) MOSデバイスのリーク電流特性
・田中さん(M1): Ge(100)基板上にスパッタ成膜したエピタキシャルGeSn層の評価
・大西さん(B4): スパッタSiO2成膜によるSiO2/GaN MOS界面のGaOx層抑制
 スパッタ成膜 SiO2/GaN 構造における Ga 拡散抑制効果
・國吉さん(共同研究員)(志村・小林先生代理発表): 
 スパッタ成膜法によるGe(100)基板上のGeSnエピタキシャル成長
 窒化後CO2熱処理による4H-SiC(0001) CMOSデバイスの性能向上
・共同研究(名古屋大学 服部さん発表):第一原理計算によるSiO2/GaN界面の中間層の研究
2022年9月20日 お知らせ小林助教の研究提案がJSTの2022年度 戦略的創造研究推進事業(さきがけ)に採択されました。
2022年9月20日 お知らせ9月11日~16日に開催されましたICSCRM 2022(スイス・ダボス)に、当研究室より渡部先生・細井先生・小林先生・國吉さん・藤本さん・中沼さんが参加し、下記6件の講演を行いました。 また小林先生が共著者の発表1件が行われました。
・渡部先生:"Recent progress and challenges in SiC and GaN MOS devices: understanding of physics and chemistry near the MOS interface"(招待講演)
・細井先生(招へい准教授):"CO2 post-nitridation annealing for improving immunity to change trapping in SiC MOS devices"
・小林先生:"Nitridation-induced degradation of SiC(1-100) MOS devices"
・國吉さん(共同研究員):"Improved Performance of SiC CMOS Ring Oscillators By Post-nitridation Treatment in CO2"
・藤本さん(M2):"Degradation of NO-Nitrided SiC MOS Devices Due to Excimer Ultraviolet Light Illumination"
・中沼さん(M2):"Impact of Oxidation and Post Annealing on the Density and Optical Properties of Color Centers at SiO2/SiC Interfaces"
・共同研究(Prof. Michel Bockstedte (JKU Linz)発表:"The optical properties of the carbon di-vacancy-antisite complex in the light of the TS photo-luminescence center"
2022年9月9日 お知らせ9月5日~8日に開催されましたISCSI-IXにて、小林助教が下記の招待講演を行いました。
"Reliability Issues in Nitrided SiC MOS Devices"
2022年9月1日 お知らせ8月29日~9月1日に開催されましたTWHM 2022にて、渡部教授が下記の招待講演を行いました。
"Interface science and engineering for GaN-based MOS devices"
2022年9月1日 お知らせ8月29日~9月1日にオンライン開催されましたDRIP XIXにて、志村准教授が下記の講演を行いました。
"Fabrication and Luminescence Characterization of Uniaxial Tensile-strained Ge Wires using Internal Stress in Metal Thin Films"
2022年8月10日 更新2022年度 研究成果を更新しました。
2022年8月1日 更新研究室メンバーページを更新しました。
2022年7月5日 お知らせ公益社団法人応用物理学会より、渡部教授にフェローの称号が授与されました。おめでとうございます。
"第16回(2022年度) 応用物理学会フェロー表彰者"
2022年6月30日 お知らせ6月29日にオンライン開催されました映像情報メディア学会 情報センシング研究会(IST)にて、志村准教授が下記の発表を行いました。お疲れさまでした。
"電子の水平運動が卓越するブランチングイメージセンサ"
2022年6月22日 お知らせ6月21日~23日にオンライン開催されましたIST 2022にて、志村准教授が下記のプレナリー講演を行いました。お疲れさまでした。
"Approach to achieving super temporal resolution image sensors beyond 20 picosecond"
2022年5月26日 更新2022年度 研究成果を更新しました。
2022年5月25日 更新2022年度 研究成果を更新しました。
2022年5月6日 更新2022年度 研究成果を更新しました。
2022年4月12日 お知らせ4月29日(金)に、大学院進学説明会が開催されます。午前はオンライン、午後は対面にて行われます。4/27(水)16時までにこちらからお申込みください。
なお、研究室見学等は随時対応しております。今回都合が合わない方は個別対応も可能です。是非こちらまでご連絡ください。
2022年4月12日 更新研究室メンバーページを更新しました。
2022年4月1日 更新研究室メンバーページを更新しました。
2022年3月30日 お知らせ3月27日~31日に開催されましたIRPS 2022に寺尾さん(招へい研究員)および中沼さん(M1)が参加し、下記の研究発表を行いました。お疲れさまでした。
・寺尾さん(招へい研究員):Characterization of Electron Traps in Gate Oxide of SiC MOS Capacitors
・中沼さん(M1):Investigation of reliability of NO nitrided SiC(1-100) MOS devices
2022年3月25日 お知らせ3月22日~26日にハイブリッド開催されました第68回応用物理学会春季学術講演会にて、渡部教授、小林助教が受賞記念講演を行い、その他下記の研究発表を行いました。参加された皆様、お疲れさまでした。
・渡部先生:「第43回解説論文賞受賞記念講演」SiCパワーデバイス開発における欠陥制御の重要性
・小林先生:「第43回論文奨励賞受賞記念講演」SiC熱酸化抑制プロセスによる高品質SiC/SiO2界面の形成
・溝端先生:超高圧活性化熱処理を施したMgイオン注入p-GaN MOSデバイスの電気特性に対する基板極性およびアクセプタ濃度の影響
・冨ヶ原さん(M1):紫外光照射によるGaN MOS構造における正孔トラップの評価
・藤本さん(M1):NO窒化SiC MOSデバイスへのエキシマ紫外光照射の影響
・見掛さん(M1):酸化・還元反応制御に基づく高品質SiO2/GaN MOS構造の形成
・大西さん(B3):スパッタSiO2成膜よる安定なGaN MOS構造の形成
・小川さん(東レ/連携研究):DLTSによるSiO2/GaN界面およびSiO2膜中トラップ準位の評価
2022年3月17日 更新2022年度 研究成果を更新しました。
2022年3月9日 お知らせ3月9日にオンライン開催されました電気学会 電子デバイス研究会にて、M1の中沼さんが下記の招待講演を行いました。お疲れさまでした。
"NO窒化処理を施した非基底面SiC MOSデバイスの信頼性"
2022年3月3日 お知らせ3月9日(水)に、大学院進学説明会が開催されます。午前はオンライン、午後は対面にて行われます。3月7日(月)16時までにこちらからお申し込みください。
なお、研究室見学等は随時対応しております。今回都合が合わない方は個別対応も可能です。是非こちらまでご連絡ください。
2022年3月3日 更新2022年度 研究成果を更新しました。
2022年2月24日 更新2022年度 研究成果を更新しました。
2022年2月16日 更新2022年度 研究成果を更新しました。
2022年2月1日 お知らせ1月31日にオンライン開催されました日本学術振興会「結晶加工と評価技術」第145委員会 第174回研究会にて、江藤招へい教授が下記の招待講演を行いました。お疲れさまでした。
"高速イメージセンサの現状と展望 -ピコ秒を目指して-"
2022年1月29日 お知らせ1月28日~29日にオンラインで開催されました第27回電子デバイス界面テクノロジー研究会にて、当研究室より下記の研究発表を行い、中沼さん(M1)が「研究会活性化奨励賞」を受賞しました。おめでとうございます。
・溝端先生:AlGaNキャップ層によるMgドープp-GaNの活性化抑制と水素脱離過程の制御による特性改善
・田淵さん(M1):光吸収層を有する石英基板上GeSn細線のレーザー溶融結晶化
・中沼さん(M1):NO窒化処理を施した4H-SiC(11-20) MOSデバイスの絶縁性および閾値安定性の評価
2022年1月14日 お知らせ1月12日~14日にオンライン開催されましたレーザー学会学術講演会第42回年次大会にて、志村准教授が下記の招待講演を行いました。お疲れさまでした。
"局所液相成長法によって作製した単結晶GeSn細線の受光・発光特性"
2022年1月11日 お知らせ1月11日~13日にハイブリッド開催されましたIWSingularity 2022 / ISWGPDs 2022にて、渡部教授が下記のプレナリー講演を行いました。お疲れさまでした。
"Gate stack technology for advanced wide bandgap power electronics"
2022年1月11日 お知らせ昨年渡部教授が京大の木本教授と共同執筆した下記のレビュー論文(APEX)のダウンロード件数が、1万件を突破しました。
"Defect engineering in SiC technology for high-voltage power devices"
2022年1月11日 お知らせ来る1月22日(土)に、大学院進学説明会(他大学生向け)&コース配属説明会(応自1回生向け)が開催されます。午前はオンライン、午後は対面にて行われます。お申し込みはこちら。締切は1月19日(水)12時までとなっています。みなさま奮ってご参加ください。
なお、研究室見学等は随時対応しております。今回都合が合わない方は個別対応も可能です。是非こちらまでご連絡ください。

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