大阪大学 大学院工学研究科 物理学系専攻 精密工学コース 先進デバイス工学領域
Department of Precision Engineering, Graduate School of Engineering, Osaka University
2020年4月からの専攻再編に伴い、当研究室は 物理学系専攻 精密工学コース 先進デバイス工学領域 となりました。
人類は、資源・エネルギー、食料と人口、気候変動・自然災害、都市化と貧困などの地球規模の課題に直面しています。それらを乗り越えて持続可能な社会を築くためには、人と人の絆、そして人と自然との共生を大切し、問題解決に希望をつなぐテクノロジーの発展が求められています。
サステナブル社会の実現と価値ある未来のために、私たちは材料そのものの設計から、異種材料の組み合わせや新構造の採用によって、革新的な機能を発現するデバイスの創製を目指し、幅広い見地から次世代のグリーンナノエレクトロニクスを支える研究開発を進めています。
2023年9月25日 | お知らせ9月19日~23日に開催されました第84回応用物理学会秋季学術講演会にて、当研究室より下記5件の講演を行いました。 ・志村先生: 高エネルギーX線CT計測 -高角散乱X線を用いたライトシート3Dイメージングとの比較検証- ・溝端先生: SiO2/p-GaN MOS界面近傍の正孔トラップ低減に対するMgドープ濃度の影響 ・冨ケ原さん(D1): Below-gap光照射を用いたSiO2/p型GaN構造の正孔トラップ評価 ・岩本(蒼)さん(M1): 局所溶融結晶化GeSn PINダイオードの発光特性解析 ・岩本(隼)さん(M1): SiO2/SiC(0-33-8) 構造の NO 窒化過程の観察と電気特性評価 | 2023年9月22日 | お知らせ9月17日~22日に開催されましたICSCRM 2023(イタリア・ソレント)にて、当研究室より7名参加し、下記の発表を行いました。 ・小林先生: Ab initio study of oxygen-vacancy defect in 4H-SiC: A potential qubit ・Kil先生: Fabrication of SiO2/4H-SiC MOS devices by sputter deposition of SiO2 followed by high-temperature CO2-post deposition annealing ・中沼さん(D1): Controlling the properties of single photon emitters at SiO2/SiC interfaces by oxidation and annealing ・藤本さん(D1): Improved interface properties in SiC(0001) MOS structures by plasma nitridation of SiC surface prior to SiO2 deposition ・鈴木さん(M2)(小林先生代理発表): Accurate analysis of leakage characteristics of SiC (1-100) MOS devices over a wide temperature range ・神畠さん(M1): A SiO2/SiC interface formed by direct bonding of SiO2 and SiC ・大西さん(M1): Formation of color centers at SiO2/SiC interfaces by thermal oxidation and its correlation with electrical properties ・近藤さん(筑波大): Comparison of polar-face and non-polar faces 4H-SiC/SiO2 interfaces revealed by magnetic resonance and related techniques | 2023年9月20日 | お知らせ江藤剛治招へい教授が9月15日に開催されました映像情報メディア学会 情報センシング研究会(IST)にて下記の発表を行いました。 "Ge-on-Siストーンサークルイメージセンサ" |
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2023年9月15日 | 更新2023年 研究成果を更新しました。 |
2023年9月8日 | 更新2023年 研究成果を更新しました。 |
2023年9月6日 | 更新2023年 研究成果を更新しました。 | 2023年8月18日 | お知らせ藤本さんの研究成果がAppl. Phys. Express誌のMost readランキングのトップを記録しました。 成果内容は、EE Times Japanおよびマイナビニュース 等で紹介されています。 |
2023年8月4日 | お知らせ藤本さんの研究成果が大阪大学からのプレスリリースとして紹介されました。 炭化珪素(SiC)パワーデバイスの 心臓部・絶縁膜界面の欠陥を大幅に低減 |
2023年8月2日 | 更新2023年 研究成果を更新しました。 |
2023年6月12日 | 更新2023年 研究成果を更新しました。 |
2023年5月29日 | お知らせ江藤剛治招へい教授が2023年5月24日に
英国スコットランドで開催されました
IISW2023(International Image Sensors Workshop 2023)のExceptional Lifetime
Achievement Awardを受賞されました。 受賞理由は長年にわたる超高速イメージセンサの開発に対する貢献です。 |
2023年5月17日 | 更新2023年 研究成果を更新しました。 | 2023年4月17日 | お知らせ小林助教が4月付で 工学研究科附属フューチャーイノベーションセンター(CFi)の次世代リーダー教員 に着任しました。 |
2023年4月12日 | お知らせ3月13日~16日に開催されましたULITIMA 2023 (CA, USA). にて、江藤招へい教授が下記の招待講演を行いました。 "Beyond the temporal resolution limit of silicon image sensors" | 2023年4月7日 | 更新研究室メンバーページを更新しました。 | 2023年3月24日 | お知らせ大西 健太郎くん(B4)が"大阪大学楠本賞"を受賞しました。 |
2023年3月22日 | 更新2023年 研究成果を更新しました。 | 2023年3月17日 | お知らせ小林助教の第22回 船井研究奨励賞受賞が決定しました。 "炭化珪素半導体における欠陥の制御と機能開拓" |
2023年3月17日 | お知らせ3月15~18日にハイブリッド開催されました
第70回応用物理学会春季学術講演会にて、当研究室より渡部先生・志村先生・小林先生・中沼さん・近藤さんが参加し、下記の研究発表を行いました。
・中沼さん(M2): SiO2/SiC界面発光中心密度と電気的特性の相関 ・近藤さん(M1): Si基板上GeSn細線のレーザー溶融結晶化と光学特性評価 ・近藤さん(筑波大): 4H-SiC(11-20)面(a面)MOS界面欠陥の電子スピン共鳴分光(ESR/EDMR)評価 |
2023年3月13日 | お知らせ中沼 貴澄くん(M2)が"大阪大学工業会賞"を受賞しました。 ”炭化ケイ素MOS界面の欠陥制御と量子デバイスへの展開” |
2023年3月13日 | お知らせ大西 健太郎くん(B4)が"大阪大学工学賞" を受賞しました。 | 2023年3月6日 | 更新2023年 研究成果を更新しました。 | 2023年3月1日 | 更新研究室メンバーページを更新しました。 | 2023年2月21日 | お知らせ中沼 貴澄くん(M2)が電気学会より"2022年電子・情報・システム部門 技術委員会奨励賞"を受賞しました。 "NO窒化処理を施した非基底面SiC MOSデバイスの信頼性" |
2023年2月20日 | 更新研究室メンバーページを更新しました。 | 2023年2月6日 | 更新2023年 研究成果を更新しました。 | 2023年1月25日 | 更新研究室メンバーページを更新しました。 |