2020年4月からの専攻再編に伴い、当研究室は
物理学系専攻 精密工学コース 先進デバイス工学領域 となりました。

人類は、資源・エネルギー、食料と人口、気候変動・自然災害、都市化と貧困などの地球規模の課題に直面しています。それらを乗り越えて持続可能な社会を築くためには、人と人の絆、そして人と自然との共生を大切し、問題解決に希望をつなぐテクノロジーの発展が求められています。
サステナブル社会の実現と価値ある未来のために、私たちは材料そのものの設計から、異種材料の組み合わせや新構造の採用によって、革新的な機能を発現するデバイスの創製を目指し、幅広い見地から次世代のグリーンナノエレクトロニクスを支える研究開発を進めています。

News & Topics

2023年9月25日 お知らせ9月19日～23日に開催されました第84回応用物理学会秋季学術講演会にて、当研究室より下記５件の講演を行いました。
・志村先生: 高エネルギーX線CT計測
-高角散乱X線を用いたライトシート3Dイメージングとの比較検証-
・溝端先生: SiO2/p-GaN MOS界面近傍の正孔トラップ低減に対するMgドープ濃度の影響
・冨ケ原さん(D1): Below-gap光照射を用いたSiO2/p型GaN構造の正孔トラップ評価
・岩本(蒼)さん(M1): 局所溶融結晶化GeSn PINダイオードの発光特性解析
・岩本(隼)さん(M1): SiO2/SiC(0-33-8) 構造の NO 窒化過程の観察と電気特性評価
2023年9月22日 お知らせ9月17日～22日に開催されましたICSCRM 2023（イタリア・ソレント）にて、当研究室より7名参加し、下記の発表を行いました。
・小林先生: Ab initio study of oxygen-vacancy defect in 4H-SiC: A potential qubit
・Kil先生: Fabrication of SiO2/4H-SiC MOS devices by sputter deposition of SiO2 followed by high-temperature CO2-post deposition annealing
・中沼さん(D1): Controlling the properties of single photon emitters at SiO2/SiC interfaces by oxidation and annealing
・藤本さん(D1): Improved interface properties in SiC(0001) MOS structures by plasma nitridation of SiC surface prior to SiO2 deposition
・鈴木さん(M2)(小林先生代理発表): Accurate analysis of leakage characteristics of SiC (1-100) MOS devices over a wide temperature range
・神畠さん(M1): A SiO2/SiC interface formed by direct bonding of SiO2 and SiC
・大西さん(M1): Formation of color centers at SiO2/SiC interfaces by thermal oxidation and its correlation with electrical properties
・近藤さん(筑波大): Comparison of polar-face and non-polar faces 4H-SiC/SiO2 interfaces revealed by magnetic resonance and related techniques
2023年9月20日 お知らせ江藤剛治招へい教授が9月15日に開催されました映像情報メディア学会　情報センシング研究会（IST）にて下記の発表を行いました。
"Ge-on-Siストーンサークルイメージセンサ"
2023年9月15日 更新2023年 研究成果を更新しました。
2023年9月8日 更新2023年 研究成果を更新しました。
2023年9月6日 更新2023年 研究成果を更新しました。
2023年8月18日 お知らせ藤本さんの研究成果がAppl. Phys. Express誌のMost readランキングのトップを記録しました。
成果内容は、EE Times Japanおよびマイナビニュース 等で紹介されています。
2023年8月4日 お知らせ藤本さんの研究成果が大阪大学からのプレスリリースとして紹介されました。
炭化珪素（SiC）パワーデバイスの 心臓部・絶縁膜界面の欠陥を大幅に低減
2023年8月2日 更新2023年 研究成果を更新しました。
2023年6月12日 更新2023年 研究成果を更新しました。
2023年5月29日 お知らせ江藤剛治招へい教授が2023年5月24日に 英国スコットランドで開催されました IISW2023（International Image Sensors Workshop 2023）のExceptional Lifetime Achievement Awardを受賞されました。
受賞理由は長年にわたる超高速イメージセンサの開発に対する貢献です。
2023年5月17日 更新2023年 研究成果を更新しました。
2023年4月17日 お知らせ小林助教が4月付で 工学研究科附属フューチャーイノベーションセンター（CFi）の次世代リーダー教員 に着任しました。
2023年4月12日 お知らせ3月13日～16日に開催されましたULITIMA 2023 (CA, USA). にて、江藤招へい教授が下記の招待講演を行いました。
"Beyond the temporal resolution limit of silicon image sensors"
2023年4月7日 更新研究室メンバーページを更新しました。
2023年3月24日 お知らせ大西 健太郎くん（B4）が"大阪大学楠本賞"を受賞しました。
2023年3月22日 更新2023年 研究成果を更新しました。
2023年3月17日 お知らせ小林助教の第22回 船井研究奨励賞受賞が決定しました。
"炭化珪素半導体における欠陥の制御と機能開拓"
2023年3月17日 お知らせ3月15～18日にハイブリッド開催されました 第70回応用物理学会春季学術講演会にて、当研究室より渡部先生・志村先生・小林先生・中沼さん・近藤さんが参加し、下記の研究発表を行いました。
・中沼さん(M2): SiO2/SiC界面発光中心密度と電気的特性の相関
・近藤さん(M1): Si基板上GeSn細線のレーザー溶融結晶化と光学特性評価
・近藤さん(筑波大): 4H-SiC(11-20)面（a面）MOS界面欠陥の電子スピン共鳴分光（ESR/EDMR）評価
2023年3月13日 お知らせ中沼 貴澄くん（M2）が"大阪大学工業会賞"を受賞しました。
”炭化ケイ素MOS界面の欠陥制御と量子デバイスへの展開”
2023年3月13日 お知らせ大西 健太郎くん（B4）が"大阪大学工学賞" を受賞しました。
2023年3月6日 更新2023年 研究成果を更新しました。
2023年3月1日 更新研究室メンバーページを更新しました。
2023年2月21日 お知らせ中沼 貴澄くん（M2）が電気学会より"2022年電子・情報・システム部門 技術委員会奨励賞"を受賞しました。
"NO窒化処理を施した非基底面SiC MOSデバイスの信頼性"
2023年2月20日 更新研究室メンバーページを更新しました。
2023年2月6日 更新2023年 研究成果を更新しました。
2023年1月25日 更新研究室メンバーページを更新しました。

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