ACHIEVEMENTS

2019年

学術論文 / Journal Papers

  1. M. Sometani, T. Hosoi, H. Hirai, T. Hatakeyama, S. Harada, H. Yano, T. Shimura, H. Watanabe, Y. Yonezawa, and H. Okumura,
    "Ideal phonon-scattering-limited mobility in inversion channels of 4H-SiC(0001) MOSFETs with ultralow net doping concentrations",
    Applied Physics Letters, 115, (13) pp 132102-1~5(2019).
  2. K. Moges, M. Sometani, T.Hosoi, T. Shimura, S. Harada, and H. Watanabe,
    "Sub-nm-Scale Depth Profiling of Nitrogen in NO- and N2-Annealed SiO2/4H-SiC(0001) Structures",
    Materials Science Forum, 963, pp 226~229(2019).
  3. H. Takeda, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe,
    "Evaluation of the Impact of Al Atoms on SiO2/SiC Interface Property by Using 4H-SiC n+-Channel Junctionless MOSFET",
    Materials Science Forum, 963, pp 171~174(2019).
  4. T. Hosoi, K. Watanabe, M. Nozaki, T. Yamada T. Shimura, and H. Watanabe,
    "Mobility enhancement in recessed-gate AlGaN/GaN MOS-HFETs using an AlON gate insulator",
    Japanese Journal of Applied Physics, 58, (SC) pp SCCD16-1~6(2019).
  5. T. Yamada, D. Terashima, M. Nozaki, H. Yamada, T. Takahashi, M. Shimizu, A. Yoshigoe, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe,
    "Controlled oxide interlayer for improving reliability of SiO2/GaN MOS devices",
    Japanese Journal of Applied Physics, 58, (SC) pp SCCD06-1~5(2019).
  6. M. Nozaki, D. Terashima, T. Yamada, A. Yoshigoe, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe,
    "Comparative study on thermal robustness of GaN and AlGaN/GaN MOS devices with thin oxide interlayers",
    Japanese Journal of Applied Physics, 58, (SC) pp SCCD08-1~6(2019).
  7. K. Moges, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe,
    "Performance improvement in 4H-SiC(0001) p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with a gate oxide grown at ultrahigh temperature",
    Applied Physics Express, 12, (6) pp 061003-1~4(2019).
  8. S. Yoshida, D. H L Lin, R. Suzuki, Y. Miyanami, N. Collaert, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe,
    "Analysis of III–V oxides at high-k/InGaAs interfaces induced by metal electrodes",
    Japanese Journal of Applied Physics, 58, (5) pp 051010-1~6(2019).
  9. Y. Wada, K. Inoue, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe,
    "Demonstration of mm long nearly intrinsic GeSn single-crystalline wires on quartz substrate fabricated by nucleation-controlled liquid-phase crystallization",
    Japanese Journal of Applied Physics, 58, (SB) pp SBBK01-1~6(2019).

国際学会 / International Conferences

  1. T. Hosoi, M. Ohsako, T. Shimura, and H. Watanabe,
    "High-temperature CO2 Process for Improvement of SiC MOS Characteristics",
    50th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC 2019), 14.2, Dec.14,
    (San Diego, USA, December 11-14, 2019)
  2. Y. Wada, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe,
    "Room Temperature Electroluminescence from Tensile-strained GeSn Lateral PIN Structures Fabricated by Nucleation-controlled Liquid-phase Crystallization",
    50th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC 2019), 8.4, Dec.13,
    (San Diego, USA, December 11-14, 2019)
  3. Y. Terao, H. Tsuji, T. Hosoi, X. Zhang, H. Yano, T. Shimura, and H. Watanabe,
    "The role of oxygen ambient anneal for Ba-incorporated SiO2/SiC interface",
    50th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC 2019), 6.17, Dec.12,
    (San Diego, USA, December 11-14, 2019)
  4. T. Shimura, T. Hosoi, and H. Watanabe,
    "Oxidation of SiGe Alloy: Residual Order in SiO2 and Self-limiting Oxidation" (Invited),
    International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES – SCIENCE AND TECHNOLOGY – (IWDTF 2019), S5-2, pp. 90-91, Nov.19,
    (Tokyo, Japan, November 18-20, 2019)
  5. T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe,
    "Thermal Oxidation of SiC: Kinetics and SiO2/SiC Interface Property" (Invited),
    International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES – SCIENCE AND TECHNOLOGY – (IWDTF 2019), S5-4, pp. 94-95, Nov.19,
    (Tokyo, Japan, November 18-20, 2019)
  6. M. Nozaki, D. Terashima, A. Yoshigoe, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe,
    "Evaluation of Reactive Ion Etching-induced Damage on 2DEG at AlGaN/GaN Interface",
    International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES – SCIENCE AND TECHNOLOGY – (IWDTF 2019), S1-2, pp. 8-9, Nov.18,
    (Tokyo, Japan, November 18-20, 2019)
  7. Y. Wada, M. Nozaki, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe,
    "Insight into Ga Diffusion in SiO2 Dielectric Layer and Process Design for Improved Reliability of GaN-based MOS Devices",
    International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES – SCIENCE AND TECHNOLOGY – (IWDTF 2019), P-27, pp. 64-65, Nov.18,
    (Tokyo, Japan, November 18-20, 2019)
  8. R. Fukuda, A. Yamazaki, D. Tsukamoto, T. Hosoi, H. Watanabe, and T. Shimura,
    "X-ray phase-contrast imaging using Talbot-Lau interferometer with lanthanum targets embedded in diamond substrates",
    X-ray and Neutron Phase Imaging with Gratings (XNPIG 2019), ORAL 29, Oct.23,
    (Sendai, Japan, October 20-24, 2019)
  9. T. Hosoi, M. Ohsako, T. Shimura, and H. Watanabe,
    "Interface Engineering of SiC MOS Devices by High-temperature CO2 Treatment",
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2019), Th-P-33, Oct.3,
    (Kyoto, Japan, September 30-October 4, 2019)
  10. H. Takeda, M. Sometani, T. Hosoi, T. Shimura, H. Yano, and H. Watanabe,
    "Insight into Channel Conduction Mechanisms of 4H-SiC(0001) MOSFET based on Temperature-dependent Hall Effect Measurement",
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2019), Mo-P-29, Sep.30,
    (Kyoto, Japan, September 30-October 4, 2019)
  11. T. Nishimura, H. Nakanishi, I. Kawayama, M. Tonouchi, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe,
    "Characterization of Surface Potential of Oxidized Silicon Carbide by a Laser Terahertz Emission Microscope",
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2019), We-P-27, Oct.2,
    (Kyoto, Japan, September 30-October 4, 2019)
  12. T. Hosoi, M. Nozaki, T. Shimura, and H. Watanabe,
    "Gate stack engineering for GaN power MOSFETs" (Invited),
    13th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2019), 4-1, Aug.27,
    (Toyama, Japan, August 26-29, 2019)
  13. T. Hosoi, K. Moges, T. Shimura, and H. Watanabe,
    "Recent progress in understanding carbon-related interface defects and electrical properties in SiC-MOS devices" (Invited),
    INFOS 2019, 4.3, Jul.1,
    (Cambridge, UK, June 30-July 3, 2019)
  14. H. Oka, W. Mizubayashi, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe, T. Maeda, N. Uchida, and K. Endo,
    "Tensile-strained GeSn-on-SOI MSM Photodetector Fabricated by Solid-phase Epitaxy",
    JST-MOST Workshop "Nanoelectronics and Systems Integration for AI", P-13, Jun.14,
    (Kyoto, Japan, June 14, 2019)

国内学会 / Domestic Conferences

  1. 細井卓治，大迫桃恵，伊藤滉二，志村考功，木本恒暢，渡部平司,
    "CO2アニールによるSiO2/SiC界面窒素量制御とSiC MOSFET信頼性向上",
    先進パワー半導体分科会第6回講演会, IB-12, Dec.3,
    (広島国際会議場, December 3-4, 2019)
  2. 野崎幹人，寺島大貴，吉越章隆，細井卓治，志村考功，渡部平司,
    "AlGaN/GaNヘテロ構造の低バイアス電力ICPエッチングによる低損傷加工",
    先進パワー半導体分科会第6回講演会, IIA-20, Dec.4,
    (広島国際会議場, December 3-4, 2019)
  3. 和田悠平，野崎幹人，細井卓治，志村考功，渡部平司,
    "SiO2中へのGa拡散がSiO2/GaN MOS特性に与える影響の評価",
    先進パワー半導体分科会第6回講演会, IA-19, Dec.3,
    (広島国際会議場, December 3-4, 2019)
  4. 西村辰彦，中西英俊，川山巌，斗内政吉，細井卓治，志村考功，渡部平司,
    "レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡を用いたSiC MOS界面の表面ポテンシャル評価",
    先進パワー半導体分科会第6回講演会, IB-13, Dec.3,
    (広島国際会議場, December 3-4, 2019)
  5. 細井 卓治, 大迫 桃恵, 伊藤 滉二, 志村 考功, 木本 恒暢, 渡部 平司,
    "NO窒化後のCO2熱処理によるSiC MOSFETの閾値電圧安定性向上",
    2019年 第80回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集, 20a-E311-9, Sep.20,
    (北海道大学, September 18-21, 2019)
  6. 野崎 幹人, 寺島 大貴, 吉越 章隆, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司,
    "ICPエッチングがAlGaN/GaN界面の2DEGに与える影響の評価",
    2019年 第80回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集, 21a-E301-2, Sep.21,
    (北海道大学, September 18-21, 2019)
  7. 辻 英徳, 寺尾 豊, 細井 卓治, 張 旭芳, 矢野 裕司, 志村 考功, 渡部 平司,
    "SiO2/SiC界面電気特性のBa増速酸化温度依存性",
    2019年 第80回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集, 19p-PB4-5, Sep.19,
    (北海道大学, September 18-21, 2019)
  8. 福田 椋南子, 塚本 大裕, 細井 卓治, 渡部 平司, 志村 考功,
    "マルチラインLa埋め込みX線源を用いたX線位相イメージング",
    2019年 第80回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集, 19p-E318-8, Sep.19,
    (北海道大学, September 18-21, 2019)
  9. 和田 悠平, 野崎 幹人, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司,
    "SiO2膜中へのGa拡散制御によるゲート絶縁膜信頼性の改善",
    2019年 第80回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集, 20a-E301-8, Sep.20,
    (北海道大学, September 18-21, 2019)
  10. 西村 辰彦, 中西 英俊, 川山 巌, 斗内 政吉, 細井 卓治, 志村 孝功, 渡部 平司,
    "MOS界面におけるレーザーパルス励起THz波放射機構の考察 - 表面電場とフォトデンバー効果の分離 -",
    2019年 第80回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集, 18a-E303-6, Sep.18,
    (北海道大学, September 18-21, 2019)
  11. 細井卓治, Kidist Moges, 染谷　満, 志村考功, 原田信介, 渡部平司,
    "NO窒化処理を施したSiO2/SiC界面近傍の窒素分布評価",
    シリコン材料・デバイス(SDM)研究会, pp.1-4, Jun.21,
    (名古屋大学, June 21, 2019)
  12. 岡 博史, 井上 慶太郎, Thi Thuy Nguyen, 黒木 伸一郎, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司,
    "近赤外イメージセンサーに向けた石英基板上裏面照射型GeSnフォトダイオードアレイの開発"（招待講演）,
    電気化学会第86回大会, 3C07, Mar.29,
    (京都大学吉田キャンパス, March 27-29, 2019)
  13. 細井 卓治, 大迫 桃恵, 志村 考功, 渡部 平司,
    "CO2雰囲気下での4H-SiC熱酸化の検討",
    2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集, 10a-70A-6, Mar.10,
    (東京工業大学大岡山キャンパス, March 9-12, 2019)
  14. 細井 卓治, 大迫 桃恵, 志村 考功, 渡部 平司,
    "CO2アニールによる4H-SiC(0001) MOSデバイスの特性改善",
    2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集, 10a-70A-7, Mar.10,
    (東京工業大学大岡山キャンパス, March 9-12, 2019)
  15. 山田 高寛, 和田 悠平, 寺島 大貴, 野崎 幹人, 上野 勝典, 高島 信也, 山田 永, 高橋 言緒, 清水 三聡, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司,
    "SiO2/GaN MOSデバイスに対するフォーミングガス熱処理の効果",
    2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集, 9a-M121-4, Mar.9,
    (東京工業大学大岡山キャンパス, March 9-12, 2019)
  16. 岡 博史, 水林 亘, 石川 由紀, 細井 卓治, 志村 考 功, 渡部 平司, 前田 辰郎, 内田 紀行, 遠藤 和彦,
    "固相エピタキシー法によるSOI基板上GeSn MSMダイオードの作製",
    2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集, 11a-W331-8, Mar.11,
    (東京工業大学大岡山キャンパス, March 9-12, 2019)
  17. 井上 慶太郎, 和田 裕希, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司,
    "石英基板上GeSn液相成長におけるGeSn堆積温度と細線形状の効果",
    2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集, 12p-M113-6, Mar.12,
    (東京工業大学大岡山キャンパス, March 9-12, 2019)
  18. 西村 辰彦, 中西 英俊, 川山 巌, 斗内 政吉, 細井卓治, 志村 考功, 渡部 平司,
    "レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡を用いたSiO2/SiC 界面の表面ポテンシャル評価",
    2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集, 10a-70A-4, Mar.10,
    (東京工業大学大岡山キャンパス, March 9-12, 2019)
  19. 名倉 拓哉, 長川 健太, 洗平 昌晃, 細井 卓治, 渡部 平司, 押山 淳, 白石 賢二,
    "AlONゲート絶縁膜へのHf添加によるホールリーク抑制の物理的起源",
    2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集, 11a-PB2-10, Mar.11,
    (東京工業大学大岡山キャンパス, March 9-12, 2019)
  20. 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司,
    "熱酸化SiO2/SiC界面欠陥とMOS特性",
    応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第216回研究集会, p. 39 - 44, Feb.28,
    (大阪大学中之島センター, 大阪市, February 28, 2019).
  21. 山田 高寛, 寺島 大貴, 野崎 幹人, 山田 永, 高橋 言諸, 清水 三聡, 吉越 章隆, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司,
    "導電型の異なるGaN上GaOx界面層の放射光XPS分析",
    電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－（第24回研究会）, pp. 249 - 252, Jan.25,
    (東レ総合研修センター, 静岡県三島市, January 24-26, 2019).
  22. 武田 紘典, 染谷 満, 細井 卓治, 志村 考功, 矢野 裕司, 渡部 平司,
    "温度可変ホール効果測定による4H-SiC(0001) MOSFETチャネル内電子伝導機構の考察",
    電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－（第24回研究会）, pp. 225 - 228, Jan.25,
    (東レ総合研修センター, 静岡県三島市, January 24-26, 2019).
  23. 名倉 拓哉, 長川 健太, 洗平 昌晃, 細井 卓治, 渡部 平司, 押山 淳, 白石 賢二,
    "AlON絶縁膜へのHf原子添加効果に関する理論的研究",
    電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－（第24回研究会）, pp. 129 - 132, Jan.25,
    (東レ総合研修センター, 静岡県三島市, January 24-26, 2019).

受賞 / Awards

  1. IWDTF 2019 Young Award
    和田　悠平（M1）
    "Insight into Ga Diffusion in SiO2 Dielectric Layer and Process Design for Improved Reliability of GaN-based MOS Devices"
    November 20, 2019
  2. 平成31年度 科学技術分野の文部科学大臣表彰 科学技術賞 研究部門
     渡部　平司
    "半導体表面界面科学を基軸とした次世代省エネデバイスの研究"
    April 17, 2019
  3. 「電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」 (第24回研究会) 服部賞
     武田　紘典 （M2）
    "温度可変ホール効果測定による4H-SiC(0001) MOSFETチャネル内電子伝導機構の考察"
    January 26, 2019
  4. IEEE EDS Kansai Chapter of the Year Award
     細井　卓治
    January 24, 2019

WATANABE LABORATORY

Department of Precision Engineering
Graduate School of Engineering
The University of Osaka