研究成果

研究業績受賞歴

年度:2022 | 2021 | 2020 | 2019 | 2018 | 2017 | 2016 | 2015 | 2014 | 2013 | 2012 | 2011 | 2010 | 2009 | 2008 | 2007 | 2006 | 2005 | 2004

2022年度研究成果

学術論文 / Journal Papers

  1. T. Hosoi, M. Ohsako, K. Moges, K. Ito, T. Kimoto, M. Sometani, M. Okamoto, A. Yoshigoe, T. Shimura and H. Watanabe,
    "Impact of post-nitridation annealing in CO2 ambient on threshold voltage stability in 4H-SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistors",
    Applied Physics Express, 16, (6), pp 061003-1~5 (2022).
  2. Y. Terao, T. Hosoi, S. Takashima, T. Kobayashi, T. Shimura, H. Watanabe,
    "Characterization of Electron Traps in Gate Oxide of SiC MOS Capacitors",
    2022 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), pp P66-1~4 (2022).
  3. T. Nakanuma, A. Suzuki, Y. Iwakata, T. Kobayashi, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe,
    "Investigation of reliability of NO nitrided SiC(1-100) MOS devices",
    2022 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), pp 3B.2-1~5 (2022).
  4. N. H. Ngo, T. G. Etoh, K. Shimonomura, T. Ando, Y. Matsunaga, T. Shimura, H. Watanabe, H. Mutoh, Y. Kamakura and E. Charbon
    "Toward Super Temporal Resolution by Suppression of Mixing Effects of Electrons",
    IEEE Transactions on Electron Devices, 69, (6), pp 2879~2885 (2022).
  5. T. Nakanuma, T. Kobayashi, T. Hosoi, M. Sometani, M. Okamoto, A. Yoshigoe, T. Shimura and H. Watanabe,
    "Impact of nitridation on the reliability of 4H-SiC(1120) MOS devices",
    Applied Physics Express, 15, (4), pp 041002-1~4 (2022).
  6. T. Nakanuma, Y. Iwakata, A. Watanabe, T. Hosoi, T. Kobayashi, M. Sometani, M. Okamoto, A. Yoshigoe, T. Shimura and H. Watanabe,
    "Comprehensive physical and electrical characterizations of NO nitrided SiO2/4H-SiC(1120) interfaces",
    Japanese Journal of Applied Physics, 61, (SC), pp SC1065-1~8 (2022).
  7. Y. Wada, H. Mizobata, M. Nozaki, T. Kobayashi, T. Hosoi, T. Kachi, T. Shimura and H. Watanabe,
    "Insight into interface electrical properties of metal–oxide–semiconductor structures fabricated on Mg-implanted GaN activated by ultra-high-pressure annealing",
    Applied Physics Letters, 120, (8), pp 082103-1~6 (2022).
  8. H. Mizobata, M. Nozaki, T. Kobayashi, T. Hosoi, T. Shimura and H. Watanabe,
    "Fixed-charge generation in SiO2/GaN MOS structures by forming gas annealing and its suppression by controlling Ga-oxide interlayer growth",
    Japanese Journal of Applied Physics, 61, (SC), pp SC1034-1~6 (2022).

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国際会議 / International Conferences

  1. T. Shimura,
    "Approach to achieving super temporal resolution image sensors beyond 20 picosecond" (plenary),
    2022 IEEE International Conference on Imaging Systems and Techniques (IST 2022), Jun.21,
    (Virtual Conference, June 21-23, 2022)
  2. M. Sometani, K. Oozono, S. Ji, T. Morimoto, T. Kato, K. Kojima, S. Harada,
    "Comparative Study of Performance of SiC SJMOSFETs Formed by Multi-epitaxial Growth and Trench-filling Epitaxial Growth",
    IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (IEEE ISPSD 2022), May.25,
    (Hybrid Conference, Vancouver, Canada and Online, May 22-25, 2022)
  3. Y. Terao, T. Hosoi, S. Takashima, T. Kobayashi, T. Shimura, H. Watanabe,
    "Characterization of Electron Traps in Gate Oxide of SiC MOS Capacitors",
    IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS 2022), P66, Mar.30,
    (Hybrid Conference, Dallas, U.S.A. and Online, March 27-31, 2022)
  4. T. Nakanuma, A. Suzuki, Y. Iwakata, T. Kobayashi, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe,
    "Investigation of reliability of NO nitrided SiC(1-100) MOS devices",
    IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS 2022), 3B.2, Mar.29,
    (Hybrid Conference, Dallas, U.S.A. and Online, March 27-31, 2022)
  5. H. Watanabe,
    "Gate stack technology for advanced wide bandgap power electronics" (plenary),
    The 3rd International Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity (IWSingularity 2022) /The 2nd International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation (ISWGPDs 2022), F-P1, Jan.11,
    (Hybrid Conference, Nagoya, Japan and Online, January 11-13, 2022)

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国内学会 / Domestic Conferences

  1. 志村 考功, ゴ グエン ホアイ, 渡部 平司, 下ノ村 和弘, 武藤 秀樹, 江藤 剛治,
    "電子の水平運動が卓越するブランチングイメージセンサ",
    映像情報メディア学会 情報センシング研究会(IST), pp. 9-12, Jun.29,
    (オンライン開催, June 29, 2022)
  2. 渡部 平司, 木本 恒暢,
    "SiCパワーデバイス開発における欠陥制御の重要性"(招待講演),
    2022年 第69回応用物理学会春季学術講演会, 22p-E302-3, Mar.22,
    (ハイブリッド開催, March 22-26, 2022)
  3. 小林 拓真, 奥田 貴史, 立木 馨大, 伊藤 滉二, 松下 雄一郎, 木本 恒暢,
    "SiC熱酸化抑制プロセスによる高品質SiC/SiO2界面の形成"(招待講演),
    2022年 第69回応用物理学会春季学術講演会, 24p-E302-3, Mar.24,
    (ハイブリッド開催, March 22-26, 2022)
  4. 溝端 秀聡, 和田 悠平, 野﨑 幹人, 小林 拓真, 細井 卓治, 加地 徹, 志村 考功, 渡部 平司,
    "超高圧活性化熱処理を施したMgイオン注入p-GaN MOSデバイスの電気特性に対する基板極性およびアクセプタ濃度の影響",
    2022年 第69回応用物理学会春季学術講演会, 24a-E302-10, Mar.24,
    (ハイブリッド開催, March 22-26, 2022)
  5. 冨ヶ原 一樹, 中沼 貴澄, 溝端 秀聡, 野﨑 幹人, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司,
    "紫外光照射によるGaN MOS構造における正孔トラップの評価",
    2022年 第69回応用物理学会春季学術講演会, 24a-E302-11, Mar.24,
    (ハイブリッド開催, March 22-26, 2022)
  6. 藤本 博貴, 小林 拓真, 染谷 満, 岡本 光央, 細井 卓治, 志村 孝功, 渡部 平司,
    "NO窒化SiC MOSデバイスへのエキシマ紫外光照射の影響",
    2022年 第69回応用物理学会春季学術講演会, 24p-E302-6, Mar.24,
    (ハイブリッド開催, March 22-26, 2022)
  7. 見掛 文一郎, 溝端 秀聡, 野﨑 幹人, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司,
    "酸化・還元反応制御に基づく高品質SiO2/GaN MOS構造の形成",
    2022年 第69回応用物理学会春季学術講演会, 24a-E302-7, Mar.24,
    (ハイブリッド開催, March 22-26, 2022)
  8. 大西 健太郎, 見掛 文一郎, 冨ヶ原 一樹, 溝端 秀聡, 野崎 幹人, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司,
    "スパッタSiO2成膜よる安定なGaN MOS構造の形成",
    2022年 第69回応用物理学会春季学術講演会, 24a-E302-6, Mar.24,
    (ハイブリッド開催, March 22-26, 2022)
  9. 小川 慎吾, 溝端 秀聡, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司,
    "DLTSによるSiO2/GaN界面およびSiO2膜中トラップ準位の評価",
    2022年 第69回応用物理学会春季学術講演会, 24a-E302-9, Mar.24,
    (ハイブリッド開催, March 22-26, 2022)
  10. 中沼 貴澄, 小林 拓真 ,染谷 満, 岡本 光央, 吉越 章隆, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司,
    "NO窒化処理を施した非基底面SiC MOSデバイスの信頼性"(招待講演),
    (一社)電気学会 電子デバイス研究会, EDD-22-020, Mar.9,
    (オンライン開催, March 9, 2022)
  11. 江藤 剛治,志村 考功,下ノ村 和弘,渡部 平司,
    "高速イメージセンサの現状と展望 -ピコ秒を目指して-"(招待講演),
    (独)日本学術振興会「結晶加工と評価技術」第145委員会 第174回研究会, Jan.31,
    (オンライン開催, January 31, 2022)
  12. 溝端 秀聡, 和田 悠平, 野﨑 幹人, 細井 卓治, 成田 哲生, 加地 徹, 志村 考功, 渡部 平司,
    "AlGaNキャップ層によるMgドープp-GaNの活性化抑制と水素脱離過程の制御による特性改善",
    電子デバイス界面テクノロジー研究会-材料・プロセス・デバイス特性の物理-(第27回研究会), pp. 173 - 176, Jan.28,
    (オンライン開催, January 28-29, 2022).
  13. 田淵 直人, 山口 凌雅, 近藤 雅斗, 國吉 望月, 細井 卓治, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司
    "光吸収層を有する石英基板上GeSn細線のレーザー溶融結晶化",
    電子デバイス界面テクノロジー研究会-材料・プロセス・デバイス特性の物理-(第27回研究会), pp. 17 - 22, Jan.28,
    (オンライン開催, January 28-29, 2022).
  14. 中沼 貴澄, 岩片 悠, 小林 拓真, 染谷 満, 岡本 光央, 吉越 章隆, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司
    "NO窒化処理を施した4H-SiC(11-20) MOSデバイスの絶縁性および閾値安定性の評価",
    電子デバイス界面テクノロジー研究会-材料・プロセス・デバイス特性の物理-(第27回研究会), pp. 75 - 80, Jan.29,
    (オンライン開催, January 28-29, 2022).
  15. 志村 考功, 細井 卓治, 小林 拓真, 渡部 平司,
    "局所液相成長法によって作製した単結晶GeSn細線の受光・発光特性"(招待講演),
    レーザー学会学術講演会第42回年次大会, S10-13p-VI-02, Jan.13,
    (オンライン開催, January 12-14, 2022)

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解説 / Reviews

  1. 志村 考功,
    "構造化X線光源による透過型X線イメージングの高感度化・高分解能化",
    検査技術, Vol. 27, No. 1, pp.49-55,
    (January, 2022).
      

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