研究成果

研究業績受賞歴

年度：2022 | 2021 | 2020 | 2019 | 2018 | 2017 | 2016 | 2015 | 2014 | 2013 | 2012 | 2011 | 2010 | 2009 | 2008 | 2007 | 2006 | 2005 | 2004

2021年度研究成果

学術論文 / Journal Papers

  1. T. Kobayashi, M. Rühl, J. Lehmeyer, L. K. S. Zimmermann, M. Krieger, and H. B. Weber,
    "Intrinsic color centers in 4H-silicon carbide formed by heavy ion implantation and annealing",
    Journal of Physics D: Applied Physics, 55, (10), pp 105303 (2021).
  2. T. Hosoi, M. Ohsako, T. Shimura, and H. Watanabe,
    "High-temperature CO2 treatment for improving electrical characteristics of 4H-SiC(0001) metal-oxide-semiconductor devices",
    Applied Physics Express, 14, (10), pp 101001-1~6 (2021).
  3. H. Nakanishi, T. Nishimura, I. Kawayama, M. Tonouchi, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe,
    "Probing the surface potential of SiO2/4H-SiC(0001) by terahertz emission spectroscopy",
    Journal of Applied Physics, 130, (11), pp 115305-1~7 (2021).
  4. K. Moges, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe,
    "Demonstration of 4H-SiC CMOS circuits consisting of well-balanced n- and p-channel MOSFETs fabricated by ultrahigh-temperature gate oxidation",
    Applied Physics Express, 14, (9), pp 091006-1~5 (2021).
  5. T. Shimura, T. Hosoi, and H. Watanabe,
    "Backscattering X-ray imaging using Fresnel zone aperture",
    Applied Physics Express, 14, (7), pp 072002-1~4 (2021).
  6. Y. Wada, H. Mizobata, M. Nozaki, T. Hosoi, T. Narita, T. Kachi, T. Shimura, and H. Watanabe,
    "Inhibition of Mg activation in p-type GaN caused by thin AlGaN capping layer and impact of designing hydrogen desorption pathway",
    Applied Physics Express, 14, (7), pp 071001-1~4 (2021).
  7. N. H. Ngo, K. Shimonomura, T. Ando, T. Shimura, H. Watanabe, K. Takehara, A. Q. Nguyen, E. Charbon and T. G. Etoh,
    "A Pixel Design of a Branching Ultra-Highspeed Image Sensor",
    Sensors, 21, (7), 2506 (2021).

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国際会議 / International Conferences

  1. Tae-Hyeon Kil, Koji Kita,
    "Unexpected Fixed Charge Generation by an Additional Annealing after Interface Nitridation Processes at SiO2/4H-SiC (0001) MOS Interfaces",
    International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES – SCIENCE AND TECHNOLOGY – (2021 IWDTF), Nov.16,
    (Virtual Conference, November 14-16, 2021)
  2. T. Shimura, N. H. Ngo, A. Q. Nguyen, F. M. Bufler, H. Watanabe, P. Matagne, E. Charbon and T. G. Etoh,
    "On the way to the super temporal resolution image sensor of visible light" (invited),
    International Meet & Expo on Laser, Optics and Photonics (OPTICSMEET2021), Nov.4,
    (Hybrid conference, Nice, France and Online, November 1-6, 2021)
  3. T. Kobayashi, M. Rühl, J. Lehmeyer, L. Zimmermann, M. Krieger, H. Weber,
    "Generation and transformation of intrinsic color centers in 4H-silicon carbide via ion implantation and annealing",
    13th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2020・2021), Oct.25,
    (Tours, France, Virtual Conference, October 24-28, 2021)
  4. T. G. Etoh, N. H. Ngo, K. Shimonomura, T. Ando, T. Shimura, H. Watanabe, H. Mutoh, Y. Kamakura, E. Charbon,
    "Toward Super Temporal Resolution by Controlling Horizontal Motions of Electrons",
    2021 International Image Sensor Workshop (IISW), Sep.23,
    (Virtual Conference, September 20-23, 2021)
  5. N. H. Ngo, T. Shimura, T. Ando, H. Watanabe, K. Shimonomura, Y. Kamakura, H. Mutoh, T. G. Etoh,
    "Dynamic Crosstalk Analysis for Branching Image Sensors",
    2021 International Image Sensor Workshop (IISW), Sep.22,
    (Virtual Conference, September 20-23, 2021)
  6. H. Mizobata, M. Nozaki, T. Kobayashi, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe,
    "Fixed Charge Generation in SiO2/GaN MOS Structures by Forming Gas Annealing and its Suppression by Controlling Ga-oxide Interlayer Growth",
    2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2021), Sep.9,
    (Virtual Conference, September 6-9, 2021)
  7. T. Nakanuma, Y. Iwakata, T. Hosoi, T. Kobayashi, M. Sometani, M. Okamoto, T. Shimura, H. Watanabe,
    "Comprehensive Physical and Electrical Characterizations of NO Nitrided SiO2/4H-SiC(11-20) Interfaces",
    2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2021), Sep.8,
    (Virtual Conference, September 6-9, 2021)
  8. H. Watanabe, H. Oka, T. Hosoi, T. Shimura
    "Optoelectronic Integration Based on High-quality GeSn Grown by Liquid Phase Crystallization" (Invited),
    International Conference on Processing & Manufacturing of Advanced Materials (Thermec’2021), Jun.4,
    (Virtual Conference, June 1-5, 2021)
  9. T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe,
    "Control of SiO2/SiC Interface for SiC-based Power MOSFET" (Invited),
    International Conference on Processing & Manufacturing of Advanced Materials (Thermec’2021), Jun.1,
    (Virtual Conference, June 1-5, 2021)

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国内学会 / Domestic Conferences

  1. 渡部 平司,
    "ワイドバンドギャップ半導体MOS界面特性の類似性と相違点"(招待講演),
    先進パワー半導体分科会第8回講演会, V-3, Dec.10,
    (オンライン開催, December 9-10, 2021)
  2. 溝端 秀聡, 和田 悠平, 野﨑 幹人, 小林 拓真, 細井 卓治, 加地 徹, 志村 考功, 渡部 平司,
    "超高圧活性化熱処理を施したMgイオン注入GaNを用いたp型GaN MOSデバイスの電気特性評価",
    先進パワー半導体分科会第8回講演会, IIA-8, Dec.10,
    (オンライン開催, December 9-10, 2021)
  3. 染谷 満, 平井 悠久, 岡本 光央, 畠山 哲夫, 原田 信介,
    "4H-SiC非極性面上のMOS界面散乱に対する酸化プロセスの影響",
    先進パワー半導体分科会第8回講演会, IIB-10, Dec.10,
    (オンライン開催, December 9-10, 2021)
  4. 冨ヶ原 一樹, 和田 悠平, 溝端 秀聡, 野﨑 幹人, 吉越 章隆, 細井 卓治, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司,
    "GaN(000-1)面上に形成したSiO2/GaN MOSキャパシタの電気特性評価",
    先進パワー半導体分科会第8回講演会, IB-9, Dec.9,
    (オンライン開催, December 9-10, 2021)
  5. 藤本 博貴, 小林 拓真, 染谷 満, 岡本 光央, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司,
    "エキシマ紫外光照射によるNO窒化SiC MOSデバイスの特性劣化",
    先進パワー半導体分科会第8回講演会, IA-10, Dec.9,
    (オンライン開催, December 9-10, 2021)
  6. 見掛 文一郎, 溝端 秀聡, 野﨑 幹人, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司,
    "SiO2/GaN MOS構造におけるゲート絶縁膜信頼性への堆積後熱処理の効果",
    先進パワー半導体分科会第8回講演会, IA-11, Dec.9,
    (オンライン開催, December 9-10, 2021)
  7. 鈴木 亜沙人, 中沼 貴澄, 岩片 悠, 小林 拓真, 染谷 満, 岡本 光央, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司,
    "NO-POAを施したSiO2/4H-SiC(1-100)界面の電気特性評価および物理分析",
    先進パワー半導体分科会第8回講演会, IB-8, Dec.9,
    (オンライン開催, December 9-10, 2021)
  8. 小林拓真, 奥田貴史, 立木馨大, 伊藤滉二, 松下雄一郎, 木本恒暢,
    "炭素欠陥制御に基づくSiC/SiO2界面の高品質化"(招待講演),
    シリコン材料・デバイス研究会（SDM）, pp. 38-42, Nov.12,
    (オンライン開催, November 11-12, 2021)
  9. 志村 考功，小林 拓真，細井 卓治，渡部 平司,
    "符号化開口を用いた後方散乱X線イメージング"(招待講演),
    日本光学会年次学術講演会 (OPJ2021), Ｘ線・ＥＵＶ結像光学のフロンティア, 28aBS4, Oct.28,
    (国立オリンピック記念青少年総合センターおよびオンライン開催、October 26-29, 2021),
  10. 小林 拓真, R. Maximilian, L. Johannes, Z. Leonard, K. Michael, W. Heiko,
    "イオン注入および熱処理による4H-SiC中への発光中心の選択的形成",
    2021年 第82回応用物理学会秋季学術講演会, 12a-N305-7, Sep.12,
    (オンライン開催, September 10-13, 2021)
  11. K. M. Ayele, T. Kobayashi, T. Hosoi, T. Shimura, K.Tachiki, T. Kimoto, H. Watanabe
    "Evaluation of long-term reliability of 4H-SiC(0001) CMOS ring oscillators at high temperature",
    2021年 第82回応用物理学会秋季学術講演会, 11p-N305-6, Sep.11,
    (オンライン開催, September 10-13, 2021)
  12. 和田 悠平, 溝端 秀聡, 野﨑 幹人, 小林 拓真, 細井 卓治, 櫻井 秀樹, 加地 徹, 吉越 章隆, 志村 考功, 渡部 平司,
    "超高圧活性化熱処理を施したMgイオン注入GaN上に形成したSiO2/GaN MOSキャパシタの電気特性評価",
    2021年 第82回応用物理学会秋季学術講演会, 12p-N305-5, Sep.12,
    (オンライン開催, September 10-13, 2021)
  13. 和田 悠平, 溝端 秀聡, 野﨑 幹人, 小林 拓真, 細井 卓治, 櫻井 秀樹, 加地 徹, 志村 考功, 渡部 平司,
    "超高圧活性化熱処理を施したMgイオン注入GaNを用いたPチャネルMOSFETの作製と評価",
    2021年 第82回応用物理学会秋季学術講演会, 12a-N305-6, Sep.12,
    (オンライン開催, September 10-13, 2021)
  14. 田淵 直人, 國吉 望月, 細井 卓治, 小林 拓真, 志村 考功, 渡部 平司,
    "石英基板上GeSn細線のレーザー溶融結晶化における光吸収層の検討",
    2021年 第82回応用物理学会秋季学術講演会, 10a-N202-3, Sep.10,
    (オンライン開催, September 10-13, 2021)
  15. 中沼 貴澄, 岩片 悠, 小林 拓真, 染谷 満, 岡本 光央, 吉越 章隆, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司,
    "NO窒化処理を施した4H-SiC(11-20) MOSデバイスの信頼性評価",
    2021年 第82回応用物理学会秋季学術講演会, 11p-N305-1, Sep.11,
    (オンライン開催, September 10-13, 2021)
  16. 中沼 貴澄, 岩片 悠, 小林 拓真, 染谷 満, 岡本 光央, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司,
    "SiO2/非基底面4H-SiC界面のNO窒化過程の観察と電気特性評価",
    2021年 第82回応用物理学会秋季学術講演会, 11p-N305-2, Sep.11,
    (オンライン開催, September 10-13, 2021)
  17. N. H. Ngo, T. Shimura, H. Watanabe, K. Shimonomura, H. Mutoh, T. G. Etoh,
    "Super-temporal-resolution Image Sensor -- Beyond the Theoretical Highest Frame Rate of Silicon Image Sensors --",
    映像情報メディア学会 情報センシング研究会（IST）, pp. 33-36, Jun.30,
    (オンライン開催, June 30, 2021)
  18. N. H. Ngo, T. Shimura, H. Watanabe, K. Shimonomura, Y. Kamakura, T. G. Etoh,
    "A Branching Image Sensor for Sub-nanosecond Burst Imaging",
    映像情報メディア学会 情報センシング研究会（IST）, pp. 37-40, Jun.30,
    (オンライン開催, June 30, 2021)
  19. 志村 考功, 宗森 美琴, 細井 卓治, 渡部 平司,
    "コースティックネットワーク開口を用いた後方散乱X線イメージング",
    2021年 第68回応用物理学会春季学術講演会, 18a-Z14-7, Mar.18,
    (オンライン開催, March 16-19, 2021)
  20. 溝端 秀聡, 和田 悠平, 野崎 幹人, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司,
    "SiO2/GaN MOSデバイスの性能向上に向けた堆積後熱処理条件の検討",
    2021年 第68回応用物理学会春季学術講演会, 16a-Z16-6, Mar.16,
    (オンライン開催, March 16-19, 2021)
  21. 國吉 望月, 田淵 直人, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司,
    "レーザー溶融結晶化による石英基板上単結晶GeSn作製技術の高度化",
    2021年 第68回応用物理学会春季学術講演会, 16p-P02-1, Mar.16,
    (オンライン開催, March 16-19, 2021)
  22. 冨ケ原 一樹, 和田 悠平, 溝端 秀聡, 野崎 幹人, 吉越 章隆, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司,
    "GaN(0001)面上に形成したSiO2/GaN MOSキャパシタの電気特性評価",
    2021年 第68回応用物理学会春季学術講演会, 16a-Z16-5, Mar.16,
    (オンライン開催, March 16-19, 2021)
  23. 中沼 貴澄, 細井 卓司, 染谷 満, 岡本 光央, 志村 考功, 渡部 平司,
    "NO窒化処理を施したSiO2/4H-SiC(112(_)0)界面のX線光電子分光分析",
    2021年 第68回応用物理学会春季学術講演会, 18p-Z05-7, Mar.18,
    (オンライン開催, March 16-19, 2021)
  24. 溝端 秀聡, 和田 悠平, 野崎 幹人, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司,
    "水素ガスアニールにより生じるSiO2/GaN界面の異常な固定電荷の起源",
    電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－（第26回研究会）, pp. 195 - 199, Jan.22,
    (オンライン開催, January 22-23, 2021).

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解説 / Reviews

　　　 　　

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