研究成果

研究業績受賞歴

年： 2023 | 2022 | 2021 | 2020 | 2019 | 2018 | 2017 | 2016 | 2015 | 2014 | 2013 | 2012 | 2011 | 2010 | 2009 | 2008 | 2007 | 2006 | 2005 | 2004

2020年研究成果

学術論文 / Journal Papers

  1. N. H. Ngo, A. Q. Nguyen, F. M. Bufler, Y. Kamakura, H. Mutoh, T. Shimura, T. Hosoi, H. Watanabe, P. Matagne, K. Shimonomura, K. Takehara, E. Charbon and T. G. Etoh,
    "Toward the Super Temporal Resolution Image Sensor with a Germanium Photodiode for Visible Light",
    Sensors, 20, (23), 6895(2020).
  2. T. Kimoto, and H. Watanabe,
    "Defect engineering in SiC technology for high-voltage power devices",
    Applied Physics Express, 13, (12) pp 120101-1~44(2020).
  3. H. Mizobata, Y. Wada, M. Nozaki, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe,
    "Anomalous interface fixed charge generated by forming gas annealing in SiO2/GaN MOS devices",
    Applied Physics Express, 13, (8) pp 081001-1~4(2020).
  4. H. Takeda, M. Sometani, T. Hosoi, T. Shimura, H. Yano and H. Watanabe,
    "Insight into Channel Conduction Mechanisms of 4H-SiC(0001) MOSFET Based on Temperature-Dependent Hall Effect Measurement",
    Materials Science Forum, 1004, pp 620~626(2020).
  5. M. Nozaki, D. Terashima, A. Yoshigoe, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe,
    "Evaluation and mitigation of reactive ion etching-induced damage in AlGaN/GaN MOS structures fabricated by low-power inductively coupled plasma",
    Japanese Journal of Applied Physics, 59, (SM) pp SMMA07-1~7(2020).
  6. Y. Wada, M. Nozaki, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe,
    "Insight into gate dielectric reliability and stability of SiO2/GaN MOS devices",
    Japanese Journal of Applied Physics, 59, (SM) pp SMMA03-1~5(2020).
  7. T. Umeda, Y. Nakano, E. Higa, T. Okuda and T. Kimoto, T. Hosoi and H. Watanabe, M. Sometani and S. Harada,
    "Electron-spin-resonance and electrically detected-magnetic-resonance characterization on PbC center in various 4H-SiC(0001)/SiO2 interfaces",
    Journal of Applied Physics, 127, (14) pp 145301-1~8(2020).
  8. A. Uedono, W. Ueno, T. Yamada, T. Hosoi, W. Egger, T. Koschine, C. Hugenschmidt, M. Dickmann, and H. Watanabe,
    "Voids and vacancy-type defects in SiO2/GaN structures probed by monoenergetic positron beams",
    Journal of Applied Physics, 127, (5) pp 054503-1~8(2020).
  9. T. Hosoi, S. Azumo, Y. Kashiwagi, S. Hosaka, K. Yamamoto, M. Aketa, H. Asahara, T. Nakamura, T. Kimoto, T. Shimura, and H. Watanabe,
    "Comprehensive and systematic design of metal/high-k gate stack for high-performance and highly reliable SiC power MOSFET",
    Japanese Journal of Applied Physics, 59, (2) pp 021001-1~8(2020).

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国際会議 / International Conferences

  1. H. Watanabe, T. Hosoi, M. Nozaki, H. Mizobata, and T. Shimura,
    "Gate Stack Technology for Advanced GaN-based MOS Devices" (Invited),
    2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2020), K-4-01, Sep.29,
    (Held online, September 27-30, 2020)

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国内学会 / Domestic Conferences

  1. 細井 卓治,
    "ワイドバンドギャップ半導体MOSデバイスにおけるゲート酸化膜破壊",
    先進パワー半導体分科会 第7回講演会, Dec.8,
    (オンライン開催, December 8-10, 2020)
  2. K. Moges, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe,
    "4H-SiC CMOS inverters fabricated by ultrahigh-temperature gate oxidation and forming gas annealing",
    先進パワー半導体分科会 第7回講演会, IB-10, Dec.9,
    (オンライン開催, December 8-10, 2020)
  3. 溝端秀聡, 和田悠平, 野崎幹人, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司,
    "水素ガスアニールに起因したSiO2/GaN界面での異常な固定電荷生成とその物理的起源",
    先進パワー半導体分科会 第7回講演会, IA-16, Dec.9,
    (オンライン開催, December 8-10, 2020)
  4. 志村 考功, 細井 卓治, 渡部 平司,
    "フレネルゾーン開口を用いた後方散乱X線イメージングの検討",
    2020年 第81回応用物理学会秋季学術講演会, 9a-Z25-3, Sep.9,
    (オンライン開催, September 8-11, 2020)
  5. 志村 考功, 和田 裕希, 細井 卓治, 渡部 平司,
    "液相成長法により形成したGeSn細線の結晶欠陥が発光効率に与える影響",
    2020年 第81回応用物理学会秋季学術講演会, 9p-Z12-3, Sep.9,
    (オンライン開催, September 8-11, 2020)
  6. 溝端 秀聡, 和田 悠平, 野﨑 幹人, 細井 卓治, 志村 考功,
    "SiO2/GaN MOSデバイスにおける水素ガスアニール起因の異常な固定電荷生成のアニール温度依存性",
    2020年 第81回応用物理学会秋季学術講演会, 10p-Z04-12, Sep.10,
    (オンライン開催, September 8-11, 2020)
  7. 和田 悠平, 溝端 秀聡, 野崎 幹人, 細井 卓治, 加地 徹, 志村 考功, 渡部 平司,
    "p-GaN MIS電気特性評価に向けたAlGaNバリア層の検討",
    2020年 第81回応用物理学会秋季学術講演会, 10p-Z04-13, Sep.10,
    (オンライン開催, September 8-11, 2020)
  8. 上殿 明良, 上野 航, 細井 卓治, Egger Werner, Hugenschmidt Christoph, Dickmann Marcel, 渡部 平司,
    "陽電子消滅によるGaN基板上に成膜したTEOS-SiO2膜の空隙の検出",
    2020年 第81回応用物理学会秋季学術講演会, 10p-Z04-15, Sep.10,
    (オンライン開催, September 8-11, 2020)
  9. 志村 考功, 和田 裕希, 細井 卓治, 渡部 平司,
    "高品質単結晶GeSn細線を用いた横型PINダイオードの作製とその発光特性評価",
    2020年 第67回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集, 12a-D519-9,
    (上智大学, March 12-15, 2020)
  10. Moges Kidist, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司,
    "超高温プロセスで作製した4H-SiC(0001) pMOSFETの高温特性とCMOS応用",
    2020年 第67回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集, 15p-A201-13,
    (上智大学, March 12-15, 2020)
  11. 溝端 秀聡, 和田 悠平, 加賀 三志郎, 野﨑 幹人, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司,
    "SiO2/GaN MOSデバイスにおける水素ガスアニール起因の異常な固定電荷生成の理解",
    2020年 第67回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集, 13a-B401-4,
    (上智大学, March 12-15, 2020)
  12. 上殿 明良, 上野 航, 細井 卓治, Egger W., Koschine T, Hugenschmidt C., Dickmann M., 渡部 平司,
    "陽電子消滅によるSiO2/GaN構造の空隙と空孔型欠陥の検出",
    2020年 第67回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集, 14a-B401-3,
    (上智大学, March 12-15, 2020)
  13. 西村 辰彦, 中西 英俊, 川山 巌, 斗内 政吉, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司,
    "400 nmレーザーを利用したレーザーテラヘルツエミッション顕微鏡による4H-SiCウエハ特性評価",
    2020年 第67回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集, 15a-A201-6,
    (上智大学, March 12-15, 2020)
  14. 寺尾 豊, 辻 英徳, 細井 卓治, 張 旭芳, 矢野 裕司, 志村 考功, 渡部 平司,
    "The Role of Oxygen Ambient Anneal for Ba-incorporated SiO2/SiC Interface",
    電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－（第25回研究会）, pp. 137 - 139, Jan.31,
    (東レ総合研修センター, 静岡県三島市, January 30-February 1, 2020).
  15. 岡 博史, 水林 亘, 森 貴洋, 石川 由紀, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司, 遠藤 和彦,
    "フラッシュランプアニール法を用いたGOI基板上固相成長GeSn n-MOSFETsの作製",
    電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－（第25回研究会）, pp. 121 - 124, Jan.31,
    (東レ総合研修センター, 静岡県三島市, January 30-February 1, 2020).
  16. 和田 裕希, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司,
    "液相成長GeSnを用いた横型pinダイオードの高効率室温エレクトロルミネッセンス",
    電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－（第25回研究会）, pp. 65 - 68, Feb.1,
    (東レ総合研修センター, 静岡県三島市, January 30-February 1, 2020).

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解説 / Reviews

  1. 江藤 剛治, 下ノ村 和弘, 志村 考功, 渡部 平司,
    "光の飛翔を捉えた超高速イメージセンサと今後の展開",
    映像情報メディア学会誌, Vol. 74, No. 6, pp.936-941,
    (November, 2020).
　　　 　　

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