研究成果

研究業績受賞歴

年度:2022 | 2021 | 2020 | 2019 | 2018 | 2017 | 2016 | 2015 | 2014 | 2013 | 2012 | 2011 | 2010 | 2009 | 2008 | 2007 | 2006 | 2005 | 2004

2019年度研究成果

学術論文 / Journal Papers

  1. M. Sometani, T. Hosoi, H. Hirai, T. Hatakeyama, S. Harada, H. Yano, T. Shimura, H. Watanabe, Y. Yonezawa, and H. Okumura,
    "Ideal phonon-scattering-limited mobility in inversion channels of 4H-SiC(0001) MOSFETs with ultralow net doping concentrations",
    Applied Physics Letters, 115, (13) pp 132102-1~5(2019).
  2. K. Moges, M. Sometani, T.Hosoi, T. Shimura, S. Harada, and H. Watanabe,
    "Sub-nm-Scale Depth Profiling of Nitrogen in NO- and N2-Annealed SiO2/4H-SiC(0001) Structures",
    Materials Science Forum, 963, pp 226~229(2019).
  3. H. Takeda, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe,
    "Evaluation of the Impact of Al Atoms on SiO2/SiC Interface Property by Using 4H-SiC n+-Channel Junctionless MOSFET",
    Materials Science Forum, 963, pp 171~174(2019).
  4. T. Hosoi, K. Watanabe, M. Nozaki, T. Yamada T. Shimura, and H. Watanabe,
    "Mobility enhancement in recessed-gate AlGaN/GaN MOS-HFETs using an AlON gate insulator",
    Japanese Journal of Applied Physics, 58, (SC) pp SCCD16-1~6(2019).
  5. T. Yamada, D. Terashima, M. Nozaki, H. Yamada, T. Takahashi, M. Shimizu, A. Yoshigoe, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe,
    "Controlled oxide interlayer for improving reliability of SiO2/GaN MOS devices",
    Japanese Journal of Applied Physics, 58, (SC) pp SCCD06-1~5(2019).
  6. M. Nozaki, D. Terashima, T. Yamada, A. Yoshigoe, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe,
    "Comparative study on thermal robustness of GaN and AlGaN/GaN MOS devices with thin oxide interlayers",
    Japanese Journal of Applied Physics, 58, (SC) pp SCCD08-1~6(2019).
  7. K. Moges, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe,
    "Performance improvement in 4H-SiC(0001) p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with a gate oxide grown at ultrahigh temperature",
    Applied Physics Express, 12, (6) pp 061003-1~4(2019).
  8. S. Yoshida, D. H L Lin, R. Suzuki, Y. Miyanami, N. Collaert, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe,
    "Analysis of III–V oxides at high-k/InGaAs interfaces induced by metal electrodes",
    Japanese Journal of Applied Physics, 58, (5) pp 051010-1~6(2019).
  9. Y. Wada, K. Inoue, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe,
    "Demonstration of mm long nearly intrinsic GeSn single-crystalline wires on quartz substrate fabricated by nucleation-controlled liquid-phase crystallization",
    Japanese Journal of Applied Physics, 58, (SB) pp SBBK01-1~6(2019).

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国際会議 / International Conferences

  1. T. Hosoi, M. Ohsako, T. Shimura, and H. Watanabe,
    "High-temperature CO2 Process for Improvement of SiC MOS Characteristics",
    50th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC 2019), 14.2, Dec.14,
    (San Diego, USA, December 11-14, 2019)
  2. Y. Wada, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe,
    "Room Temperature Electroluminescence from Tensile-strained GeSn Lateral PIN Structures Fabricated by Nucleation-controlled Liquid-phase Crystallization",
    50th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC 2019), 8.4, Dec.13,
    (San Diego, USA, December 11-14, 2019)
  3. Y. Terao, H. Tsuji, T. Hosoi, X. Zhang, H. Yano, T. Shimura, and H. Watanabe,
    "The role of oxygen ambient anneal for Ba-incorporated SiO2/SiC interface",
    50th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC 2019), 6.17, Dec.12,
    (San Diego, USA, December 11-14, 2019)
  4. T. Shimura, T. Hosoi, and H. Watanabe,
    "Oxidation of SiGe Alloy: Residual Order in SiO2 and Self-limiting Oxidation" (Invited),
    International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES – SCIENCE AND TECHNOLOGY – (IWDTF 2019), S5-2, pp. 90-91, Nov.19,
    (Tokyo, Japan, November 18-20, 2019)
  5. T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe,
    "Thermal Oxidation of SiC: Kinetics and SiO2/SiC Interface Property" (Invited),
    International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES – SCIENCE AND TECHNOLOGY – (IWDTF 2019), S5-4, pp. 94-95, Nov.19,
    (Tokyo, Japan, November 18-20, 2019)
  6. M. Nozaki, D. Terashima, A. Yoshigoe, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe,
    "Evaluation of Reactive Ion Etching-induced Damage on 2DEG at AlGaN/GaN Interface",
    International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES – SCIENCE AND TECHNOLOGY – (IWDTF 2019), S1-2, pp. 8-9, Nov.18,
    (Tokyo, Japan, November 18-20, 2019)
  7. Y. Wada, M. Nozaki, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe,
    "Insight into Ga Diffusion in SiO2 Dielectric Layer and Process Design for Improved Reliability of GaN-based MOS Devices",
    International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES – SCIENCE AND TECHNOLOGY – (IWDTF 2019), P-27, pp. 64-65, Nov.18,
    (Tokyo, Japan, November 18-20, 2019)
  8. R. Fukuda, A. Yamazaki, D. Tsukamoto, T. Hosoi, H. Watanabe, and T. Shimura,
    "X-ray phase-contrast imaging using Talbot-Lau interferometer with lanthanum targets embedded in diamond substrates",
    X-ray and Neutron Phase Imaging with Gratings (XNPIG 2019), ORAL 29, Oct.23,
    (Sendai, Japan, October 20-24, 2019)
  9. T. Hosoi, M. Ohsako, T. Shimura, and H. Watanabe,
    "Interface Engineering of SiC MOS Devices by High-temperature CO2 Treatment",
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2019), Th-P-33, Oct.3,
    (Kyoto, Japan, September 30-October 4, 2019)
  10. H. Takeda, M. Sometani, T. Hosoi, T. Shimura, H. Yano, and H. Watanabe,
    "Insight into Channel Conduction Mechanisms of 4H-SiC(0001) MOSFET based on Temperature-dependent Hall Effect Measurement",
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2019), Mo-P-29, Sep.30,
    (Kyoto, Japan, September 30-October 4, 2019)
  11. T. Nishimura, H. Nakanishi, I. Kawayama, M. Tonouchi, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe,
    "Characterization of Surface Potential of Oxidized Silicon Carbide by a Laser Terahertz Emission Microscope",
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2019), We-P-27, Oct.2,
    (Kyoto, Japan, September 30-October 4, 2019)
  12. T. Hosoi, M. Nozaki, T. Shimura, and H. Watanabe,
    "Gate stack engineering for GaN power MOSFETs" (Invited),
    13th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2019), 4-1, Aug.27,
    (Toyama, Japan, August 26-29, 2019)
  13. T. Hosoi, K. Moges, T. Shimura, and H. Watanabe,
    "Recent progress in understanding carbon-related interface defects and electrical properties in SiC-MOS devices" (Invited),
    INFOS 2019, 4.3, Jul.1,
    (Cambridge, UK, June 30-July 3, 2019)
  14. H. Oka, W. Mizubayashi, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe, T. Maeda, N. Uchida, and K. Endo,
    "Tensile-strained GeSn-on-SOI MSM Photodetector Fabricated by Solid-phase Epitaxy",
    JST-MOST Workshop "Nanoelectronics and Systems Integration for AI", P-13, Jun.14,
    (Kyoto, Japan, June 14, 2019)

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国内学会 / Domestic Conferences

  1. 細井卓治,大迫桃恵,伊藤滉二,志村考功,木本恒暢,渡部平司,
    "CO2アニールによるSiO2/SiC界面窒素量制御とSiC MOSFET信頼性向上",
    先進パワー半導体分科会第6回講演会, IB-12, Dec.3,
    (広島国際会議場, December 3-4, 2019)
  2. 野崎幹人,寺島大貴,吉越章隆,細井卓治,志村考功,渡部平司,
    "AlGaN/GaNヘテロ構造の低バイアス電力ICPエッチングによる低損傷加工",
    先進パワー半導体分科会第6回講演会, IIA-20, Dec.4,
    (広島国際会議場, December 3-4, 2019)
  3. 和田悠平,野崎幹人,細井卓治,志村考功,渡部平司,
    "SiO2中へのGa拡散がSiO2/GaN MOS特性に与える影響の評価",
    先進パワー半導体分科会第6回講演会, IA-19, Dec.3,
    (広島国際会議場, December 3-4, 2019)
  4. 西村辰彦,中西英俊,川山巌,斗内政吉,細井卓治,志村考功,渡部平司,
    "レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡を用いたSiC MOS界面の表面ポテンシャル評価",
    先進パワー半導体分科会第6回講演会, IB-13, Dec.3,
    (広島国際会議場, December 3-4, 2019)
  5. 細井 卓治, 大迫 桃恵, 伊藤 滉二, 志村 考功, 木本 恒暢, 渡部 平司,
    "NO窒化後のCO2熱処理によるSiC MOSFETの閾値電圧安定性向上",
    2019年 第80回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集, 20a-E311-9, Sep.20,
    (北海道大学, September 18-21, 2019)
  6. 野崎 幹人, 寺島 大貴, 吉越 章隆, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司,
    "ICPエッチングがAlGaN/GaN界面の2DEGに与える影響の評価",
    2019年 第80回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集, 21a-E301-2, Sep.21,
    (北海道大学, September 18-21, 2019)
  7. 辻 英徳, 寺尾 豊, 細井 卓治, 張 旭芳, 矢野 裕司, 志村 考功, 渡部 平司,
    "SiO2/SiC界面電気特性のBa増速酸化温度依存性",
    2019年 第80回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集, 19p-PB4-5, Sep.19,
    (北海道大学, September 18-21, 2019)
  8. 福田 椋南子, 塚本 大裕, 細井 卓治, 渡部 平司, 志村 考功,
    "マルチラインLa埋め込みX線源を用いたX線位相イメージング",
    2019年 第80回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集, 19p-E318-8, Sep.19,
    (北海道大学, September 18-21, 2019)
  9. 和田 悠平, 野崎 幹人, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司,
    "SiO2膜中へのGa拡散制御によるゲート絶縁膜信頼性の改善",
    2019年 第80回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集, 20a-E301-8, Sep.20,
    (北海道大学, September 18-21, 2019)
  10. 西村 辰彦, 中西 英俊, 川山 巌, 斗内 政吉, 細井 卓治, 志村 孝功, 渡部 平司,
    "MOS界面におけるレーザーパルス励起THz波放射機構の考察 - 表面電場とフォトデンバー効果の分離 -",
    2019年 第80回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集, 18a-E303-6, Sep.18,
    (北海道大学, September 18-21, 2019)
  11. 細井卓治, Kidist Moges, 染谷 満, 志村考功, 原田信介, 渡部平司,
    "NO窒化処理を施したSiO2/SiC界面近傍の窒素分布評価",
    シリコン材料・デバイス(SDM)研究会, pp.1-4, Jun.21,
    (名古屋大学, June 21, 2019)
  12. 岡 博史, 井上 慶太郎, Thi Thuy Nguyen, 黒木 伸一郎, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司,
    "近赤外イメージセンサーに向けた石英基板上裏面照射型GeSnフォトダイオードアレイの開発"(招待講演),
    電気化学会第86回大会, 3C07, Mar.29,
    (京都大学吉田キャンパス, March 27-29, 2019)
  13. 細井 卓治, 大迫 桃恵, 志村 考功, 渡部 平司,
    "CO2雰囲気下での4H-SiC熱酸化の検討",
    2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集, 10a-70A-6, Mar.10,
    (東京工業大学大岡山キャンパス, March 9-12, 2019)
  14. 細井 卓治, 大迫 桃恵, 志村 考功, 渡部 平司,
    "CO2アニールによる4H-SiC(0001) MOSデバイスの特性改善",
    2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集, 10a-70A-7, Mar.10,
    (東京工業大学大岡山キャンパス, March 9-12, 2019)
  15. 山田 高寛, 和田 悠平, 寺島 大貴, 野崎 幹人, 上野 勝典, 高島 信也, 山田 永, 高橋 言緒, 清水 三聡, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司,
    "SiO2/GaN MOSデバイスに対するフォーミングガス熱処理の効果",
    2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集, 9a-M121-4, Mar.9,
    (東京工業大学大岡山キャンパス, March 9-12, 2019)
  16. 岡 博史, 水林 亘, 石川 由紀, 細井 卓治, 志村 考 功, 渡部 平司, 前田 辰郎, 内田 紀行, 遠藤 和彦,
    "固相エピタキシー法によるSOI基板上GeSn MSMダイオードの作製",
    2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集, 11a-W331-8, Mar.11,
    (東京工業大学大岡山キャンパス, March 9-12, 2019)
  17. 井上 慶太郎, 和田 裕希, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司,
    "石英基板上GeSn液相成長におけるGeSn堆積温度と細線形状の効果",
    2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集, 12p-M113-6, Mar.12,
    (東京工業大学大岡山キャンパス, March 9-12, 2019)
  18. 西村 辰彦, 中西 英俊, 川山 巌, 斗内 政吉, 細井卓治, 志村 考功, 渡部 平司,
    "レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡を用いたSiO2/SiC 界面の表面ポテンシャル評価",
    2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集, 10a-70A-4, Mar.10,
    (東京工業大学大岡山キャンパス, March 9-12, 2019)
  19. 名倉 拓哉, 長川 健太, 洗平 昌晃, 細井 卓治, 渡部 平司, 押山 淳, 白石 賢二,
    "AlONゲート絶縁膜へのHf添加によるホールリーク抑制の物理的起源",
    2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集, 11a-PB2-10, Mar.11,
    (東京工業大学大岡山キャンパス, March 9-12, 2019)
  20. 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司,
    "熱酸化SiO2/SiC界面欠陥とMOS特性",
    応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第216回研究集会, p. 39 - 44, Feb.28,
    (大阪大学中之島センター, 大阪市, February 28, 2019).
  21. 山田 高寛, 寺島 大貴, 野崎 幹人, 山田 永, 高橋 言諸, 清水 三聡, 吉越 章隆, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司,
    "導電型の異なるGaN上GaOx界面層の放射光XPS分析",
    電子デバイス界面テクノロジー研究会-材料・プロセス・デバイス特性の物理-(第24回研究会), pp. 249 - 252, Jan.25,
    (東レ総合研修センター, 静岡県三島市, January 24-26, 2019).
  22. 武田 紘典, 染谷 満, 細井 卓治, 志村 考功, 矢野 裕司, 渡部 平司,
    "温度可変ホール効果測定による4H-SiC(0001) MOSFETチャネル内電子伝導機構の考察",
    電子デバイス界面テクノロジー研究会-材料・プロセス・デバイス特性の物理-(第24回研究会), pp. 225 - 228, Jan.25,
    (東レ総合研修センター, 静岡県三島市, January 24-26, 2019).
  23. 名倉 拓哉, 長川 健太, 洗平 昌晃, 細井 卓治, 渡部 平司, 押山 淳, 白石 賢二,
    "AlON絶縁膜へのHf原子添加効果に関する理論的研究",
    電子デバイス界面テクノロジー研究会-材料・プロセス・デバイス特性の物理-(第24回研究会), pp. 129 - 132, Jan.25,
    (東レ総合研修センター, 静岡県三島市, January 24-26, 2019).

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解説 / Reviews

      

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