研究成果

研究業績受賞歴

年度:2022 | 2021 | 2020 | 2019 | 2018 | 2017 | 2016 | 2015 | 2014 | 2013 | 2012 | 2011 | 2010 | 2009 | 2008 | 2007 | 2006 | 2005 | 2004

2017年度研究成果

学術論文 / Journal Papers

  1. S. Yoshida, H.C. Lin, A. Vais, A. Alian, J. Franco, S. El Kazzi, Y. Mols, Y. Miyanami, M. Nakazawa, N. Collaert, H. Watanabe, and A. Thean,
    "High Mobility In0.53Ga0.47As MOSFETs with Steep Sub-threshold Slope Achieved by Remote Reduction of Native III-V Oxides with Metal Electrodes,"
    IEEE Journal of the Electron Devices Society, 5, (6) pp 480~484(2017).
  2. K. Watanabe, M. Nozaki, T. Yamada, S. Nakazawa, Y. Anda, M. Ishida, T. Ueda, A. Yoshigoe, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe,
    "Design and control of interface reaction between Al-based dielectrics and AlGaN layer in AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor structures,"
    Appl. Phys. Lett., 111, (4) pp 042102-1~5(2017).
  3. T. Yamada, J. Ito, R. Asahara, K. Watanabe, M. Nozaki, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe,
    "Improved interface properties of GaN-based metal-oxide-semiconductor devices with thin Ga-oxide interlayers,"
    Appl. Phys. Lett., 110, (26) pp 261603-1~5(2017).
  4. T. Hosoi, D. Nagai, M. Sometani, T. Shimura, M. Takei, and H. Watanabe,
    "Ultrahigh Temperature Oxidation of 4H-SiC(0001) and an Impact of Cooling Process on SiO2/SiC Interface Properties",
    Materials Science Forum, 897, pp. 323-326(2017).
  5. A. Chanthaphan, Y. Katsu, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe,
    "Structure and Surface Morphology of Thermal SiO2 Grown on 4H-SiC by Metal-Enhanced Oxidation Using Barium",
    Materials Science Forum, 897, pp. 340-343(2017).
  6. M. Sometani, D. Nagai, Y. Katsu, T. Hosoi, T. Shimura, M. Takei, Y. Yonezawa, and H. Watanabe,
    "Impact of rapid cooling process in ultrahigh-temperature oxidation of 4H-SiC(0001),"
    Jpn. J. Appl. Phys., 56, (4S) pp 04CR04-1~3(2017).
  7. T. Yamada, J. Ito, R. Asahara, K. Watanabe, M. Nozaki, S. Nakazawa, Y. Anda, M. Ishida, T. Ueda, A. Yoshigoe, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe,
    "Comprehensive study on initial thermal oxidation of GaN(0001) surface and subsequent oxide growth in dry oxygen ambient,"
    J. Appl. Phys., 121, (3) pp 035303-1~9(2017).
  8. H. Oka, T. Amamoto, M. Koyama, Y. Imai, S. Kimura, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe,
    "Fabrication of tensile-strained single-crystalline GeSn on transparent substrate by nucleation-controlled liquid-phase crystallization,"
    Appl. Phys. Lett., 110, (3) pp 032104-1~5(2017).

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国際会議 / International Conferences

  1. R. Hosono, D. Tsukamoto, T. Kawabata, K. Hayashida, T. Kudo, K. Ozaki, T. Hatsui, N. Teranishi, T. Hosoi, H. Watanabe, T. Shimura,
    "Improvements of Grating-based X-ray Phase Contrast Imaging with a Microfocus X-ray Source by a SOI Pixel Detector, SOPHIAS",
    HSTD11 & SOIPIX2017,
    (Okinawa, Japan, December 10 - 15, 2017).
  2. T. Hosoi, Y. Katsu, K. Moges, H. Tsuji, M. Sometani, T. Shimura, H. Watanabe,
    "4H-SiC(0001) N- and P-channel MOSFETs with Pure SiO2 Gate Dielectrics Formed under Extreme Oxidation Conditions",
    48th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (2017 SISC),
    (San Diego, USA, December 6 - 9, 2017).
  3. M. Sometani, Y. Katsu, D. Nagai, H. Tsuji, T. Hosoi, T. Shimura, Y. Yonezawa, H. Watanabe,
    "Improved Channel Mobility of 4H-SiC N-MOSFETs by Ultrahigh-Temperature Oxidation with Low-Oxygen Partial-Pressure Cooling Procedure",
    48th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (2017 SISC),
    (San Diego, USA, December 6 - 9, 2017).
  4. K. Watanabe, M. Nozaki, T. Yamada, S. Nakazawa, M. Ishida, Y. Anda, T. Ueda, A. Yoshigoe, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe,
    "AlGaN/GaN MOS-HFET with high-quality and robust N-incorporated aluminum oxide (AlON) gate insulator",
    48th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (2017 SISC),
    (San Diego, USA, December 6 - 9, 2017).
  5. H. Oka, K. Inoue, T. T. Nguyen, S. Kuroki, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe,
    "Back-side Illuminated GeSn Photodiode Array on Quartz Substrate Fabricated by Laser-induced Liquid-phase Crystallization for Monolithically-integrated NIR Imager Chip",
    63rd IEEE International Electron Devices Meeting (2017 IEDM),
    (San Francisco, USA, December 2 - 6, 2017).
  6. S. Nakazawa, H.-A. Shih, N. Tsurumi, Y. Anda, T. Hatsuda, T. Ueda, M. Nozaki, T. Yamada, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe, and T. Hashizume,
    "Fast Switching Performance by 20 A / 730 V AlGaN/GaN MIS-HFET Using AlON Gate Insulator",
    63rd IEEE International Electron Devices Meeting (2017 IEDM),
    (San Francisco, USA, December 2 - 6, 2017).
  7. T. Yamada, K. Watanabe, M. Nozaki, H. Shih, S. Nakazawa, Y. Anda, T. Ueda, A. Yoshigoe, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe,
    "Physical and Electrical Characterization of AlGaN/GaN MOS Gate Stacks with AlGaN Surface Oxidation Treatment",
    2017 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES –SCIENCE AND TECHNOLOGY– (2017 IWDTF),
    (Nara, Japan, November 20 - 22, 2017).
  8. M. Nozaki, K. Watanabe, T. Yamada, H. Shih, S. Nakazawa, Y. Anda, T. Ueda, A. Yoshigoe, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe,
    "AlON Gate Dielectrics Formed by Repeating ALD-based Thin AlN Deposition and In situ Oxidation for AlGaN/GaN MOS-HFETs",
    2017 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES –SCIENCE AND TECHNOLOGY– (2017 IWDTF),
    (Nara, Japan, November 20 - 22, 2017).
  9. K. Watanabe, D. Terashima, M. Nozaki, T. Yamada, S. Nakazawa, M. Ishida, Y. Anda, T. Ueda, A. Yoshigoe, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe,
    "SiO2/AlON Stacked Gate Dielectrics for AlGaN/GaN MOS-HFET",
    2017 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES –SCIENCE AND TECHNOLOGY– (2017 IWDTF),
    (Nara, Japan, November 20 - 22, 2017).
  10. K. Arima, T. Hosoi, H. Watanabe, and E.J. Crumlin,
    "Reactivity of Water Vapor with Ultrathin GeO2/Ge and SiO2/Si Structures Investigated by Near-Ambient-Pressure X-ray Photoelectron Spectroscopy",
    232nd ECS Meeting,
    (National Harbor, MD, USA, October 1 - 5, 2017).
  11. T. Hosoi, Y. Katsu, D. Nagai, H. Tsuji, M. Sometani, T. Shimura and H. Watanabe,
    "Interface Property of SiO2/4H-SiC(0001) Structures Formed by Ultrahigh-Temperature Oxidation under Low Oxygen Partial Pressure",
    The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017),
    (Washington D.C., USA, September 17 - 24, 2017).
  12. K. Moges, T. Hosoi, T. Shimura and H. Watanabe,
    "Significant Performance Improvement in 4HSiC(0001) P-Channel MOSFETs with Gate Oxides Grown at Ultrahigh-Temperature",
    The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017),
    (Washington D.C., USA, September 17 - 24, 2017).
  13. H. Tsuji, T. Hosoi, Y. Terao, T. Shimura and H. Watanabe,
    "Improvement of SiO2/4H-SiC(0001) Interface Properties by H2 and Ar Mixture Gas Treatment Prior to SiO2 Deposition",
    The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017),
    (Washington D.C., USA, September 17 - 24, 2017).
  14. R. Hosono,
    "X-ray Phase Contrast Imaging using a Microfocus X-ray source Conjunction with Amplitude Grating and SOI Pixel Detector",
    The 4th International conference on X-ray and Neutron Phase Imaging with Gratings (XNPIG2017),
    (Zurich, Switzerland, September 12 - 15, 2017).
  15. T. Hosoi,
    "Single-Crystalline GeSn Formation on Transparent Substrate and its Optoelectronic Applications" (Invited),
    The 15th International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM 2017),
    (Kyoto, Japan, August 27 - September 1, 2017).
  16. T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe,
    "MOS Interface Engineering for Advanced SiC and GaN Power Devices" (Invited),
    2017 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2017),
    (Gyeongju, Korea, July 3 - 5, 2017).
  17. H. Oka, M. Koyama, T. Hosoi, T. Shimura and H. Watanabe,
    "Enhancement-Mode N-Channel TFT and Room-Temperature Near-Infrared Emission Based on n+/p Junction in Single-Crystalline GeSn on Transparent Substrate",
    2017 Symposium on VLSI Technology,
    (Kyoto, Japan, June 5 - 8, 2017).
  18. T. Hosoi, S. Azumo, Y. Kashiwagi, S. Hosaka, K. Yamamoto, M. Aketa, H. Asahara, T. Nakamura, T. Kimoto, T. Shimura and H. Watanabe,
    "Reliability-Aware Design of Metal/High-K Gate Stack for High-Performance SiC Power MOSFET,"
    The 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2017),
    (Sapporo, Japan, May 28 - June 1, 2017).
  19. K. Watanabe, M. Nozaki, T. Yamada, S. Nakazawa, Y. Anda, M. Ishida, T. Ueda, A. Yoshigoe, T. Hosoi, T. Shimura and H. Watanabe,
    "Design and Control of Interface Reaction between Al-based Dielectrics and AlGaN Layer for Hysteresis-free AlGaN/GaN MOS-HFETs,"
    The 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2017),
    (Sapporo, Japan, May 28 - June 1, 2017).

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国内学会 / Domestic Conferences

  1. 山田 高寛, 渡邉 健太,野崎 幹人,高橋 言諸,山田 永,清水 三聡,施 泓安,中澤 敏志,按田 義治,上田 哲三,吉越 章隆,細井 卓治,志村 考功,渡部 平司
    "ICPエッチング表面のプラズマ酸化処理によるSiO2/GaN界面欠陥の低減"
    先進パワー半導体分科会第4回講演会
    (名古屋国際会議場, November 1-2, 2017)
  2. 野崎 幹人,渡邉 健太,山田 高寛,施 泓安,中澤 敏志,按田 義治, 上田 哲三,吉越 章隆,細井 卓治,志村 考功,渡部 平司
    "AlGaN/GaN MOS デバイス向け ALD-AlON ゲート絶縁膜に対する窒素添加効果"
    先進パワー半導体分科会第4回講演会
    (名古屋国際会議場, November 1-2, 2017)
  3. Kidist Moges, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe
    "Impact of ultrahigh-temperature gate oxidation and hydrogen annealing on the performance of 4H-SiC(0001) p-channel MOSFETs"
    先進パワー半導体分科会第4回講演会
    (名古屋国際会議場, November 1-2, 2017)
  4. 武田 紘典、細井 卓治、志村 考功、渡部 平司
    "ジャンクションレス4H-SiC(0001) MOSFETを用いた高濃度n+層の電子移動度評価"
    先進パワー半導体分科会第4回講演会
    (名古屋国際会議場, November 1-2, 2017)
  5. 寺島 大貴,渡邉 健太,山田 高寛,野﨑 幹人,施 泓安,中澤 敏志, 按田 義治,上田 哲三,吉越 章隆,細井 卓治,志村 考功,渡部 平司
    "プラズマCVD成膜したSiO2/AlGaN界面特性の成膜電力依存性と堆積後熱処理の検討"
    先進パワー半導体分科会第4回講演会
    (名古屋国際会議場, November 1-2, 2017)
  6. 大迫 桃恵,細井 卓治,志村 考功,渡部 平司
    "紫外光照射とアニール処理によるSiC MOSキャパシタの電気特性改善"
    先進パワー半導体分科会第4回講演会
    (名古屋国際会議場, November 1-2, 2017)
  7. 西村辰彦,中西英俊,川山巌,斗内政吉,細井卓治,志村考功,渡部平司
    "レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡を用いた4H-SiC エハ/熱酸化膜の特性評価"
    先進パワー半導体分科会第4回講演会
    (名古屋国際会議場, November 1-2, 2017)
  8. 細野 凌、塚本大裕、川端智樹、林田 清、工藤統吾、尾崎恭介、初井宇記、寺西信一、細井卓治、渡部平司、志村考功
    "マイクロフォーカスX線源と振幅格子を用いた多波長X線位相イメージング-SOI ピクセル検出器による高度化-"
    精密工学会2017年度秋季大会
    (大阪大学豊中キャンパス, September 20-22, 2017)
  9. 塚本大裕、山崎 周、細野 凌、細井卓治、渡部平司、志村考功
    "La埋め込みターゲットを用いたTalbot-Lau干渉計によるX線位相イメージング"
    精密工学会2017年度秋季大会
    (大阪大学豊中キャンパス, September 20-22, 2017)
  10. 山田 高寛、渡邉 健太、野崎 幹人、高橋 言諸、山田 永、清水 三聡、細井 卓治、志村 考功、渡部 平司
    "ドライエッチングしたGaN表面の酸化処理によるSiO2/GaN界面特性改善"
    2017年 第78回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集, 5p-C17-14
    (福岡国際会議場他, September 5-8, 2017)
  11. 野崎 幹人、渡邉 健太、山田 高寛、施 泓安、中澤 敏志、按田 義治、上田 哲三、細井 卓治、志村 考功、渡部 平司
    "AlGaN/GaN上にALD法で形成したAlONゲート絶縁膜の電気特性評価"
    2017年 第78回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集, 5p-C17-11
    (福岡国際会議場他, September 5-8, 2017)
  12. 岡 博史、井上 慶太、冨田 崇史、和田 裕希、細井 卓治、志村 考功、渡部 平司
    "透明基板上単結晶GeSn n+/p接合フォトダイオードの作製と評価"
    2017年 第78回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集, 6p-C13-3
    (福岡国際会議場他, September 5-8, 2017)
  13. 細野 凌、塚本 大裕、川端 智樹、林田 清、工藤 統吾、尾崎 恭介、初井 宇記、寺西 信一、細井 卓治、渡部 平司、志村 考功
    "多層膜X線ターゲットとピクセル検出器を用いた元素識別X線イメージング"
    2017年 第78回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集, 6a-S41-3
    (福岡国際会議場他, September 5-8, 2017)
  14. 武田 紘典、細井 卓治、志村 考功、渡部 平司
    "ジャンクションレス4H-SiC(0001) MOSFETの電子移動度評価"
    2017年 第78回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集, 6a-A201-4
    (福岡国際会議場他, September 5-8, 2017)
  15. 寺島 大貴、渡邉 健太、山田 高寛、野﨑 幹人、施 泓安、中澤 敏志、按田 義治、上田 哲三、吉越 章隆、細井 卓治、志村 考功、渡部 平司
    "プラズマCVD成膜したSiO2/AlGaN界面特性の成膜電力および温度依存性"
    2017年 第78回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集, 5p-C17-5
    (福岡国際会議場他, September 5-8, 2017)
  16. 細井 卓治,
    "GaNパワーMOSFET向けゲート絶縁膜技術(依頼講演)"
    スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会(SP部会)第153回定例研究会,
    (信州大学(長野)工学キャンパス内 国際科学イノベーションセンター ), May 19, 2017).
  17. 山田 高寛, 渡邉 健太, 野崎 幹人, 上野 勝典, 高島 信也, 江戸 雅晴, 高橋 言諸, 清水 三聡, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司,
    "SiO2/GaN構造におけるSiO2膜中へのGa拡散とMOS電気特性への影響,"
    2017年春季 第64回応用物理学関係連合講演会予稿集, 15p-315-6,
    (パシフィコ横浜, March 14-17, 2017).
  18. 岡 博史, 冨田 崇史, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司,
    "横方向液相成長により作製したSb ドープ単結晶GeSn n チャネルTFT,"
    2017年春季 第64回応用物理学関係連合講演会予稿集, 14a-304-7,
    (パシフィコ横浜, March 14-17, 2017).
  19. 勝 義仁, 辻 英徳, アイエレ キディスト モーゲス, 染谷 満, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司,
    "熱酸化極限条件で作製した4H-SiC(0001) MOSFET の電気特性評価,"
    2017年春季 第64回応用物理学関係連合講演会予稿集, 17p-301-6,
    (パシフィコ横浜, March 14-17, 2017).
  20. 冨田 崇史,岡 博史,小山 真広,田中 章吾,細井 卓治,志村 考功,渡部 平司,
    "横方向液相成長によって作製した引張歪み高濃度n 型Ge 細線の光学特性評価,"
    2017年春季 第64回応用物理学関係連合講演会予稿集, 14p-318-5,
    (パシフィコ横浜, March 14-17, 2017).
  21. 藤田 栄悟, 田中 誠人, チャン タパアタウット, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 考功, 渡部 平司,
    "Ba 増膜酸化 SiO2/SiC における表面粗さの Ba 膜厚及び酸化温度依存性,"
    2017年春季 第64回応用物理学関係連合講演会予稿集, 17p-301-8,
    (パシフィコ横浜, March 14-17, 2017).
  22. 細野 凌, 佐野 壱成, 川端 智樹, 林田 清, 工藤 統吾, 尾崎 恭介, 初井 宇記, 細井 卓治, 渡部 平司, 志村 考功,
    "マイクロフォーカスX線源と振幅格子を用いたX線位相イメージング-振幅格子の投影像の短周期化の検討-,"
    2017年春季 第64回応用物理学関係連合講演会予稿集, 15p-318-3,
    (パシフィコ横浜, March 14-17, 2017).
  23. 渡邉 健太, 山田 高寛, 野﨑 幹人, 中澤 敏志, 施 泓安, 按田 義治, 上田 哲三, 吉越 章隆, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司 ,
    "AlGaN表面の熱酸化過程の放射光光電子分光分析,"
    2017年春季 第64回応用物理学関係連合講演会予稿集, 15p-315-2,
    (パシフィコ横浜, March 14-17, 2017).
  24. 小山 真広, 岡 博史, 田中 章吾, 冨田 崇史, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司,
    "シードレス液相成長による単結晶GeSn超薄膜形成と電気特性評価,"
    応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」(第22回研究会),pp. 191-194,
    (東レ研修センター, 静岡県三島市, January 19-21, 2017).
  25. 冨田 崇史, 岡 博史, 小山 真広, 田中 章吾, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司,
    "横方向液相エピタキシャル成長による高濃度Sbドープ単結晶Ge細線の作製と光学特性評価,"
    応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」(第22回研究会),pp. 195-198,
    (東レ研修センター, 静岡県三島市, January 19-21, 2017).

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解説 / Reviews

      

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