研究成果

研究業績受賞歴

年度:2022 | 2021 | 2020 | 2019 | 2018 | 2017 | 2016 | 2015 | 2014 | 2013 | 2012 | 2011 | 2010 | 2009 | 2008 | 2007 | 2006 | 2005 | 2004

2005年度研究成果

学術論文 / Journal Papers

  1. Y. Naitou, A. Ando, H. Ogiso, S. Kamiyama, Y. Nara, K. Nakamura, H. Watanabe, and K. Yasutake,
    "Spatial fluctuation of dielectric properties in Hf-based high-k gate films studied by scanning capacitance microscopy,"
    Appl. Phys. Lett., 87, (25) 252908 (2005).
  2. H. Watanabe, S. Kamiyama, N. Umezawa, K. Shiraishi, S. Yoshida, Y. Watanabe, T. Arikado, T. Chikyow, K. Yamada, and K. Yasutake, "Role of Nitrogen Incorporation into Hf-based High-k Gate Dielectrics for Termination of Local Current Leakage Paths,"
    Jpn. J. Appl. Phys., 50, 010106 (2005).
  3. K. Tatsumura, T. Shimura, E. Mishima, K. Kawamura, D. Yamasaki, H. Yamamoto, T. Watanabe, M. Umeno, and I. Ohdomari, "Reaction and diffusion of atomic and molecular oxygen in the SiO2 network,"
    Phys. Rev. B, 72, (4) 045205 (2005).
  4. T. Shimura, K. Fukuda, K. Yasutake, T. Hosoi, and M. Umeno, "Comparison of ordered structure in buried oxide layers in high-dose, low-dose, and internal-thermal-oxidation separation-by-implanted-oxygen wafers,"
    Thin Solid Films, 476, (1) 125-129 (2005).
  5. T. Shimura, K. Yasutake, M. Umeno, and M. Nagase, "X-ray diffraction measurements of internal strain in Si nanowires fabricated using a self-limiting oxidation process,"
    Appl. Phys. Lett., 86, (7) 071903 (2005).
  6. M. Saitoh, M. Terai, N. Ikarashi, H. Watanabe, S. Fujieda, T. Iwamoto, T. Ogura, A. Morioka, K. Watanabe, T. Tatsumi, and H. Watanabe, "1.2nm HfSiON/SiON Stacked Gate Insulators for 65-nm-Node MISFETs,"
    Jpn. J. Appl. Phys., 44, (4B) 2330-2335 (2005).
  7. N. Umezawa, K. Shiraishi, T. Ohno, H. Watanabe, T. Chikyow, K. Torii, K. Yamabe, K. Yamada, H. Kitajima, and T. Arikado, "First-principles studies of the intrinsic effect of nitrogen atoms on reduction in gate leakage current through Hf-based high-k dielectrics,"
    Appl. Phys. Lett., 86, (14) 143507 (2005).
  8. K. Manabe, K. Takahashi, T. Ikarashi, A. Morioka, H. Watanabe, T. Yoshihara, and T. Tatsumi, "Fully Silicided NiSi Gate Electrodes on HfSiON Gate Dielectrics for Low-Power Applications,"
    Jpn. J. Appl. Phys., 44, (4B) 2205–2209 (2005).
  9. K. Takahashi, K. Manabe, A. Morioka, T. Ikarashi, T. Yoshihara, H. Watanabe, and T. Tatsumi, "High-Mobility Dual Metal Gate MOS Transistors with High-k Gate Dielectrics,"
    Jpn. J. Appl. Phys., 44, (4B) 2210-2213 (2005).
  10. H. Komoda, M. Yoshida, Y. Yamamoto, K. Iwasaki, H. Watanabe, and K. Yasutake, "Charge Neutralization Using Focused 500 eV Electron Beam in Focused Ion Beam System,"
    Jpn. J. Appl. Phys., 44, (17) L 515–L 517 (2005).

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国際会議/ International Conferences

  1. K. Shiraishi, Y. Akasaka, S. Miyazaki, T. Nakayama, T. Nakaoka, G. Nakamura, K. Torii, H. Furutou, A. Ohta, P. Ahmet, K. Ohmori, H. Watanabe, T. Chikyow, M. L. Green, Y. Nara, K. Yamada,
    "Universal Theory of Workfunctions at Metal/Hf-Based High-k Dielectrics Interfaces — Guiding Principles for Gate Metal Selection,"
    2005 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2.5,
    (Washington, DC, USA, December 5-7, 2005).
  2. K. Ohmori, P. Ahmet, D. Kukuruznyak, T. Nagata, K. Nakajima, K. Shiraishi, K. Yamabe, H. Watanabe, K. Yamada, G. Richter, T. Wagner, K. Chang, M. Green, and T. Chikyow,
    "Influence of continuous work function variation on electric properties by combinatorial materials deposition method,,"
    The 36rd IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC), P-2,
    (Arlington, VA, USA, December 1-3, 2005).
  3. H. Watanabe, S. Yoshida, Y. Watanabe, E. Mishima, K. Kawamura, Y. Kita, T. Shimura, K. Yasutake, Y. Akasaka, Y. Nara, K. Shiraishi, and K. Yamada,
    "Effects of intrinsic and extrinsic reactions at metal/high-k interfaces on electrical properties of gate stacks,"
    The 36rd IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC), 3.2,
    (Arlington, VA, USA, December 1-3, 2005).
  4. Y. Naitou, A. Ando, H. Ogiso, S. Kamiyama, Y. Nara, K. Nakamura, H. Watanabe, and K. Yasutake,
    "Mapping of the local dielectric properties of Hf-based high-k fifi lms by scanning capacitance microscopy,"
    International Symposium on. Surface Science and Nanotechnology (ISSS-4), P1-92, (Omiya, Saitama Japan, November 14-17, 2005).
  5. ,T. Shimura, E. Mishima, H. Watanabe, K. Yasutake, M. Umeno, K. Tatsumura, T. Watanabe, I. Ohdomari, K. Yamada, S. Kamiyama, Y. Akasaka, Y. Nara, and K. Nakamura
    "Ordered Structure in the Thermal Oxide Layer on Silicon Substrates," Invited
    Meet. Abstr. - 208th ECS Meeting, #727,
    (Los Angeles, CA, USA, October 16-21, 2005).
  6. N. Umezawa, K. Shiraishi, K. Torii, M. Boero, T. Chikyow, H. Watanabe, K. Yamabe, T. Ohno, K. Yamada, and Y. Nara,
    "The Role of Nitrogen Incorporation in Hf-based High-k Dielectrics: Reduction in Electron Charge Traps,"
    The 35th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), pp.201-204, (Grenoble, France, September 12-16, 2005).
  7. H. Watanabe, S. Yoshida, Y. Watanabe, T. Shimura, K. Yasutake, Y. Akasaka, Y. Nara, K. Nakamura, and K. Yamada,
    "Thermal Degradationof HfSiON Dielectrics Caused by TiN Gate Electrodes and Its Impact on Electrical Properties,"
    2005 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), pp.244-245, (International Conference Center Kobe, Koe, Japan, September 12-15, 2005).
  8. T. Wakamiya, H. Ohmi, H. Kakiuchi, H. Watanabe, K. Yasutake, K. Yoshii, and Y. Mori,
    "High-Rate Growth of Defect-Free Epitaxial Si at Low Temperatures by Atmospheric Pressure Plasma CVD,"
    2005 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), pp.756-757, (International Conference Center Kobe, Koe, Japan, September 12-15, 2005).
  9. K. Shiraishi, T. Nakayama, S. Miyazaki, K. Torii, Y. Akasaka, H. Watanabe, T. Chikow, K. Yamada, and Y. Nara,
    "Negative-U Behavior in the Complex of an O Vacancy and a Metal Impurity in High-k Dielectrics HfO2,"
    The 23rd International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-23), ThP.3, (Awaji Island, Hyogo, Japan, July 24-29, 2005).
  10. N. Umezawa, K. Shiraishi, T. Ohno, M. Boero, H. Watanabe, T. Chikyow, K. Torii, K. Yamabe, K. Yamada, and Y. Nara,
    "Unique Behavior of F-Centers in High-k Hf-based Oxides,"
    The 23rd International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-23), ThP.12, (Awaji Island, Hyogo, Japan, July 24-29, 2005).

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国内学会 / Domestic Conferences

  1. 渡部 平司,
    "次世代MOSFETゲート絶縁膜のナノスケール評価と新プロセス提案,"
    第9回関西半導体解析技術研究会,
    (November, 2005).
  2. 安武 潔,垣内 弘章,大参 宏昌,渡部 平司,
    "シリコン系薄膜の大気圧プラズマCVDおよびエピタキシャル成長,"
    薄膜材料デバイス研究会第2回研究集会, p.36,
    (龍谷大学, November 4-5, 2005).
  3. 三島 永嗣,川村 浩太,志村 考功,渡部 平司,安武 潔,神山 聡,赤坂 泰志,奈良 安雄,中村 邦雄,山田 啓作,
    "熱処理に伴うHfSiOx/SiO2/Si構造の界面酸化反応のX線CTR散乱測定,"
    2005年度精密工学会秋季大会 学術講演会講演論文集, pp.819-820,
    (京都大学, September 15-17, 2005).
  4. 喜多 祐起,吉田 慎一,渡辺 康匡,志村 考功,渡部 平司,安武 潔,赤坂 泰志,奈良 安雄,中村 邦雄,山田 啓作,
    "高誘電率ゲート絶縁膜とメタルゲートの電極との界面反応の評価,"
    2005年度精密工学会秋季大会 学術講演会講演論文集, pp.817-818,
    (京都大学, September 15-17, 2005).
  5. 田原 直剛,若宮 拓也,大参 宏昌,垣内 弘章,渡部 平司,安武 潔,芳井 熊安,森 勇藏,
    "大気圧プラズマCVDによるエピタキシャルSi薄膜の形成に関する研究,"
    2005年度精密工学会秋季大会 学術講演会講演論文集, pp.797-798,
    (京都大学, September 15-17, 2005).
  6. 大塚 崇,上殿 明良,渡部 平司,赤坂 泰志,奈良 安雄,中村 邦雄,白石 憲二,山部 紀久夫,松村 誠,大平 俊行,鈴木 良一,知京 豊裕,山田 啓作,
    "低速陽電子ビームによるTiN/HfSiONゲートスタックの評価,"
    2005年秋季 第66回応用物理学関係連合講演会予稿集, 10a-S-4,
    (徳島大学, September 7-11, 2005).
  7. 丹下 智之,辰村 光介,志村 考功,梅野 正隆,大泊 巌,
    "原子状酸素とSiO2ネットワークとの相互作用,"
    2005年秋季 第66回応用物理学関係連合講演会予稿集, 8a-ZK-8,
    (徳島大学, September 7-11, 2005).
  8. 清水 教弘,堀内 慎一郎,志村 考功,渡部 平司,安武 潔,
    "酸化濃縮法におけるSiGeの酸化機構,"
    2005年秋季 第66回応用物理学関係連合講演会予稿集, 10p-A-9,
    (徳島大学, September 7-11, 2005).
  9. 岡田 茂業,中村 亮太,大参 宏昌,垣内 弘章,渡部 平司,安武 潔 ,
    "大気圧水素プラズマを用いたSiC表面処理,"
    2005年秋季 第66回応用物理学関係連合講演会予稿集, 8p-ZB-6,
    (徳島大学, September 7-11, 2005).
  10. 川村 浩太,三島 永嗣,志村 考功,渡部 平司,安武 潔,神山 聡,赤坂 泰志,奈良 安雄,中村 邦雄,山田 啓作,
    "X線反射率測定によるTiN/HfSiON界面の熱安定性評価,"
    2005年秋季 第66回応用物理学関係連合講演会予稿集, 10p-ZK-9,
    (徳島大学, September 7-11, 2005).
  11. 内藤 裕一,安藤 敦,小木曽 久人,神山 聡,奈良 安雄,中村 邦雄,渡部 平司,安武 潔,
    "走査型容量顕微鏡によるHigh-k膜誘電率の面内分布評価,"
    2005年秋季 第66回応用物理学関係連合講演会予稿集, 10a-ZK-10,
    (徳島大学, September 7-11, 2005).
  12. 渡辺 康匡,吉田 慎一,喜多 祐起,志村 考功,渡部 平司,安武 潔,赤坂 泰志,奈良 安雄,中村 邦雄, 山田 啓作,
    "メタル電極形成条件がTiN/HfSiON界面反応と電気特性に及ぼす影響,"
    2005年秋季 第66回応用物理学関係連合講演会予稿集, 10p-ZK-10,
    (徳島大学, September 7-11, 2005).
  13. 辰村 光介,志村 考功,三島 永嗣,川村 浩太,山崎 大輔,山本 英明,渡邉 孝信,梅野 正隆,大泊 巌,
    "SiO2ネットワーク中における原子状酸素と分子状酸素の反応と拡散,"
    2005年春季 第52回応用物理学関係連合講演会予稿集, 29a-ZB-7,
    (埼玉大学, March 29 - April 1, 2005).
  14. 若宮 拓也,山本 憲,田原 直剛,大参 宏昌,垣内 弘章,渡部 平司,安武 潔,芳井 熊安,森 勇藏,
    "大気圧プラズマCVD法によるエピタキシャルSiの低温かつ高速成長,"
    2005年春季 第52回応用物理学関係連合講演会予稿集, 1a-YE-2,
    (埼玉大学, March 29 - April 1, 2005).
  15. 小山 晋,中嶋 大貴,南 綱介,大参 宏昌,渡部 平司,安武 潔,
    "Ge微結晶核を用いた大粒径多結晶Si薄膜作製のための基板表面制御,"
    2005年春季 第52回応用物理学関係連合講演会予稿集, 30a-R-1,
    (埼玉大学, March 29 - April 1, 2005).
  16. 渡辺 康匡,吉田 慎一,志村 考功,渡部 平司,安武 潔,神山 聡,有門 経敏,白石 賢二,梅澤 直人,知京 豊裕,山田 啓作,
    "Hf-Silicate膜の局所絶縁劣化現象のC-AFM観察 -窒化による信頼性向上機構の検討-,"
    2005年春季 第52回応用物理学関係連合講演会予稿集, 31a-ZB-6,
    (埼玉大学, March 29 - April 1, 2005).
  17. 吉田 慎一,渡辺 康匡,志村 考功,渡部 平司,安武 潔,赤坂 泰志,奈良 安雄,中村 邦雄,山田 啓作,
    "TiN/HfSiON界面反応がHigh-k膜の結晶化温度と電気特性に及ぼす影響,"
    2005年春季 第52回応用物理学関係連合講演会予稿集, 30p-ZB-17,
    (埼玉大学, March 29 - April 1, 2005).
  18. 三島 永嗣,川村 浩太,志村 考功,渡部 平司,安武 潔,神山 聡,赤坂 泰志,奈良 安雄,中村 邦雄,山田 啓作,
    "X線CTR散乱によるHfSiOx/SiO2/Si構造の界面残留秩序の測定,"
    2005年春季 第52回応用物理学関係連合講演会予稿集, 30p-ZB-14,
    (埼玉大学, March 29 - April 1, 2005).
  19. 梅澤 直人,白石 賢二,大野 隆央,渡部 平司,知京 豊裕,鳥居 和功,山部 紀久夫,山田 啓作,北島 洋,有門 経敏,
    "Hf系High-kゲート絶縁膜におけるN原子の本質的な効果:第一原理計算による検討,"
    2005年春季 第52回応用物理学関係連合講演会予稿集, 30p-ZB-11,
    (埼玉大学, March 29 - April 1, 2005).
  20. 南 綱介, 小山 晋, 中嶋 大貴, 大参 宏昌, 渡部 平司, 安武 潔, 芳井 熊安, 森 勇藏,
    "大粒径多結晶Si薄膜作製のためのGe微結晶核を利用した基板表面制御,"
    2005年度精密工学会春季大会 学術講演会講演論文集, F74,
    (慶應義塾大学, March 16-18, 2005).
  21. 中嶋 大貴, 小山 晋, 南 綱介, 大参 宏昌, 渡部 平司, 安武 潔, 芳井 熊安, 森 勇藏,
    "Ge 微結晶核付SiO2基板を用いたSi薄膜成長に関する研究,"
    2005年度精密工学会春季大会 学術講演会講演論文集, F75,
    (慶應義塾大学, March 16-18, 2005).
  22. 辰村 光介, 志村 考功, 三島 永嗣, 川村 浩太, 山崎 大輔, 山本 英明, 渡邉 孝信, 梅野 正隆, 大泊 巌,
    "SiO2ネットワーク中の原子状酸素と分子状酸素の反応と拡散,"
    応用物理学会 薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会アブストラクト集「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」(第10回研究会), pp. 41-44,
    (東レ総合研修センター, 静岡県三島市, January 27-28, 2005).
  23. 梅澤 直人, 白石 賢二, 大野 隆央, 渡部 平司, 知京 豊裕, 鳥居 和功, 山部 紀久夫, 山田 啓作, 北島 洋, 有門 経敏,
    "Hfを基礎としたHigh-kゲート絶縁膜のリーク電流を減少させるN原子の本質的な効果:酸素原子空孔に起因するリークパスを遮断するN原子の役割,"
    応用物理学会 薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会アブストラクト集「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」(第10回研究会), pp. 115-119,
    (東レ総合研修センター, 静岡県三島市, January 27-28, 2005).
  24. 高橋 健介, 間部 謙三, 森岡 あゆ香, 五十嵐 多恵子, 吉原 拓也, 渡部 平司, 辰巳 徹,
    "デュアルメタル電極/HfSiOゲート絶縁膜MOSトランジスタの作製と電気特性の評価,"
    応用物理学会 薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会アブストラクト集「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」(第10回研究会), pp. 221-225,
    (東レ総合研修センター, 静岡県三島市, January 27-28, 2005).
  25. 間部 謙三, 高橋 健介, 五十嵐 多恵子, 森岡 あゆ香, 渡部 平司, 吉原 拓也, 辰巳 徹,
    "ニッケルフルシリサイド電極のHfSiONゲート絶縁膜への適用,"
    応用物理学会 薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会アブストラクト集「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」(第10回研究会), pp. 231-236,
    (東レ総合研修センター, 静岡県三島市, January 27-28, 2005).
  26. 吉田 慎一, 渡部 平司, 安武 潔, Ahmet Parhat, 知京 豊裕, 山田 啓作,
    "コンビナトリアル成膜Pt-Wメタルゲート電極の仕事関数マッピング,"
    応用物理学会 薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会アブストラクト集「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」(第10回研究会), pp. 271-274,
    (東レ総合研修センター, 静岡県三島市, January 27-28, 2005).
  27. 渡辺 康匡, 志村 孝功, 渡部 平司, 安武 潔, 神山 聡, 有門 経敏, 白石 賢二, 梅澤 直人, 山田 啓作,
    "HfSiON膜中の局所絶縁劣化箇所のC-AFM観測 -窒化による信頼性向上メカニズムの検討-,"
    応用物理学会 薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会アブストラクト集「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」(第10回研究会), pp. 327-331,
    (東レ総合研修センター, 静岡県三島市, January 27-28, 2005).
    

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