2020年4月からの専攻再編に伴い、当研究室は
物理学系専攻 精密工学コース 先進デバイス工学領域 となりました。

人類は、資源・エネルギー、食料と人口、気候変動・自然災害、都市化と貧困などの地球規模の課題に直面しています。それらを乗り越えて持続可能な社会を築くためには、人と人の絆、そして人と自然との共生を大切し、問題解決に希望をつなぐテクノロジーの発展が求められています。
サステナブル社会の実現と価値ある未来のために、私たちは材料そのものの設計から、異種材料の組み合わせや新構造の採用によって、革新的な機能を発現するデバイスの創製を目指し、幅広い見地から次世代のグリーンナノエレクトロニクスを支える研究開発を進めています。

News & Topics

2022年6月30日 お知らせ6月29日にオンライン開催されました映像情報メディア学会 情報センシング研究会(IST)にて、志村准教授が下記の発表を行いました。お疲れさまでした。
"電子の水平運動が卓越するブランチングイメージセンサ"
2022年6月22日 お知らせ6月21日~23日にオンライン開催されましたIST 2022にて、志村准教授が下記のプレナリー講演を行いました。お疲れさまでした。
"Approach to achieving super temporal resolution image sensors beyond 20 picosecond"
2022年5月26日 更新2022年度 研究成果を更新しました。
2022年5月25日 更新2022年度 研究成果を更新しました。
2022年5月6日 更新2022年度 研究成果を更新しました。
2022年4月12日 お知らせ4月29日(金)に、大学院進学説明会が開催されます。午前はオンライン、午後は対面にて行われます。4/27(水)16時までにこちらからお申込みください。
なお、研究室見学等は随時対応しております。今回都合が合わない方は個別対応も可能です。是非こちらまでご連絡ください。
2022年4月12日 更新研究室メンバーページを更新しました。
2022年4月1日 更新研究室メンバーページを更新しました。
2022年3月30日 お知らせ3月27日~31日に開催されましたIRPS 2022に寺尾さん(招へい研究員)および中沼さん(M1)が参加し、下記の研究発表を行いました。お疲れさまでした。
・寺尾さん(招へい研究員):Characterization of Electron Traps in Gate Oxide of SiC MOS Capacitors
・中沼さん(M1):Investigation of reliability of NO nitrided SiC(1-100) MOS devices
2022年3月25日 お知らせ3月22日~26日にハイブリッド開催されました第68回応用物理学会春季学術講演会にて、渡部教授、小林助教が受賞記念講演を行い、その他下記の研究発表を行いました。参加された皆様、お疲れさまでした。
・渡部先生:「第43回解説論文賞受賞記念講演」SiCパワーデバイス開発における欠陥制御の重要性
・小林先生:「第43回論文奨励賞受賞記念講演」SiC熱酸化抑制プロセスによる高品質SiC/SiO2界面の形成
・溝端先生:超高圧活性化熱処理を施したMgイオン注入p-GaN MOSデバイスの電気特性に対する基板極性およびアクセプタ濃度の影響
・冨ヶ原さん(M1):紫外光照射によるGaN MOS構造における正孔トラップの評価
・藤本さん(M1):NO窒化SiC MOSデバイスへのエキシマ紫外光照射の影響
・見掛さん(M1):酸化・還元反応制御に基づく高品質SiO2/GaN MOS構造の形成
・大西さん(B3):スパッタSiO2成膜よる安定なGaN MOS構造の形成
・小川さん(東レ/連携研究):DLTSによるSiO2/GaN界面およびSiO2膜中トラップ準位の評価
2022年3月17日 更新2022年度 研究成果を更新しました。
2022年3月9日 お知らせ3月9日にオンライン開催されました電気学会 電子デバイス研究会にて、M1の中沼さんが下記の招待講演を行いました。お疲れさまでした。
"NO窒化処理を施した非基底面SiC MOSデバイスの信頼性"
2022年3月3日 お知らせ3月9日(水)に、大学院進学説明会が開催されます。午前はオンライン、午後は対面にて行われます。3月7日(月)16時までにこちらからお申し込みください。
なお、研究室見学等は随時対応しております。今回都合が合わない方は個別対応も可能です。是非こちらまでご連絡ください。
2022年3月3日 更新2022年度 研究成果を更新しました。
2022年2月24日 更新2022年度 研究成果を更新しました。
2022年2月16日 更新2022年度 研究成果を更新しました。
2022年2月1日 お知らせ1月31日にオンライン開催されました日本学術振興会「結晶加工と評価技術」第145委員会 第174回研究会にて、江藤招へい教授が下記の招待講演を行いました。お疲れさまでした。
"高速イメージセンサの現状と展望 -ピコ秒を目指して-"
2022年1月29日 お知らせ1月28日~29日にオンラインで開催されました第27回電子デバイス界面テクノロジー研究会にて、当研究室より下記の研究発表を行い、中沼さん(M1)が「研究会活性化奨励賞」を受賞しました。おめでとうございます。
・溝端先生:AlGaNキャップ層によるMgドープp-GaNの活性化抑制と水素脱離過程の制御による特性改善
・田淵さん(M1):光吸収層を有する石英基板上GeSn細線のレーザー溶融結晶化
・中沼さん(M1):NO窒化処理を施した4H-SiC(11-20) MOSデバイスの絶縁性および閾値安定性の評価
2022年1月14日 お知らせ1月12日~14日にオンライン開催されましたレーザー学会学術講演会第42回年次大会にて、志村准教授が下記の招待講演を行いました。お疲れさまでした。
"局所液相成長法によって作製した単結晶GeSn細線の受光・発光特性"
2022年1月11日 お知らせ1月11日~13日にハイブリッド開催されましたIWSingularity 2022 / ISWGPDs 2022にて、渡部教授が下記のプレナリー講演を行いました。お疲れさまでした。
"Gate stack technology for advanced wide bandgap power electronics"
2022年1月11日 お知らせ昨年渡部教授が京大の木本教授と共同執筆した下記のレビュー論文(APEX)のダウンロード件数が、1万件を突破しました。
"Defect engineering in SiC technology for high-voltage power devices"
2022年1月11日 お知らせ来る1月22日(土)に、大学院進学説明会(他大学生向け)&コース配属説明会(応自1回生向け)が開催されます。午前はオンライン、午後は対面にて行われます。お申し込みはこちら。締切は1月19日(水)12時までとなっています。みなさま奮ってご参加ください。
なお、研究室見学等は随時対応しております。今回都合が合わない方は個別対応も可能です。是非こちらまでご連絡ください。

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