2020年4月からの専攻再編に伴い、当研究室は
物理学系専攻 精密工学コース 先進デバイス工学領域 となりました。

人類は、資源・エネルギー、食料と人口、気候変動・自然災害、都市化と貧困などの地球規模の課題に直面しています。それらを乗り越えて持続可能な社会を築くためには、人と人の絆、そして人と自然との共生を大切し、問題解決に希望をつなぐテクノロジーの発展が求められています。
サステナブル社会の実現と価値ある未来のために、私たちは材料そのものの設計から、異種材料の組み合わせや新構造の採用によって、革新的な機能を発現するデバイスの創製を目指し、幅広い見地から次世代のグリーンナノエレクトロニクスを支える研究開発を進めています。

News & Topics

2023年5月29日 お知らせ江藤剛治招へい教授が2023年5月24日に 英国スコットランドで開催されました IISW2023（International Image Sensors Workshop 2023）のExceptional Lifetime Achievement Awardを受賞されました。
受賞理由は長年にわたる超高速イメージセンサの開発に対する貢献です。
2023年5月17日 更新2023年 研究成果を更新しました。
2023年4月17日 お知らせ小林助教が4月付で 工学研究科附属フューチャーイノベーションセンター（CFi）の次世代リーダー教員 に着任しました。
2023年4月12日 お知らせ3月13日～16日に開催されましたULITIMA 2023 (CA, USA). にて、江藤招へい教授が下記の招待講演を行いました。
"Beyond the temporal resolution limit of silicon image sensors"
2023年4月7日 更新研究室メンバーページを更新しました。
2023年3月24日 お知らせ大西 健太郎くん（B4）が"大阪大学楠本賞"を受賞しました。
2023年3月22日 更新2023年 研究成果を更新しました。
2023年3月17日 お知らせ小林助教の第22回 船井研究奨励賞受賞が決定しました。
"炭化珪素半導体における欠陥の制御と機能開拓"
2023年3月17日 お知らせ3月15～18日にハイブリッド開催されました 第70回応用物理学会春季学術講演会にて、当研究室より渡部先生・志村先生・小林先生・中沼さん・近藤さんが参加し、下記の研究発表を行いました。
・中沼さん（M2）："SiO2/SiC界面発光中心密度と電気的特性の相関"
・近藤さん（M1）："Si基板上GeSn細線のレーザー溶融結晶化と光学特性評価"
・近藤さん（筑波大）："4H-SiC(11-20)面（a面）MOS界面欠陥の電子スピン共鳴分光（ESR/EDMR）評価"
2023年3月13日 お知らせ中沼 貴澄くん（M2）が"大阪大学工業会賞"を受賞しました。
”炭化ケイ素MOS界面の欠陥制御と量子デバイスへの展開”
2023年3月13日 お知らせ大西 健太郎くん（B4）が"大阪大学工学賞" を受賞しました。
2023年3月6日 更新2023年 研究成果を更新しました。
2023年3月1日 更新研究室メンバーページを更新しました。
2023年2月21日 お知らせ中沼 貴澄くん（M2）が電気学会より"2022年電子・情報・システム部門 技術委員会奨励賞"を受賞しました。
"NO窒化処理を施した非基底面SiC MOSデバイスの信頼性"
2023年2月20日 更新研究室メンバーページを更新しました。
2023年2月6日 更新2023年 研究成果を更新しました。
2023年1月25日 更新研究室メンバーページを更新しました。

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